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张凯敏
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天津大学
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相关领域:
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田昊
天津大学
李睿
天津大学
赵健
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赵梅
天津大学
董刚
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带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法
本发明提供了一种带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法。可以应用于半导体器件制造技术领域或半导体器件处理技术领域。该半导体石墨烯为单晶,半导体石墨烯的晶畴宽度和长度均大于等于1微米,且生长在碳化硅衬底表面,半...
马雷
张凯敏
田昊
郝路珍
景怡佳
一种由电容耦合互联得到的集成垂直器件及其制备方法
本发明公开了一种由电容耦合互联得到的集成垂直器件及其制备方法:包括石墨烯场效应管、碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管,石墨烯场效应管和碳化硅肖特基二极管附着碳化硅衬底Si面和C面;石墨烯场效应管包括源漏电极、栅绝缘层、栅极、...
马雷
李睿
张真真
张凯敏
纪佩璇
一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域,公开了一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法,该半导体石墨烯为单层且均匀生长,半导体石墨烯的晶畴宽度可达500微米,长度为亚厘米量级,室温迁移率至少达到4500cm<Sup>2</Sup>/...
马雷
赵健
李雅奇
边博岳
李睿
张凯敏
纪佩璇
一种半导体石墨烯-准悬浮石墨烯全碳结构及其制备方法
本发明属于碳基器件技术领域,公开了一种半导体石墨烯‑准悬浮石墨烯全碳结构及其制备方法,先在SiC衬底表面制备半导体石墨烯;然后在半导体石墨烯的局部区域,通过氢插层、电子束直写、聚焦离子束、激光诱导或原子力显微镜针尖加热制...
马雷
李睿
张凯敏
田昊
赵健
李雅奇
基于电子束图案化还原氧化石墨烯温度传感器及制备方法
本发明属于纳米传感器技术领域,公开了一种基于电子束图案化还原氧化石墨烯温度传感器及制备方法,温度传感器包括温敏层、电极层和支撑层;由聚焦的高能电子束对氧化石墨烯薄膜进行图案化还原,得到还原氧化石墨烯薄膜作为温敏层;电极层...
马雷
郝路珍
张凯敏
马彦青
以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法
一种以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法,所述可控生长方法是在非极性晶面SiC衬底的任意角度的非极性晶面上外延生长单层石墨烯,由此利用所述非极性晶面对石墨烯的电输运性质进行调控;通过所述可控生长方法能够在所...
马雷
沃尔特·亚历山大·德斯海尔
纪佩璇
张凯敏
赵健
赵梅
带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法
本发明提供了一种带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法。可以应用于半导体器件制造技术领域或半导体器件处理技术领域。该半导体石墨烯为单晶,半导体石墨烯的晶畴宽度和长度均大于等于1微米,且生长在碳化硅衬底表面,半...
马雷
张凯敏
田昊
郝路珍
景怡佳
一种由电容耦合互联得到的集成垂直器件及其制备方法
本发明公开了一种由电容耦合互联得到的集成垂直器件及其制备方法:包括石墨烯场效应管、碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管,石墨烯场效应管和碳化硅肖特基二极管附着碳化硅衬底Si面和C面;石墨烯场效应管包括源漏电极、栅绝缘层、栅极、...
马雷
李睿
张真真
张凯敏
纪佩璇
一种超大单晶畴准悬浮石墨烯及其制备方法
本发明属于外延石墨烯技术领域,公开了一种超大单晶畴准悬浮石墨烯及其制备方法,先在SiC衬底表面制备半导体石墨烯;然后将半导体石墨烯通过氢插层制备为准悬浮石墨烯。本发明首先直接在绝缘衬底上生长使得石墨烯单晶尺寸宽度扩展至5...
马雷
李睿
纪佩璇
张凯敏
田昊
赵健
李雅奇
量子芯片及其制备方法
本发明提供了一种量子芯片及其制备方法。量子芯片包括衬底、超导量子比特、偏置层和激励层。超导量子比特设置在衬底上,超导量子比特包括并联两个约瑟夫森结。两个约瑟夫森结中的至少之一包括第一超导层;第二超导层与第一超导层在高度方...
马雷
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