王舒民
- 作品数：19 被引量：25H指数：2
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅰ)被引量：2
- 1995年
- 回顾了Ⅲ—Ⅴ氮化物材料和GaN-based蓝光LED的研究状况及近期的重大进展,分成两部分先后在本刊发表,首先简要地概述了GaN及其有关化合物的晶体生长技术,较为详细地讨论了衬底选择和外延层的晶体结构。
- 张国义刘弘度王舒民
- 关键词：氮化镓MOCVD晶体结构
- LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜被引量：1
- 1996年
- 报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线回摆曲线（ＸＲＣ）和室温光致荧光（ＰＬ）谱等技术对外延层的晶体质量、完整性和发光特性进行了分析。发现ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系统中保持适当的压应力有助于提高外延层的晶体完整性，减少非故意掺杂杂质的引入，能改善外延层的发光特性。
- 童玉珍张国义徐自亮党小忠杨志坚金泗轩刘弘度王舒民
- 关键词：半导体薄膜金属有机物化学汽相淀积
- InP中皮秒快速现象被引量：1
- 1996年
- 利用测量瞬态反射谱的方法，探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的ＩｎＰ中载流子寿命。观察到非掺杂ＩｎＰ中载流子寿命最长约６０ｐｓ；掺锌Ｉｎｐ中载流子寿命３８Ｐｓ居中；掺硫和掺铁的寿命最短约１ｐｓ。掺硫、铁和锌的ＩｎＰ中载流子寿命下降，是由于掺杂引入了复合中心。这一结果已被喇曼光谱所证实。
- 陈尾兮焦鹏飞朱春曜王舒民邹英华夏宗炬袁平王晶晶
- 关键词：半导体材料
- 快速热退火提高应变InAs／InP量子阱结构的晶体质量被引量：1
- 1996年
- 研究了快速热退火对应变ＩｎＡＳ／ＩｎＰ单量子阱（ＳＱＷ）结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃ｔ，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度增加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５５ｍｅＶ。而且，发现在样品中的深辐射能级的荧光效率也受到快速热退火的影响。实验结果证明快速热退火能大大改进生长以后的应变量子阱结构的晶体质量，而且是提高激光器件特性的一个重要途径。
- 邢启江章蓓王舒民
- 关键词：半导体量子阱结构快速热退火晶体质量
- 半导体中法诺态及其相应的光谱特性——半导体Ⅱ类量子阱中能带结构
- 1999年
- 把量子统计的密度矩阵理论与电子的统计分布行为相结合，克服了发散困难，首次成功地处理了连续谱与连续谱之间的组态相互作用。得出能够针对半导体Ⅱ类量子阱中能谱结构特点的法诺态及其相应的吸收谱和发射谱结构。结果表明，这些特性都在一定程度上是可控的，因此通过适当的设计完全可以在半导体Ⅱ类量子阱中实现无粒子数反转的增益。
- 郭九苓王舒民陈水莲郭长志
- 关键词：半导体激光器
- 从全量子理论看在半导体中实现无反转增益的一个可能方案被引量：1
- 1997年
- 从全量子理论出发，比较深入地分析了在Ⅱ类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制，量子阱层导带Γ－能谷和势垒层导带Ｘ－能谷混合形成的量子相干法诺态的能谱结构，及其对光吸收几率的法诺量子干涉效应，法诺态的能谱结构和真空场量子起伏引起的自发辐射对受激光增益过程的影响，为利用这种机理制成半导体量子阱无反转激光器提供理论依据。
- 郭九苓王舒民郭长志陈水莲
- 关键词：半导体激光器半导体量子阱
- 半导体Ⅱ-类量子阱中法诺态的结构和自发辐射对无粒子数反转光增益过程的作用被引量：1
- 1998年
- 从全量子理论出发，进一步系统深入地分析了在Ⅱ－类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制，量子阱层导带Γ－能谷和势垒层导带Χ－能谷混合形成的量子相干法诺态的能谱结构，及其对光吸收几率的法诺量子干涉效应，首次探讨了法诺态的能谱结构和真空场量子起伏引起的自发辐射对受激光增益过程的影响。
- 郭长志陈水莲郭九苓王舒民
- 关键词：半导体量子阱激光器
- InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究
- 2000年
- 为了实现半导体微盘激光器的单模面发射 ,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层 ,GaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀 ,可以对不同的角模式进行有选择的增益 ,由此实现选模。用有效增益因子加电介质盘的模型对实际微盘结构进行简化 ,并根据此模型计算微盘内的场分布和盘外的远场分布 ,并进一步计算有效增益因子。分析表明 ,这种结构能够实现m =1角模式的面发射。
- 谢成城王舒民
- 关键词：微盘激光器面发射多量子阱INGAN
- Er离子在InP、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰被引量：2
- 1993年
- 分别在InP、GaAs和Si中以7×10^(14)和1×10^(15)cm^(-2)的剂量进行Er离子注入,并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光(PL)、反射式高能电子衍射(RHEED)和卢瑟福背散射(RBS)实验研究表明,上述样品中Er^(3+)离子特征发光的中心波长均出现在1.54μm处,其中InP的发光峰最强,而注入损伤的恢复是影响Er^(3+)发光的重要因素之一。RBS分析进一步证实退火后Er原子在Si中向表面迁移,而在InP中的外扩散较小,并比较了Er在InP和Si晶格中的占位情况。
- 章蓓陈孔军王舒民虞丽生郑婉华徐俊英徐天冰朱沛然盖秀贞
- 关键词：光致发光离子注入铕离子稀土族
- 在蓝宝石衬底上低压MOVPE生长GaN单晶被引量：5
- 1996年
- ：研究用水平反应室低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）方法在Ｃ面及Ｒ面蓝宝石衬底上外延生长ＧａＮ单晶。讨论了反应室中气流分布和汽相反应对ＧａＮ外延生长的影响；提出了不同的衬底晶向对外延ＧａＮ表面形貌产生影响的机制。
- 党小忠张国义童玉珍王舒民
- 关键词：半导体材料氮化镓汽相外延
