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p-GaN/p-graded-AlxGal-xN/n-ZnO发光二极管的电致发光: ZnO作为一种宽带隙(3.37eV)半导体材料，在室温下具有较高的激子束缚能(60meV)，现已在发光二极管和激光器件等领域进行了广泛研究.由于缺乏p型ZnO材料，所以通常采用与ZnO结构、带隙宽度相类似的p-GaN制备...; 申人升张赫之梁红伟刘远达柳阳夏晓川杜国同

一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法: 本发明属于半导体材料器件制备技术领域，公开了一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、正面刻蚀区、背面刻蚀区、二氧化硅保护层、肖特基接触电极、欧姆接触电极和金引线电极。正面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表...; 梁红伟王德煜马浩然柳阳张克雄张振中张贺秋张赫之夏晓川

β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器高温电流输运机制的研究: 2025年; 本文成功制备了β-Ga_(2)O_(3)基金属半导体金属(MSM)型日盲紫外光电探测器。在室温下偏压为5 V时,具有高质量外延的器件的响应度达到469.6 mA/W(对应外量子效率(EQE)为229.2%),光暗电流比为5.26×10^(3)。为了研究β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器在高温环境下的潜在应用,对该器件在高温下的电流-电压(I-V)和光响应(I-T)特性进行了测试,分析器件在高温下的载流子输运机制。结果表明:在300~375 K时,器件的暗电流主要由低压下的热离子场发射(TFE)和高压下的普尔-弗兰克发射(PFE)主导,由PFE模型拟合的I-V曲线可知,PFE由导带下的0.200 eV附近的缺陷引起;根据光响应特性拟合结果,得到上升时间拟合活化能为0.280 eV,下降时间拟合活化能为0.036 eV。由分析结果可知,光电流的输运过程如下:光生电子首先被导带下0.200~0.280 eV附近的缺陷能级捕获并通过PFE发射进入到导带产生光电流。光生载流子的复合过程为:光电子更倾向于被导带下的0.036 eV附近的缺陷能级捕获,进而与价带中的光生空穴复合。; 杜桐付俊杰王紫石狄静陶春雷张赫之张琦胡锡兵梁红伟

一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法: 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周...; 夏晓川徐瑞良张振中柳阳张贺秋张赫之张克雄马浩然梁红伟

带有极化诱导电子阻挡层的n-ZnO/p-GaN异质结发光二极管的研究: 近几年n-ZnO/p-GaN异质结的研究引起了人们很大的兴趣,由于未掺杂的ZnO内部存在氧空位(Vo)和间隙锌(Zni)等施主型缺陷,这些缺陷使得p型ZnO薄膜难以制备。所以,现在通常利用p-GaN替代p-ZnO来制作异...; 张赫之; 关键词：ZNO GAN MOCVD; 文献传递

一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统: 本实用新型属于半导体器件测试技术领域，公开了一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统，包括碳化硅探测器、带电粒子源、准直器、铝合金屏蔽盒、真空罐、机械真空泵、电荷灵敏前置放大器、主放大器、低压供电电源、高压...; 梁红伟龙泽张赫之柳阳张克雄马浩然张振中张贺秋夏晓川

感光层厚度对a-GaO_(x)基日盲紫外光电探测器的性能影响研究: 2024年; 为制备高性能日盲紫外光电探测器,采用低温金属有机物化学气相沉积方法制备了非晶氧化镓薄膜。通过对薄膜结构特性测试证明了薄膜的非晶特性,并且薄膜表面较为平坦,光学吸收边位于深紫外波段范围内。在此基础上,研制了日盲紫外光电探测器。随非晶氧化镓感光层厚度由33.2 nm增至133.6 nm,探测器的光电流和暗电流均提升了2个数量级,并且响应度和外量子效率均随感光层厚度提升而增大,探测器的响应度和外量子效率的最大值分别达到2.91 A/W和1419.12%。探测器的厚度依赖特性可归因于界面高缺陷层、光吸收强度以及探测器的几何参数。此外,探测器展现出良好的波长选择性以及时间分辨响应稳定性。; 常鼎钧李赜明张赫之; 关键词：金属有机物化学气相沉积

一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具: 本实用新型属于掩模夹具技术领域，公开了一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，包括掩模夹具本体，其上分为均匀分布的四个镂空方孔和用于可调整图形化掩模位置的镂空滑轨；若干抽屉式掩模，用于实现图形化电极，其上开有用于精细对准...; 梁红伟韩中元张克雄柳阳张振中张贺秋张赫之马浩然夏晓川

一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法: 本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法，包括碳化硅材料、第一直流偏置电压施加层和第二直流偏置电压施加层。碳化硅材料为待表征主体，其表面形状为矩形或正方形；第一直流偏置电压...; 夏晓川王鸿运张贺秋柳阳张赫之张克雄马浩然张振中梁红伟

基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件的温度特性被引量：2: 2020年; 本文制备了基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件,对该器件进行了温度特性I-V曲线测试.器件表现出了良好的二极管特性,随着温度从300 K升高至473 K,势垒高度从1.08 e V上升至1.35 e V,理想因子从1.32降低至1.19,二者表现出了较强的温度依赖特性,这表明器件的肖特基势垒存在势垒高度不均匀的问题.串联电阻随温度升高而降低,这主要是热激发载流子浓度升高导致的.本文利用势垒高度的高斯分布对器件的温度特性进行了修正,修正后的势垒高度为1.54 e V,理查孙常数为26.35 A·cm–2·K–2,更接近理论值,这表明利用高斯分布势垒高度的热电子发射模型能够很好地解释Au/Ni/β-Ga2O3肖特基二极管的I-V温度特性问题,这种方法更适合用来测量β-Ga2O3肖特基二极管的电学参数.; 龙泽夏晓川石建军刘俊耿昕蕾张赫之梁红伟; 关键词：氧化镓肖特基二极管温度特性

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张赫之