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王旭洪

作品数：10 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国科学院科研项目更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇磁致伸缩
  • 3篇压磁材料
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇PECVD
  • 3篇磁致伸缩材料
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅薄膜
  • 2篇铽合金
  • 2篇镝合金
  • 2篇稀土
  • 2篇磁性
  • 2篇DY
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶薄膜
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇电路
  • 1篇电子器件
  • 1篇永磁

机构

  • 10篇中国科学院上...

作者

  • 10篇王旭洪
  • 5篇郭懋端
  • 3篇蒋耀亮
  • 3篇陈翔
  • 3篇徐立强
  • 2篇姜利军
  • 2篇范红梅
  • 2篇赵润涛
  • 1篇刘湘林
  • 1篇祝向荣
  • 1篇盛玫
  • 1篇陈宝鑫

传媒

  • 4篇功能材料与器...
  • 4篇第八届全国磁...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第二届中国功...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1999
  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 4篇1993
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ＴｂｘＤｙ＃-[1-x]（ＭｎｙＦｅ＃-[1-y]）＃-[2]磁致伸缩材料的研究
杜三庆王旭洪
关键词：压磁材料镝合金锰合金磁致伸缩铽合金
正交实验方法研究PECVD碳化硅薄膜的防水汽扩散性质
1999年
利用正交实验设计，研究了碳化硅薄膜的防水汽扩散性质。通过测试水汽在碳化硅薄膜中的扩散速率，初步确定了四种沉积参数影响碳化硅薄膜防水汽扩散能力的规律。实验发现，射频频率的变化对碳化硅薄膜的防水汽扩散能力影响最大，气体流量比次之，而功率和气体压力的变化影响较小。
姜利军陈翔王旭洪赵润涛盛玫徐立强
关键词：碳化硅薄膜PECVD电子器件
Ｔｂ＃-[0.27]Ｄｙ＃-[0.73]（ＭｘＦｅ＃-[1-x]）＃-[2]（Ｍ＝Ｃｕ和Ｂ）磁致伸缩材料的研究
王旭洪郭懋端
关键词：磁致伸缩压磁材料镝合金铽合金
大磁致伸缩材料钐系列合金热处理研究
制备了大磁致伸缩材料钐合金系列,进行了多种热处理制度试验。研究了退火对合金材料结构和性能的影响,合理的热处理可以显著增强磁致伸缩应变。
郭懋端范红梅王旭洪杜三庆蒋耀亮
关键词：磁致伸缩
文献传递
（ＹｂＢｉ）＃-[3]（ＦｅＧａ）＃-[5]Ｏ＃-[12]单晶薄膜磁光材料的研究
王旭洪刘湘林
关键词：磁光材料磁膜稀土永磁材料单晶
等离子体增强化学气相低温沉积碳化硅薄膜及其性质研究被引量：3
1999年
用等离子体增强化学气、相沉积（PECVD）方法，以CH4和SiH4为反应气体，在低电极温度（180℃）条件下制备了碳化硅薄膜．实验结果表明，低电极温度条件下沉积参数（反应气体流量比、反应气体压力、射频功率）的变化对薄膜的沉积和性质影响较大．制得的薄膜均匀性良好，其化学组成Si／C在0．72-4．0之间，具有（5-9）×109dyn／cm2的压应力．红外光谱结果证明，随着薄膜化学成分的变化，薄膜的结构也改变。同氮化硅薄膜相比，制得的碳化硅薄膜具有良好的抗溶液腐蚀性．
姜利军陈翔王旭洪徐立强
关键词：碳化硅PECVD塑料封装
超负磁致伸缩晶体Sm－Fe、Sm－Dy－Fe和Sm－Dy－Fe－Al的研究被引量：2
1995年
本文研究了轻稀土负磁致伸缩ＳｍＦｅ＿ｘ（１．４０＜ｘ＜１．９４），Ｓｍ＿ｘＤｙ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｙ（０．８４＜ｘ＜０．９２．１．８０＜ｙ＜１．９０），Ｓｍ＿（０．９０）Ｄｙ＿（０．１０）（Ｆｅ＿（０．９５）Ａｌ＿（０．０５））＿（１．８０）晶体的制备、热处理及磁学性能，发现ＳｍＦｅ＿ｘ合金的λ－ｘ曲线存在两个峰值，峰值的ｘ点随热处理发生的变化有一定的规律性，还比较了热处理前后，Ｓｍ－Ｆｅ、Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ和Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ａｌ的相组成对性能的影响。热处理用于改善磁致伸缩性能，并且制得了高磁致伸缩性能的ＳｍＦｅ＿２和（Ｓｍ，Ｄｙ）Ｆｅ＿２合金。
范红梅郭懋端王旭洪杜三庆蒋耀亮陈宝鑫
区熔法生长大磁致伸缩晶体Tb_(0.3)Dy_(0.7)Fe_2
1997年
区熔法生长大磁致伸缩晶体Ｔｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ２郭懋端蒋耀亮杜三庆王旭洪祝向荣（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）ＧｒｏｗｔｈｏｆＭａｇｎｅｔｏｓｔｉｃｔｉｖｅＣｒｙｓｔａｌＴｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ２ｂｙＺｏｎｅＭｅｌｔｉｎｇＴｅｃｈｎｉ...
郭懋端蒋耀亮杜三庆王旭洪祝向荣
关键词：磁致伸缩材料磁性材料稀土磁性材料
TQFP器件的分层开裂和PECVD SiNx薄膜对TQFP器件防水性能的影响
2001年
研究了薄型扁平四面封装 (TQFP)器件在再流焊工艺中的分层开裂过程和 PECVD SiNx薄 膜对器件防水性能的影响。实验发现，水汽含量是引起器件分层开裂的主要原因；银浆与塑封料， 芯片衬垫与塑封料之间的结合面是 TQFP器件的薄弱环节 ,分层现象是由这些部位产生和扩展的。 PECVD SiNx薄膜能有效降低进入 TQFP器件中的水汽含量，在一定程度上消除开裂和分层现象， 并且薄膜越厚，防水效果越好，消除开裂和分层现象的作用也越明显。
赵润涛王旭洪陈翔徐立强
关键词：氮化硅薄膜防水性能PECVD集成电路
稀土巨磁致伸缩材料性能的初步计算分析
郭懋端王旭洪
关键词：压磁材料磁性
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