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刘小会

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：西南技术物理研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇芯片
  • 4篇引线
  • 4篇引线键合
  • 4篇探测器
  • 4篇夹具
  • 4篇键合
  • 3篇探测器芯片
  • 3篇贴装
  • 3篇装夹
  • 3篇工装
  • 3篇工装夹具
  • 3篇光电
  • 3篇光电探测
  • 3篇光敏
  • 2篇钝化
  • 2篇钝化膜
  • 2篇亚胺
  • 2篇同心度
  • 2篇图像
  • 2篇图像显示

机构

  • 14篇西南技术物理...

作者

  • 14篇刘小会
  • 8篇苏洁梅
  • 7篇刘从吉
  • 6篇向秋澄
  • 4篇王鸥
  • 4篇胡卫英
  • 4篇黄海华
  • 3篇曾璞
  • 3篇李丰
  • 3篇周红轮
  • 2篇周小燕
  • 1篇钱煜
  • 1篇郭勇
  • 1篇李潇
  • 1篇罗成思
  • 1篇何伟
  • 1篇覃文治
  • 1篇柯尊贵
  • 1篇马孜
  • 1篇王平秋

年份

  • 3篇2025
  • 5篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 3篇2013
  • 1篇2011
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
光敏芯片钝化结构
本实用新型提出的一种光敏芯片钝化结构，旨在提供一种减少干扰，合格率高，易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型通过下述技术方案予以实现：硅基探测器的光敏芯片钝化结构，包括光刻保留在工艺芯片表面的氧化硅钝化膜，氧...
王鸥邱月瓴曾璞刘小会周红轮胡卫英刘从吉罗成思
文献传递
一种用于楔形引线键合的快捷夹具
本发明公开了一种用于楔形引线键合的快捷夹具，其包括支撑块(1)、压板(5)、销柱(6)、底座(7)；支撑块(1)下端布置在底座(7)上；支撑块(1)中部设推力组件，推力组件由前至后穿过支撑块(1)中部；支撑块(1)上部开...
何永攀汪文平邱月瓴刘小会刘从吉苏洁梅陈剑高金辉
一种激光光电探测器响应度控制方法
本发明公开了一种激光光电探测器响应度控制方法，在激光光电探测器光敏芯片的芯片厚度、掺杂剂量、光敏面积一定的情况下，通过控制光敏芯片光敏面二氧化硅层的密度及厚度调整来实现响应度的最大值和最小值调整。本发明种，氧化层厚度控制...
刘小会苏洁梅秋月瓴姜滔郑皓宇刘从吉
一种单元类器件同心度辅助贴装装置
本发明属于光电探测器芯片贴装工艺技术领域，具体涉及一种单元类器件同心度辅助贴装装置，包括：对位平台和视觉显微镜；所述对位平台用于管座的装夹和位置调节，视觉显微镜用于器件图案和参考模板显示；对位平台包括：管座夹具、X‑Y‑...
何永攀向秋澄汪文平李丰刘小会黄海华
文献传递
一种半导体芯片聚酰亚胺成膜固化装置
本发明公开了一种半导体芯片聚酰亚胺成膜固化装置，包括：高温炉体(1)、程序温控系统(2)、高纯石英腔体(3)、气流稳压系统(4)和排风系统(5)，高纯石英腔体(3)布置在高温炉体(1)上，待成膜固化半导体芯片布置在高纯石...
邱月瓴刘期斌苏洁梅刘小会林鹏姜滔何永攀郑皓予刘从吉胡卫英
一种用于多面立体结构器件引线键合的工装夹具
本发明公开了一种用于多面立体结构器件引线键合的工装夹具，结构为：底座中心开大U形槽、小U形槽，U形板布置在大U形槽中，两根连杆I对称穿过U形板侧壁和相邻的大U形槽侧壁上的连杆安装孔，一根连杆I的端部设第一把手；U形板的两...
向秋澄何永攀汪文平刘小会邱月瓴苏洁梅李雪莲高金辉黄治会曹雪丽
紫外选择性硅雪崩光电探测芯片
本发明提出的一种紫外选择性硅雪崩探测芯片，P<Sup>+</Sup>光吸收层（4）以小于200nm的厚度相连N型层（3），N+欧姆接触层（5）对称于P<Sup>+</Sup>光吸收层（4），在N+欧姆接触层（5）的两边，...
周红轮刘小会曾璞
文献传递
一种待划切芯片定位贴装工件盘
本实用新型公开了一种待划切芯片定位贴装工件盘。该工件盘结构及特点包括：多个定位贴装单元按阵列式排布，可同时安放多个待划切芯片，且芯片安放密度可达最大；各待划切芯片通过定位贴装单元精确排布于同一直线上，可同时完成对同一直线...
陈剑黄海华刘小会邱月瓴
文献传递
一种用于不同外形尺寸基板全自动引线键合的工装夹具
本实用新型公开了一种用于不同外形尺寸基板全自动引线键合的工装夹具，包括：底座、滑块、挡板、限位板、定位块、安装板和螺杆；底座上边缘有一个L形槽，左右边缘各有一个矩形槽，内部有一个T形槽；挡板安装在L形槽中；左右两个矩形槽...
何永攀向秋澄黄海华汪文平姚梦琪刘小会邱月瓴庞树帅苏洁梅陈剑
一种改善扩展电阻测试纵向杂质分布准确性的方法
本发明属于硅基半导体芯片扩展电阻测试领域，公开了一种改善扩展电阻测试纵向杂质分布准确性的方法，具体步骤如下：步骤一、采用台阶仪对经过扩展电阻测试的样品进行角度校准；步骤二、将经过扩展电阻测试的样品在50倍显微镜下进行针痕...
刘从吉王鸥姜滔曾璞刘小会郑皓予何勇攀
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