张锡健
- 作品数：31 被引量：138H指数：6
- 供职机构：山东大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 采用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上生长β-Ga2O3薄膜
- 采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上直接沉积β-Ga2O3薄膜。通过X射线衍射光谱(XRD),原子力显微镜(AFM)和傅立叶红外吸收光谱(FT-IR) 研究了β-Ga2O3薄膜的生长和结构与退火温度之间的关系。实验结...
- 肖洪地马洪磊杨光马瑾林兆军宗福建张锡健栾彩娜
- 关键词：射频磁控溅射温度
- 文献传递
- 退火对FeZrBNb薄膜磁特性和巨磁阻抗效应的影响
- 2009年
- 用射频溅射法制备了FeZrBNb软磁合金薄膜,研究了不同退火方式对薄膜磁特性和巨磁阻抗效应的影响。结果表明,退火能改善薄膜的软磁性能,使其矫顽力由0.5kA.m-1降到了0.09kA.m-1,横向和纵向有效磁导率都有所提高。退火也能明显提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,加磁场退火的薄膜样品在13MHz下纵向和横向最大巨磁阻抗比分别为2.6%和1.7%。
- 袁慧敏王文静张锡健
- 关键词：铁基合金巨磁阻抗效应掺杂
- 退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响
- 2004年
- 采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：AFMXRD退火
- 退火温度对低温生长Mg_xZn_(1-x)O薄膜光学性质的影响被引量：1
- 2006年
- 用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0·16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：射频磁控溅射退火
- 一种刀具表面涂层的制备方法及制备得到的涂层
- 本发明公开了一种刀具表面涂层的制备方法及制备得到的涂层，1)对刀具的表面进行清洁；2)在刀具的表面溅射CrN涂层，靶材为CrN合金；3)在溅射有CrN涂层的刀具表面溅射CrAlSiN涂层，靶材为CrAlSiN合金，溅射环...
- 张磊周洋张锡健
- 文献传递
- 薄膜厚度对ZnO∶Ga透明导电膜性能的影响被引量：43
- 2005年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。薄膜的最低电阻率为 3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。
- 余旭浒马瑾计峰王玉恒张锡健程传福马洪磊
- 关键词：磁控溅射ZNO:GA薄膜厚度光电性质
- 一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法
- 本发明涉及一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，具体是指，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层。在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层，一方面很大程度地将薄膜半导体晶体管与外界空气隔离，极大地减少...
- 张锡健张炳磊宋爱民
- 文献传递
- 射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的绿光发射被引量：23
- 2004年
- 用射频磁控溅射法 ,在硅衬底上制备出具有良好的 (0 0 2 )择优取向的多晶ZnO薄膜。研究了室温下薄膜的光致发光特性 ,观察到显著的单绿光发射 (波长为 5 1 4nm)峰。在氧气中 830℃高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,绿光发射峰强度变弱 ;在真空中 830℃高温退火后 ,绿光发射峰强度增加。
- 王卿璞张德恒马洪磊张兴华张锡健
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射
- 二氧化锡纳米线的生长机理研究被引量：1
- 2007年
- 使用水平石英管式电炉，以二氧化锡和石墨的混合物为原材料、高纯氮气为载气，在850℃温度下用直接热蒸发法制备二氧化锡纳米线．衬底硅片的直径为10mm，其上覆盖一层5nm厚的金催化剂．原材料放在石英舟中，离原材料30mm的下风口处放置硅衬底，原材料和硅衬底都放置在石英管的中部电炉的恒温区内．用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）观察到二氧化锡的纳米线结构；X射线衍射（XRD）表明二氧化锡纳米线具有四方金红石结构；选区电子衍射（SAED）照片表明二氧化锡纳米线具有完善的晶体结构．不同生长时间下制备样品的扫描电子显微镜和透射电子显微镜照片再现了二氧化锡纳米线的生长过程，该纳米线的生长符合传统的VLS生长机制．
- 宗福建李立君崔晓东马洪磊马瑾张锡健计峰肖洪地
- 关键词：二氧化锡纳米线
- ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(00...
- 余旭浒马瑾计峰王玉恒宗福建张锡健程传福马洪磊
- 关键词：磁控溅射ZNO:GA光电特性
- 文献传递
