吴云飞 作品数:125 被引量:99 H指数:5 供职机构: 佳木斯大学理学院 更多>> 发文基金: 黑龙江省教育厅科学技术研究项目 中央级公益性科研院所基本科研业务费专项 黑龙江省高等教育教学改革工程项目 更多>> 相关领域: 文化科学 理学 经济管理 电子电信 更多>>
智能霍尔传感器 本实用新型涉及一种智能霍尔传感器,它由:壳体、毫安表显示屏、微特斯拉计显示屏、传感器接口、调零旋钮、I<Sub>M</Sub>调节钮、I<Sub>M</Sub>输出钮、I<Sub>M</Sub>换向开关、线路板构成。在壳... 崔虹云 李培瑶 吴云飞 柳涛 葛洪亮 马佳 朱雪彤 庞芳萘醌衍生物吸收和发射光谱的量子研究 被引量:1 2014年 利用密度泛函理论(DFT)和组态相互作用的CIS方法研究蒽醌衍生物的几何构型、电子结构和光谱性质.在优化构型的基础上,利用含时密度泛函理论计算吸收光谱和发射光谱,计算结果与实践吻合较好.研究表明在分子中羟基的引入使吸收和发射光谱均发生红移(达到可见光区),同时不同的取代位点对光谱也会产生一定的影响.此外,利用分子轨道分析方法对电子跃迁类型进行标识,证实电子跃迁的本质特征. 刘景林 王海滨 曹亚杰 孙朝范 吴云飞 曹修鹤关键词:吸收和发射光谱 密度泛函理论 一种风力发电机螺杆检测装置及操作方法 一种风力发电机螺杆检测装置及操作方法,包括底座、转盘、六角头、螺杆套、分度盘、拨盘、升降杆、上棘轮座、下棘轮座、牙规座、笔架、变向装置,变向装置包括变向座、二号半齿轮,所述底座中间具有中心孔,中心孔一侧具有导向套,中心孔... 马佳 吴云飞 张海丰 韩海生基于citespace的中学物理翻转课堂的可视化分析 2024年 本文通过 CiteSpace 软件对中国知网收录的547篇翻转课堂与中学物理相关文献的作者、机构、关键词、研究热点等进行统计分析,揭示国内翻转课堂与中学物理研究的研究现状与发展趋势,并通过文献分析得出结论:自中学物理翻转课堂研究进入初步研究后步入了一段时间的研究高潮,但在最近几年相关的研究进入了一个低迷的时期;中学物理翻转课堂的相关研究作者们后续的研究较少且作者之间的合作较少;中学物理翻转课堂研究的主要力量集中在高校,高校间的合作较少;中学物理翻转课堂领域是比较注重教学模式,同时未来中学物理翻转课堂研究的重点在于实践研究、云教育等方面. 冷祥龙 方琪 吴云飞 杨丹凤 徐碧娜关键词:中学物理 CITESPACE 可视化 一种无人机加工制造装置 一种无人机加工制造装置,包括机架、连杆、滑座、齿条、齿轮、夹紧装置,夹紧装置包括导座、十字块、丝杠、左右撑块、上下撑块,所述机架后侧具有平台,平台中间具有连杆孔,平台下部具有电机板,连杆孔左侧具有斜杆,平台前侧上部具有台... 庞芳 薛泽利 葛洪亮 吴云飞 史继玲一种电机保养设备及操作方法 一种电机保养设备及操作方法,包括工作台、驱动杆、分度杆、滑套、拨块、止动块、插杆、驱动块,所述工作台左侧具有两个一号立板,两个一号立板上部具有同轴的一号立板孔,左侧一号立板孔左侧具有电机板,两个一号立板后侧具有滑槽,两个... 吴云飞 鞠成 侯宪春 张海丰翻转课堂在中国的应用研究 2020年 混合教学模式-反转课堂的广泛应用,凸显信息时代产物反转课堂的突出的优点和价值,同时也曝露出中国在使用颠覆传统教学模式过程中出现的问题亟待研究和解决。文章旨在提出反转课堂应用不是意外和偶然,而是根据其优点长处存在其必然性,并有发展和广泛应用推广的价值,并根据应用过程中出现的问题提出合理化建议,以促进反转课堂的健康有效发展和运用。 陈帅奇 吴云飞 李岚 程汉池 赖暑晨一种新型多工作模式的Wilkinson功分器设计 被引量:1 2020年 设计了一种新型的具有多工作模式的Wilkinson功分器电路,该电路通过将传统的Wilkinson功分器与有限数量的单刀单掷开关进行合理的组合,并通过控制这些射频开关,进而使得该电路具有Wilkinson和两个微带直通的工作模式.同时,对具有任意功分比的多工作模式的Wilkinson功分器进行了理论分析,并使用是德公司的ADS仿真工具验证了微带线的各个电长度对微带直通模式下的性能(如插损、回波损耗)的影响.验证了在等分情况下的多工作模式的Wilkinson功分器在各种工作模式下的性能. 吴云飞 张海丰 朱雪彤 张路路 马佳 朱德全关键词:单刀单掷开关 WILKINSON功分器 一种低插损威尔金森功分器 本发明公开了一种具有低插损特性的威尔金森功分器,包括介质层、附着在所述介质层一侧的信号金属层以及附着在所述介质层另一侧的金属地层,所述信号金属层包括微波传输支路,输入微带线、隔离电阻和输出微带线,所述输入微带线可输入微波... 马佳 吴云飞 韩海生 赖署晨GaN基HFET多栅指结构自加热效应及其优化 2015年 研究了在大功率工作条件下的Ga N HFET器件的自加热效应。当Ga N HFET器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应,将会使得器件的有源沟道层的温度升高,影响到器件的工作特性。首先分析了多栅指结构的Ga N HFET器件在一定功耗条件下的的温度分布情况,然后在此基础之上,对Ga N HFET做了相应的优化,使得器件的温度有一定程度的降低。 董艳红 吴云飞 王洪涛 崔虹云 张漫关键词:GAN HFET 自加热效应