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冯志伟

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：长春光机学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇偏振
  • 2篇偏振不灵敏
  • 2篇光学
  • 2篇光学放大器
  • 2篇放大器
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体光学放...
  • 2篇SOA
  • 2篇INP
  • 1篇带宽
  • 1篇增益
  • 1篇增益谱
  • 1篇气相沉积
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇3DB带宽
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇MOCVD
  • 1篇波长
  • 1篇波长调制

机构

  • 4篇中国科学院
  • 3篇长春光机学院

作者

  • 4篇张瑞英
  • 4篇董杰
  • 4篇冯志伟
  • 4篇王圩
  • 3篇周帆
  • 2篇边静
  • 1篇王鲁峰
  • 1篇张靖

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇中国激光

年份

  • 4篇2002
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器被引量：1
2002年
采用渐变应变有源区结构 ,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器 ,工作电流在 6 0～ 16 0mA范围内 ,其 3dB带宽范围不小于 35nm ,偏振不灵敏度小于 0 35dB ,自发发射出光功率为 0 18～ 3 9mW .
张瑞英董杰冯志伟周帆王鲁峰王圩
关键词：半导体光学放大器偏振不灵敏SOA
窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究被引量：1
2002年
采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0～40μm范围内,获得波长漂移达177.5nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,获得各个生长区域的组份、应变和In,Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系,并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族分压比相关,大于阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族源无关。此外,对材料富In现象作了合理解释。
张瑞英董杰周帆李国华边静冯志伟王圩
关键词：化学气相沉积INGAASP波长调制
大带宽半导体光学放大器的理论分析
2002年
提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析该结构中有源区各部分的作用 ,得出大的张应变的引入主要是用于提高 TM模的材料增益 ,获得偏振不灵敏和大的 TE模带宽 ,减小制备难度 .厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量 ,获得大的偏振不灵敏模式增益 .
张瑞英董杰张靖冯志伟王圩
关键词：半导体光学放大器偏振不灵敏3DB带宽SOA增益谱
窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子
2002年
报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积 (NSAG- MOCVD)成功生长的 In P系材料 ,并提出在 NSAG-MOCVD生长研究中 ,引入填充因子的必要性 ,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式 ,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系 .与实验结果作了比较 ,发现 In P的速率增强因子主要取决于掩膜宽度 ,In Ga As P的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关 ,同时也依赖于生长厚度 。
张瑞英董杰周帆冯志伟边静王圩
关键词：MOCVD
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