杨安丽
- 作品数：9 被引量：5H指数：1
- 供职机构：青岛科技大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 氧化锌纳米棒、纳米管二维阵列及多形态氧化锌纳米材料的制备与表征
- 本课题就采用简单的湿化学法合成了几种氧化锌纳米材料。采用X射线衍射仪、场发射扫描电镜、X射线能谱仪、透射电镜及荧光光谱仪对所得产物进行了结构表征分析及光学性能测试。主要有以下几个方面的工作： 1.氧化锌种子法制备氧化锌纳...
- 杨安丽
- 关键词：氧化锌纳米材料
- 文献传递
- 生长氧化锌薄膜材料的方法
- 一种生长氧化锌薄膜材料的方法，包括：选用硅单晶基片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；选用甲醇作为氧源，二乙基锌作为锌源；将清洗过的硅衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空后再充氮气升压，如此反复两次，以排净...
- 王振华刘祥林杨少延杨安丽
- 文献传递
- 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法
- 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非...
- 郑高林杨安丽宋华平郭严魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
- 文献传递
- 一种二元金属壳层结构微米纳米粒子批量制备方法
- 本发明公开了一种二元金属壳层结构微米纳米粒子批量制备方法，在专用设备真空室中，将作为内核结构的高熔点贱金属板块放在阳极平面板上，再将作为壳结构的低熔点贵金属薄片放在高熔点金属板块上面；将真空室抽真空后，充入氩气和氢气，用...
- 杜芳林谢广文于立岩董红周王莉杨安丽王兆波李桂村蔺玉胜陈光岭白强陈克正张志焜崔作林
- 文献传递
- 载气流量对氧化锌纳米棒阵列的影响(英文)
- 2008年
- 本文研究了在金属有机化学气相沉积法(MOCVD)生长过程中,锌(Zn)源和氧(O)源载气流量的改变对ZnO纳米棒阵列的影响。通过改变源材料载气的流量,得到了直径从150nm到20nm范围、均一性明显改善的ZnO纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射图谱(XRD),拉曼光谱(Raman)和光致荧光光谱(PL)等测试手段对样品的形貌结构和光学特性进行了表征。SEM和XRD结果表明当Zn源和O源的载气流量均为1SLM时,所得的纳米棒直径最均匀,排列整齐,垂直于衬底生长,且结晶度最好。PL谱显示纳米棒的紫外带边峰发生了蓝移,可能与表面效应的增加有关。
- 蔡芳芳魏鸿源范海波杨安丽张攀峰刘祥林
- 关键词：氧化锌纳米棒MOCVD形貌
- MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响(英文)被引量：1
- 2010年
- 利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600℃。薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量。研究表明:随着生长温度的降低,在X射线衍射图谱中氧化锌(101)峰取代了(002)峰成为了主峰。这可能是由于温度过低使得甲醇未完全分解,而甲醇分子抑制了氧化锌沿c轴极性过快的生长所致。室温光致发光光谱结果表明在较高生长温度下获得的样品具有良好的光学性质,发光强度随着温度的降低而降低。
- 王振华杨安丽刘祥林魏鸿源焦春美朱勤生杨少延王占国
- 关键词：ZNO甲醇MOCVD生长温度
- 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法
- 一种掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法，包含以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；步骤2：用氢气或者氮气作为载气，在衬底上生长一低温III族氮化物缓冲层...
- 宋华平杨安丽郭严魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
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- 在二氧化钛修饰的基体上生长氧化锌纳米棒阵列的研究被引量：4
- 2006年
- 以硝酸锌和六亚甲基四胺为主要原料,采用简单、低温的水热法在预先用金红石二氧化钛薄膜修饰过的硅基体上生长了高取向性的ZnO纳米棒阵列．运用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对产物的结构和形貌进行了表征．并且讨论了溶液浓度对ZnO形貌的影响．测试结果表明,在0．025mol／L的Zn(NO3)2·6H2O和C6H12N4水溶液中70℃反应4h后的ZnO纳米棒的平均直径为100nm,平均长度为1μm,属于六方纤锌矿结构且沿c轴择优取向生长．并且对制备出的ZnO纳米棒阵列薄膜进行了室温下的荧光测试,发现ZnO纳米棒阵列膜在389nm处具有很强的紫外发射峰,在466nm处有一个比较弱的发射峰．
- 杨安丽崔作林
- 关键词：ZNO纳米棒阵列TIO2薄膜水热法
- 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法
- 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非...
- 郑高林杨安丽宋华平郭严魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
