胡慧芳
- 作品数：22 被引量：67H指数：5
- 供职机构：湖南大学信息科学与工程学院（软件学院）微纳光电器件及应用教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程更多>>
- 氮掺杂对单壁碳纳米管的非平衡电子输运特性的影响
- 2007年
- 利用结合了非平衡格林函数的第一性原理的局域密度泛函理论,研究了氮原子取代掺杂单壁碳纳米管的输运特性.计算结果表明,不同构形和不同数目的氮原子掺杂对(8,0)单壁碳管的输运性能有复杂的影响.研究发现,氮原子的掺杂提高了半导体型碳管的输运性能,电流-电压曲线呈非线性变化.对于浓度相同的氮掺杂,原胞内最近邻氮原子间距极大地影响了碳管的输运性能.因此,基于掺杂管的分子器件的设计中很有必要考虑这些因素.
- 韦建卫胡慧芳曾晖王志勇王磊张丽娟
- 关键词：单壁碳纳米管氮掺杂输运特性
- 硼、氮掺杂手性碳纳米管的电子学和输运特性
- 应用基于第一性原理的密度泛函理论和非平衡格林函数方法，对硼原子和氮原子取代掺杂的手性单壁碳纳米管的电子学和输运特性进行了研究。分析表明，不同构形的硼原子和氮原子掺杂对（6，3）单壁碳纳米管的电子学和输运性能有很复杂的影响...
- 魏燕胡慧芳王志勇贾金凤
- 关键词：电子学
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- 花状硫化铜级次纳米结构的制备及可见光催化活性
- 胡慧芳赵娟
- 含氮SW缺陷对单壁碳纳米管电子结构和光学性质的影响被引量：3
- 2011年
- 应用第一性原理密度泛函理论研究了单壁碳纳米管中Stone-Wales(SW)缺陷和氮掺杂情况下的电子结构和光学性质.研究发现,含氮SW缺陷单壁碳纳米管体系的总能降低,结合更稳定,且在费米能级附近出现一条半满的杂质带,并且随着氮掺杂位置的不同,掺杂能态出现显著差异.碳管的吸收和反射明显减弱且吸收峰和反射峰在低能区发生红移现象,在能量小于11eV附近均出现杂质特征峰.本文对计算结果进行了分析研究,可望为含氮SW缺陷碳管在光电材料中的应用提供理论依据.
- 张丽娟胡慧芳王志勇陈南庭谢能林冰冰
- 关键词：单壁碳纳米管氮掺杂光学性质
- 补偿型共掺杂ZnS电子特性的第一性原理计算被引量：1
- 2018年
- 基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对ZnS(Cu,Cl、Br、I)共掺杂体系的晶格结构和电子性质进行了研究。结果表明,相对于单掺杂ZnS体系,补偿型的共掺ZnS体系形成能更低,更有利于提高可见光的催化效率,且由于p-d电子排斥效应使价带向高能方向展宽,而Cu的3p态与非金属原子的杂质态使导带底下移,从而使共掺杂ZnS体系的能带带隙变窄,尤其是CuZnBrS-ZnS带隙值减少了30%,从而延伸吸收边界到可见光区域。且CuZnBrS-ZnS中m*e/m*h相对较大,降低了电子-空穴对重组率,提高了量子效率。最后对补偿型共掺ZnS电子结构进行了讨论。
- 王晓伟乔士柱李淑青胡慧芳
- 关键词：电子性质第一性原理
- B/N掺杂类直三角石墨烯纳米带器件引起的整流效应被引量：3
- 2015年
- 基于密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,研究了硼(氮)非对称掺杂类直三角石墨烯纳米带器件的电子输运性能.计算结果表明:单个硼或氮原子取代类直三角石墨烯纳米带顶点的碳原子后,增强了体系的电导能力,并且出现了新颖的整流效应.分析表明:这是由于硼氮掺杂类直三角石墨烯纳米带器件在正负偏压下分子能级的移动方向和前线分子轨道空间分布的不对称而产生的.最重要的是,当左右类直三角石墨烯纳米带的顶端原子同时被硼和氮掺杂后,体系的整流效应显著增强,而且出现负微分电阻效应.
- 陈鹰胡慧芳王晓伟张照锦程彩萍
- 关键词：分子器件输运特性
- 含Stone-Wales缺陷zigzag型石墨烯纳米带的电学和光学性能研究被引量：4
- 2011年
- 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对zigzag型石墨烯纳米带中含有不同Stone-Wales缺陷的电子结构特性和光学性能进行研究.考虑了两种模型:不计电子自旋和考虑电子自旋的情况.研究发现:不计电子自旋情况下,含对称Stone-Wales缺陷的石墨烯纳米带在缺陷区域出现了凹凸不平的折皱构型,两种不同的Stone-Wales缺陷都引起了电荷的重新分布.考虑电子自旋时,Stone-Wales缺陷的引入对石墨烯纳米带自旋密度有显著影响,也引起了不同自旋的电子态密度的变化.进一步研究了纳米带的光学性能,发现引入不同的Stone-Wales缺陷使得吸收和反射谱发生了较大变化,其峰位发生了红移.
- 王志勇胡慧芳顾林王巍贾金凤
- 关键词：石墨烯纳米带电子结构光学性能
- 边缘裁剪石墨烯纳米带的电子输运性质研究被引量：5
- 2014年
- 运用第一性原理的密度泛函理论,结合非平衡格林函数,研究了边缘裁剪对Zigzag石墨纳米带(ZGNRs)的电子结构与输运性能的影响。计算结果表明,对Zigzag石墨纳米带边缘的裁剪显著影响了体系的电子输运性能。其中,边缘裁剪使得金属型石墨纳米带的能隙打开,而且随着结构中的Zigzag边缘长度减少,能隙逐渐增大,使得体系由金属型向半导体型转变;同时,边缘裁剪使Zigzag金属型石墨烯纳米带的输运性能降低,电流-电压呈非线性变化,尤其对于M3体系而言,边缘的裁剪使体系表现出很好的开关特性.
- 王晓伟胡慧芳张照锦程彩萍
- 关键词：石墨烯电子性质
- 花状硫化铜级次纳米结构的制备及可见光催化活性研究被引量：14
- 2013年
- 本实验以氯化铜(CuCl2·2H2O)和二硫化碳(CS2)为原料,以乙二醇(C2H6O2)为溶剂,通过溶剂热法成功制备了具有可见光活性的花状硫化铜(CuS)级次纳米结构.并利用X射线粉末衍射技术(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等技术对其进行了表征,利用紫外可见吸收光谱(Uv-vis)分析了其光学性能,并以甲基橙为目标降解物对其可见光催化活性进行了研究.结果表明:花状CuS级次纳米结构具有很高的可见光催化活性,与体相CuS粉末相比有很大的提高,在自然光照射下对甲基橙的降解率可以达到100%.同时本文对花状级次纳米结构的形成机理进行了分析.
- 赵娟胡慧芳曾亚萍程彩萍
- 关键词：硫化铜溶剂热光催化
- 拓扑缺陷的不同分布对单壁碳纳米管电学性能的影响被引量：2
- 2004年
- 在紧束缚近似基础上,利用扩展的Su Schriffer Heeger(SSH)模型,在实空间研究了在完整的"zigzag"碳纳米管中分别引入5 7,5 6 7,5 6 6 7拓扑缺陷所构成的(9,0) (8,0),(9,0) (7,0)和(9,0) (6,0)三种异质结的电学性能.通过研究表明:这些拓扑缺陷不仅改变碳管的直径,而且支配费米能级附近的电学行为.并计算了(9,0) (8,0),(9,0) (7,0)和(9,0) (6,0)系统的电子态密度,对这3种异质结的能带结构和电子态密度进行了比较.结果表明:五边形和七边形在碳管中分布的不同对碳管电学性能的影响明显不同.因此,可以研制出基于这些异质结的不同的电子器件基元.
- 胡慧芳张丽芳汪小知梁君武
- 关键词：碳纳米管异质结拓扑缺陷电子态密度
