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孙有民

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 12篇TSV
  • 7篇绝缘
  • 6篇晶圆
  • 4篇通孔
  • 4篇芯片
  • 4篇芯片面积
  • 4篇绝缘工艺
  • 4篇刻蚀
  • 4篇硅晶
  • 4篇硅晶圆
  • 4篇SOI衬底
  • 4篇硅
  • 4篇衬底
  • 3篇子层
  • 3篇阻挡层
  • 3篇盲孔
  • 3篇绝缘层
  • 2篇电流
  • 2篇电流电压
  • 2篇电流电压表

机构

  • 15篇中国航天科技...

作者

  • 15篇孙有民
  • 15篇单光宝
  • 12篇刘松
  • 9篇李翔
  • 4篇杜欣荣
  • 4篇张巍
  • 4篇贺欣
  • 2篇谢成民
  • 2篇袁海
  • 1篇付鹏

年份

  • 1篇2018
  • 5篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 2篇2013
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构
本发明提供了一种基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构，在顶层硅正面和底层硅背面分别制作一号和二号欧姆接触测试点，每个欧姆接触测试点包括一个重掺杂有源区和一个铝金属压焊点，测试时，一号直流可变电压源串接一号电流电压表后...
单光宝刘松孙有民李翔贺欣
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基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法
本发明提供了一种基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法，不破坏SOI衬底固有硅-二氧化硅-硅夹层结构，直接进行SOI衬底的立体集成，形成的立体集成器件每一层都具有埋氧层；采用三步刻蚀技术替代目前的传统SOI？TSV工艺方...
单光宝刘松孙有民杜欣荣张巍
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基于SOI的TSV立体集成互连结构
本发明公开了一种基于SOI的TSV立体集成互连结构，包括阻挡层、侧壁绝缘层和导电填充物，以铜柱为导电填充物，在铜柱外壁依次包覆了阻挡层和侧壁绝缘层，铜柱纵向贯穿了SOI顶层硅、埋氧层和衬底硅，构成TSV通孔，埋氧层上方的...
单光宝孙有民刘松蔚婷婷李翔
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一种基于硅通孔的立体集成电路多物理域协同设计方法
本发明公开了一种基于硅通孔的立体集成电路多物理域协同设计方法，考虑热、力、电多物理域之间耦合对立体集成电路可靠性的影响，加入了热学、力学设计步骤，建立了热、力、电多物理域协同设计方法。该协同设计方法通过热、力、电设计步骤...
单光宝刘松谢成民孙有民
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大深宽比TSV通孔分步刻蚀和侧壁修饰方法
本发明公开了一种大深宽比TSV通孔分步刻蚀和侧壁修饰方法，首先在P&lt;100&gt;型单晶硅晶圆表面用PE CVD方法淀积一层SiO<Sub>2</Sub>，并在SiO<Sub>2</Sub>表面涂光刻胶，曝光显影，...
单光宝刘松孙有民蔚婷婷李翔
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基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构
本发明提供了一种基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构，在顶层硅正面和底层硅背面分别制作一号和二号欧姆接触测试点，每个欧姆接触测试点包括一个重掺杂有源区和一个铝金属压焊点，测试时，一号直流可变电压源串接一号电流电压表后...
单光宝刘松孙有民李翔贺欣
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基于SOI的TSV立体集成互连结构
本发明公开了一种基于SOI的TSV立体集成互连结构，包括阻挡层、侧壁绝缘层和导电填充物，以铜柱为导电填充物，在铜柱外壁依次包覆了阻挡层和侧壁绝缘层，铜柱纵向贯穿了SOI顶层硅、埋氧层和衬底硅，构成TSV通孔，埋氧层上方的...
单光宝孙有民刘松蔚婷婷李翔
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基于TSV立体集成工艺的十字环形对准标记
本发明提供了一种基于TSV立体集成工艺的十字环形对准标记，与硅晶圆表面开有TSV通孔的平面上开有环形盲孔，所述环形盲孔的外边和内边均为十字形结构且两个十字形结构同轴，环形盲孔的宽度小于TSV通孔直径W4；所述环形盲孔由外...
单光宝刘松孙有民袁海张巍
基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法
本发明提供了一种基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法，不破坏SOI衬底固有硅-二氧化硅-硅夹层结构，直接进行SOI衬底的立体集成，形成的立体集成器件每一层都具有埋氧层；采用三步刻蚀技术替代目前的传统SOI TSV工艺方...
单光宝刘松孙有民杜欣荣张巍
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一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法
本发明公开了一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法，取若干晶圆放入超声擦片机中，利用去离子水冲洗的同时进行超声擦片；超声擦片结束后直接将晶圆从超声擦片机中取出，然后将晶圆放入纯IPA清洗液中清洗；将上述清洗过的晶圆取出...
贺欣单光宝孙有民杜欣荣李翔
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