肖志强
- 作品数：42 被引量：58H指数：5
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 互联裸芯的片间互联旁路系统及其通信方法
- 本发明涉及互联裸芯的片间互联旁路系统及其通信方法。互联裸芯的片间互联旁路系统，包括设置在互联裸芯内部的旁路通路、第一旁通控制器和第二旁通控制器，第一旁通控制器分别与互联裸芯的第一同步控制器和裸芯网络连接，第二旁通控制器分...
- 魏敬和黄乐天肖志强曹文旭鞠虎高营
- 文献传递
- 一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺
- 本发明涉及一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，并所述衬底表面形成第一二氧化硅层；b、在上述第一二氧化硅层上设置复合材料层；c、对上述复合材料层进行刻蚀，形成场区隔离结构；d、淀积多晶硅，通过...
- 吴建伟肖志强高向东洪根深
- 文献传递
- 一种基于有限差分格式的瞬态电磁-热耦合数值计算方法
- 本发明公开一种基于有限差分格式的瞬态电磁‑热耦合数值计算方法，属于集成电路技术与计算物理学的交叉领域。本发明的计算方法面向系统级封装的实际需求，利用交替方向隐式的有限差分格式，在时域内耦合求解电磁场和温度场的状态方程，并...
- 王辂肖志强曾燕萍孟祥冬顾廷炜
- 减小VDMOS密勒电容和反向恢复电荷的研究被引量：10
- 2005年
- 提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOSFET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%,显示出很好的QgdRds(on)改善性能;同时,反向恢复电荷减少了40.76%。
- 肖志强向军利衡草飞陈林曾天志陈万军张波
- 关键词：VDMOSFET栅电荷导通电阻
- SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应
- 2012年
- 采用0.6μm SOI SONOS工艺技术平台研制了0.6μm SOI SONOS EEPROM管,分析其擦写特性。辐射前,SONOS EEPROM管的阈值窗口电压为5.04 V。利用Co-60γ源研究存储管的电离总剂量辐射特性,给出了SONOS EEPROM管擦除态、编程态的Id-Vg曲线及阈值窗口随辐射总剂量的变化关系,在辐射总剂量达到500 Krad(Si)时,EEPROM管仍有0.7 V的阈值窗口,可以实现存储电路的设计,并对总剂量辐射引起存储管阈值漂移的机理进行了探讨。
- 陈正才徐大为肖志强高向东洪根深徐静周淼
- 关键词：SONOSEEPROM器件绝缘体上硅
- 抗辐射数字电路加固技术研究被引量：5
- 2012年
- 文章对电路抗辐射的机理进行了研究,提出了几种提高数字电路抗辐射能力的方法:通过工艺控制减小辐射后的背栅阈值电压漂移,通过版图增加体接触、采用环型栅等结构提高单元的抗辐射能力,通过对电路关键节点的加固提高整体电路的抗辐射能力。为了验证加固方法的可靠性,设计了一款电路进行抗总剂量、抗瞬态剂量率、抗中子辐射、抗单粒子辐射等多种试验。通过辐照试验结果可以看到,采用抗辐照方法设计的电路具有较强的抗辐照能力,为今后抗辐照电路的研制和开发奠定了坚实的基础。
- 徐大为徐静肖志强高向东洪根深陈玉蓉周淼
- 关键词：抗辐射SOI总剂量
- 互联裸芯与MPU的接口系统及其通信方法
- 本发明涉及互联裸芯与MPU的接口系统及其通信方法。互联裸芯与MPU的接口系统包括：数据接口、中断接口和调试接口；数据接口包括SPI接口、DDR数据接口和DMA控制接口，SPI接口用于MPU在启动阶段的自主启动，DMA控制...
- 魏敬和黄乐天肖志强冯敏刚丁涛杰郑利华
- 文献传递
- 互联裸芯的时钟域系统及其管理方法
- 本发明涉及芯片的时钟管理，尤其是互联裸芯的时钟域系统及其管理方法。互联裸芯的时钟域系统，包括：全局时钟域、均与所述全局时钟域连接的标准协议接口时钟域和跨裸芯接口源同步时钟域；所述全局时钟域用于管理互联裸芯内部的裸芯级网络...
- 魏敬和黄乐天肖志强王小航冯敏刚刘德
- 新型功率半导体器件体内场关键技术与应用
- 张波李泽宏乔明肖志强方健王卓罗小蓉杜秋平卢世勇李肇基
- 功率半导体技术是电子科技大学微电子领域的特色学科方向，张波教授团队长期专注于功率半导体技术领域的学术研究和产品开放，在该方向的研究中，为解决高压功率集成技术的纵向耐压以及中国受限于国外在高端功率半导体技术方面的垄断问题，...
- 关键词：
- 关键词：功率半导体器件功率集成电路
- SOI SONOS EEPROM总剂量辐照阈值退化机理研究被引量：2
- 2011年
- 阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOISONOSEEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施.
- 李蕾蕾于宗光肖志强周昕杰
- 关键词：SONOSEEPROMSOI辐照
