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武乐可

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：上海交通大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇同质结
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 4篇半导体
  • 2篇带隙
  • 2篇电荷耦合
  • 2篇电荷耦合器
  • 2篇电荷耦合器件
  • 2篇砷化镓
  • 2篇矢量分解
  • 2篇双光子
  • 2篇铝镓砷
  • 2篇金膜
  • 2篇宽带隙
  • 2篇宽带隙半导体
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光子
  • 2篇红外
  • 2篇红外上转换

机构

  • 7篇上海交通大学

作者

  • 7篇武乐可
  • 6篇沈文忠
  • 2篇郝惠莲
  • 2篇刘惠春

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法
一种半导体光电探测技术领域的半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为探测中心波长在60微米的同质结内光发射远红外探测器，发光二极管类型为发射光波长在硅电荷耦合器件响应波长范围内的近红外发...
沈文忠武乐可
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半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法
一种半导体光电探测技术领域的半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为探测中心波长在60微米的同质结内光发射远红外探测器，发光二极管类型为发射光波长在硅电荷耦合器件响应波长范围内的近红外发...
沈文忠武乐可
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半导体远红外//THz上转换成像器件研究
在可见光和近红外波段/(最长到1.1μm/),硅电荷耦合器件/(Si CCD/)是一种性能优异、并已成熟的成像器件。紫外及更短波段光的探测可通过在Si CCD上涂以合适的发光材料加以实现。波长较长的中红外波段,一般采用I...
武乐可
关键词：调制传递函数谐振腔
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双光子无源红外上转换成像器件制造方法
一种半导体光电探测技术领域的双光子无源红外上转换成像器件制造方法。步骤如下：(1)确定双光子无源红外上转换成像器件为金属金－宽带隙半导体－窄带隙半导体－宽带隙半导体－金属金的结构，选择不同的半导体材料结构实现不同波长的双...
沈文忠武乐可刘惠春
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带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法
一种带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为砷化镓同质结远红外探测器，发光二极管的顶部和底部DBR反射镜为砷化镓层和铝镓砷层的周期性结构；(2)利用电磁波矢量分解的方法并考虑驻波效应...
沈文忠武乐可郝惠莲
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双光子无源红外上转换成像器件制造方法
一种半导体光电探测技术领域的双光子无源红外上转换成像器件制造方法。步骤如下：(1)确定双光子无源红外上转换成像器件为金属金-宽带隙半导体-窄带隙半导体-宽带隙半导体-金属金的结构，选择不同的半导体材料结构实现不同波长的双...
沈文忠武乐可刘惠春
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带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法
一种带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为砷化镓同质结远红外探测器，发光二极管的顶部和底部DBR反射镜为砷化镓层和铝镓砷层的周期性结构；(2)利用电磁波矢量分解的方法并考虑驻波效应...
沈文忠武乐可郝惠莲
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