郑一阳
- 作品数：16 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
- 锑化铟霍尔器件在电子罗盘中的应用研究
- 2008年
- 本文研究了锑化铟(Insb)霍尔器件在电子罗盘系统中的应用前景。假设误差的形成为从圆到椭圆的变化过程,并利用该假设推导了椭圆误差补偿算法。证明了利用这种算法可以实现电子罗盘的自动校准,从而大量节约成本。这种算法应用于本实验获得了最大±3.0°的精度,从而表明用锑化铟霍尔器件应用应用于电子罗盘并配合椭圆补偿算法达到了实际需要,并且采用这种方法研制的电子罗盘具有成本低、体积小、重量轻、可靠性高、使用方便的特点。
- 宋海明韩海郑一阳赵柏秦
- 关键词：误差补偿
- 高线性度外延及注入GaAs Hall器件
- 2002年
- 讨论了外延及注入制作的薄层 Ga As Hall器件如何获得高的磁线性度 .Ga As Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离 ,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿 ,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中 ,可以得到在 2 .5 T的强磁场下 ,± 0 .0 4
- 郑一阳
- 关键词：砷化镓线性度
- 霍尔电流传感器在电控及电气自动化系统中的应用
- 郑一阳
- 关键词：传感器电气控制电力传动电流传感器
- 采用脉冲方式驱动霍尔元件的可行性研究
- 针对霍尔元件响应迅速而灵敏度较低的特点,结合目前工程应用中广泛使用的采样保持及AD转换的数据处理方式,讨论了采用脉冲方式驱动霍尔元件,在峰值电压时取样的方式增加霍尔元件磁灵敏度的可行性。分别从热功耗限制和强场效应两方面进...
- 陈学磊赵柏秦郑一阳韩海
- 关键词：霍尔元件脉冲方式热效应
- 霍尔电流传感器被引量：6
- 1991年
- 本文介绍了该所研制的霍尔电流传感器的基本工作原理,主要性能和使用情况。
- 李岐旺卫薇郑一阳
- 关键词：电流传感器传感器振动
- 霍尔罗盘误差补偿算法及实验分析被引量：3
- 2008年
- 研究了锑化铟(InSb)霍尔罗盘中的椭圆误差补偿问题。文中详细分析了基于椭圆假设的罗盘误差补偿算法,使罗盘具备了自动误差补偿和自动校准功能。实验结果表明,利用这种算法的霍尔罗盘精度达到了±2.46°,基本达到了实用要求。本文还详细分析了影响罗盘精度的原因和以后改进的措施。
- 宋海明韩海赵柏秦郑一阳
- 关键词：电子罗盘误差补偿
- 用于保护大功率电力电子器件高速霍尔电流传感器
- 郑一阳
- 关键词：电流传感器霍尔传感器半导体器件保护电路功率晶体管
- 高纯GaAs中的等离子体振荡现象
- 2001年
- 报道了一种新的半导体体效应器件——体等离子体器件 ,它是由很薄的高纯 Ga As层构成 (1— 2μm ) ,在强电场 (大于 2 0 0 k V/ cm )下产生雪崩击穿 ,形成一个由电子和空穴组成的等离子体 ,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率 ,并强烈地依赖于外磁场 ,因此可以做成振荡器及磁敏传感器 。
- 郑一阳
- 关键词：砷化镓
- 用于保护大功率电力电子器件高速霍尔电流传感器
- 郑一阳
- 关键词：电流传感器霍尔传感器半导体器件保护电路功率晶体管
- Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟
- 1983年
- 本文讨论在GaAs n^+-n-n^+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时阴极凹口仍不能形成新畴,则准静态畴将进一步调整成为真正的静止畴,而畴外电场也将由最大值下降到一个与偏压无关的固定值.经过理论分析,得到了静止畴所固有的与外加偏压无关的畴外电场与有源区掺杂浓度的关系式,并和计算机模拟的结果相比较,得到很好的符合.如果偏压的增加使准静态畴所对应的畴外电场最大值已经足够使阴极凹口形成新的畴,则静止畴将转变为渡越畴.如果偏压继续增加,使积累层尾部覆盖了阴极凹口,则畴会再次静止下来,直到偏压增加到畴发生雪崩为止.计算和实验表明,后一个静止区的电压变化范围要比前一个大得多.本文还讨论了两个转变电压和温度的关系及扩散系数对静止畴的影响.
- 王守武郑一阳郗小林张进昌
- 关键词：TRANSFORMATIONSTRANSITDOMAINSGUNNSANDWICH
