吕玲
- 作品数：59 被引量：36H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学金属学及工艺更多>>
- 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层...
- 习鹤朱伟佳张春福吕玲曹艳荣
- 文献传递
- SiGe HBT单粒子效应关键影响因素数值仿真
- 2022年
- 针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体三维器件数值仿真工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究SiGe HBT单粒子效应的损伤机理,以及空间极端环境与器件不同工作模式耦合作用下的单粒子效应关键影响因素。分析比较不同条件下离子入射器件后,各端口瞬态电流的变化情况,仿真实验结果表明,不同工作电压下,器件处于不同极端温度、不同离子辐射环境,其单粒子瞬态的损伤程度有所不同,这与器件内部在不同环境下的载流子电离情况有关。
- 张晋新郭红霞吕玲王信潘霄宇
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应极端环境数值仿真
- 一种增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法
- 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件的实现方法，它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低，工艺简单，重复性好，可靠性高，对材料损伤小，可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEMT器件。本发明通...
- 张进城郑鹏天郝跃董作典王冲张金风吕玲秦雪雪
- 文献传递
- 基于无掺杂有机空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
- 本发明公开了一种基于无掺杂有机空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，本发明利用化合物2TPATPE作为钙钛矿太阳能电池的空穴传输层，该材料具有高透光率和较好的成膜性，其螺旋桨状的分子构型可以有效抑制光活性层与空穴传输层...
- 习鹤马晓华吕玲郝跃郑晶静袁梦囝
- 文献传递
- p-GaN ICP刻蚀损伤研究被引量：1
- 2007年
- 运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均方根粗糙度在1.2nm以下.结果还显示,已刻蚀p-GaN材料的电特性与物理表面形貌没有直观联系,刻蚀后欧姆接触特性变差更多地是因为刻蚀中浅施主能级的引入,使表面附近空穴浓度降低所致.
- 龚欣吕玲郝跃李培咸周小伟陈海峰
- 关键词：GAN感应耦合等离子体刻蚀等离子体损伤
- 基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法
- 本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、Al<Sub>x</Su...
- 张进成杜金娟许晟瑞吕玲郝跃李培咸陶鸿昌林志宇张金风
- 文献传递
- HEMT器件质子辐射效应仿真
- 2022年
- GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有抗高频、耐高温、大功率、抗辐射等特性,在核反应堆、宇宙探测等辐射环境中具有广阔的应用前景。借助SRIM软件仿真1.8 MeV质子辐射对不同AlGaN势垒层纵向尺寸下的常规耗尽型器件内部产生空位密度的影响,并观察空位密度随深度的变化规律。在最优AlGaN势垒层厚度条件下,通过仿真对比5种不同栅氧层材料的MIS-HEMT器件,发现氮化铝(AlN)栅氧层材料具有相对较好的抗辐射效果。
- 马毛旦曹艳荣曹艳荣王志恒任晨张龙涛吕玲吕玲郑雪峰
- 关键词：GAN材料HEMT器件
- 浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法
- 本发明公开了一种浮空型漏场板电流孔径器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧...
- 毛维边照科王海永郝跃马晓华杨眉吕玲祝杰杰
- 圆形电容结构的HEMT器件沟道区电场分布测量结构和方法
- 本发明公开了一种HEMT器件沟道区电场分布测试图形及其制备方法、测试方法，应用于圆形电容结构的HEMT器件，主要解决现有技术不能对HEMT器件沟道电场强度分布进行测量的的问题。其实现方案是：在待测HEMT器件上制作辅助测...
- 郑雪峰马晓华龚星星张豪王冲吕玲马佩军郝跃
- 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层...
- 习鹤朱伟佳张春福吕玲曹艳荣
- 文献传递
