李明
- 作品数:26 被引量:21H指数:3
- 供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金:武器装备预研基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种用于FPGA结构设计的系统及其方法
- 本发明公开了一种用于FPGA结构设计的系统及其方法,属于微电子领域中集成电路设计和电子设计技术领域。该系统包括结构参数编辑模块、详细结构生成模块、局部结构调整模块和全自动结构评估模块。本发明能降低FPGA结构设计的复杂度...
- 张峰李艳陈亮李明于芳
- 文献传递
- FPGA结构设计方法及EDA工具被引量:3
- 2013年
- 针对当前FPGA结构设计方法灵活度低、容易出错、自动化程度不够高的现状,提出一种FPGA结构设计方法.根据这种方法实现了EDA工具VA.VA使用GUI编辑结构描述文件,具有使用结构描述文件自动生成FP-GA详细结构的功能,并通过在GUI中局部调整FPGA结构来实现设计异质型布线结构的功能.VA将FPGA结构设计和结构评估功能集成在一起,提供了全自动的评估流程.借助VA,成功设计出一款自主研发的FPGA芯片VS1000,设计过程和结果证明了VA的高效性和正确性.
- 张峰李艳陈亮李明于芳
- 关键词:现场可编程门阵列用户图形界面
- 基于SRAM的FPGA导航布局布线方法实现与应用被引量:4
- 2012年
- 针对现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)芯片验证和测试,提出一种导航布局布线方法.该方法可生成用于FPGA芯片测试的布局布线结果,将其应用于自主研发的辐射加固SOI(silicon-on-insulator)工艺的FPGA芯片VS1000的测试.结果表明,该方法能达到85%的测试覆盖率.对部分漏端路径指定线网的布线,提出考虑指定路径影响的布线方法.结果表明,相对直接忽略指定路径漏端的布线方法,该方法平均可减少22.6%的迭代次数和20.9%的关键路径延时.
- 陈亮李艳李明于芳刘忠立
- 关键词:微电子学布线导航FPGA测试模拟退火算法路径搜索算法
- Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性
- 2003年
- 对普遍采用的氧化硅 /氮化硅 /氧化硅 ( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析 ,研究了 ONO的漏电特性以及顶氧 ( top oxide)和底氧 ( bottom oxide)的厚度对 ONO层漏电的影响 .结果表明 ,采用较薄的底氧和较厚的顶氧 ,既能保证较高的临界电场强度 ,又能获得较薄的等效氧化层厚度 ,提高耦合率 ,降低编程电压 .
- 欧文李明钱鹤
- 关键词:快闪存储器F1ASH漏电
- 一种现场可编程门阵列芯片布局方法
- 本发明提供一种现场可编程门阵列芯片布局方法,包括步骤:提供现场可编程门阵列芯片的结构信息和打包之后生成的逻辑模块的网表信息;根据所述逻辑模块的网表信息建立布线资源图;根据所述逻辑模块的结构信息和布线资源图建立所有模块位置...
- 李明李艳于芳
- 文献传递
- 具有MUX模式的LUT结构及与其相配套的EDA优化方法
- 本发明公开了一种具有多路选择器模式的查找表结构结构及与其相配套的EDA优化方法。本发明是在传统LUT结构的基础上经过微小改动,复用传统LUT结构中天然存在的4选1MUX来提高实现MUX的逻辑利用率并减小电路延迟。本发明中...
- 郭旭峰李明于芳
- 文献传递
- 一种用于FPGA的跨平台多层次集成设计系统
- 本发明公开了一种用于FPGA的跨平台多层次集成设计系统,该系统包括用户图形界面模块、FPGA芯片生成模块、FPGA设计模块、FPGA系统应用模块和FPGA验证模块,其中用户图形界面模块用于将FPGA芯片生成模块、FPGA...
- 张峰于芳李艳韩小炜李明张倩莉陈亮吴利华张国全刘贵宅郭旭峰杨波赵岩王剑李建忠刘忠立陈陵都
- 文献传递
- 岛式FPGA手动布局布线的实现
- 2012年
- 针对一款岛式FPGA芯片VS1000开发了布局布线工具VA,并实现了图形界面。为了使得FPGA芯片能够更灵活地满足实际电路设计的需求及实现用户对电路的人为控制,在VA中加入了手动布局布线功能,使得使用者可以灵活地移动逻辑单元,逻辑模块及其他模块并实现局部布线功能。
- 李明李艳陈亮于芳刘忠立
- 关键词:现场可编程门阵列布线图形用户界面
- 一种现场可编程门阵列芯片布局方法
- 本发明提供一种现场可编程门阵列芯片布局方法,包括步骤:提供现场可编程门阵列芯片的结构信息和打包之后生成的逻辑模块的网表信息;根据所述逻辑模块的网表信息建立布线资源图;根据所述逻辑模块的结构信息和布线资源图建立所有模块位置...
- 李明李艳于芳
- 文献传递
- 一种用于EUV反射薄膜的沉积腔室及薄膜沉积设备
- 本发明公开一种用于EUV反射薄膜的沉积腔室及薄膜沉积设备,涉及半导体工艺设备领域,以解决薄膜沉积工作中无法实现对大面积样片的覆盖均匀性问题。沉积腔室包括:腔体设有进样口,用于将待加工样片放入腔体内;样品台设于腔体内的底部...
- 权业浩屈芙蓉夏洋明帅强李明陶晓俊何萌王欣