焦翠灵
- 作品数：41 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术轻工技术与工程更多>>
- 金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究被引量：5
- 2014年
- 采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p型Hg1-xCdxTe材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了短波器件,器件性能较好黑体DλP*可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。
- 王仍焦翠灵徐国庆陆液张可峰杜云辰李向阳张莉萍邵秀华林杏潮
- 关键词：气相外延拉曼光谱
- 天宫二号ZnTe:Cu晶体生长及能谱分析（英文）
- 2019年
- 在微重力条件下生长了 ZnTe:Cu 晶体对其进行了光学和能谱分析在晶锭尾部最大结晶区对其进行了组分分析.对于尾部的轴向分量在空间样品中 Cu 的成分均匀性优于地面样品并且 Te/ Zn 比的样品高于空间样品.尾部空间样品中 Cu 的径向成分均匀性优于地面样品且 Te 偏析更为严重.
- 王仍陆液焦翠灵乔辉李向阳
- 关键词：微重力晶体能谱分析
- Hg_(1-x)Cd_xTe梯度带隙薄膜材料生长及红外透射光谱研究被引量：1
- 2015年
- 利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果与实验吻合,材料纵向组分分布与通过能谱测量的样品截面组分变化趋势一致.用光伏器件的制作工艺,选取气相外延生长的Au掺杂中波材料,制备了10元线列器件,测试结果表明器件性能较好,95K黑体D*λP可达4.20×1011(cm·Hz1/2·W-1).
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- 关键词：碲镉汞雪崩光电二极管红外透射光谱
- 一种低成本HgTe三维拓扑材料生长的方法
- 本发明公开了一种低成本HgTe三维拓扑材料生长方法。第一步、HgTe源采用1：1配比，得到正化学配比的HgTe拓扑材料。HgTe源在700℃下进行高温高压合成，合成过程中保持8h摇摆混合，确保HgTe源的均匀分布，最后冲...
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- 文献传递
- 微重力ZnTe:Cu晶体生长及阴极荧光光谱(CL)分析被引量：1
- 2018年
- 利用Te熔剂方法,在天宫二号飞船上成功地生长了ZnTe:Cu晶体.微重力下生长的晶体质量优于地面生长的晶体,相同实验条件下,天宫二号上生长的晶体尺寸明显大于地面尺寸.通过阴极荧光光谱(CL)无损检测技术测试了5 kV、15 kV、25 kV高压下的ZnTe:Cu晶体的阴极荧光图谱及光谱.
- 王仍陆液焦翠灵李向阳
- 关键词：微重力
- Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能被引量：2
- 2015年
- 采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量,分析了具有反型层Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的迁移率谱,证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能.
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- 关键词：磁输运二次离子质谱
- 一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器
- 本专利公开了一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器，该石英容器由用99.99999％的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，石英盒为圆柱体杯状结构，石...
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- 改进碲镉汞液相外延方法原位生长正组分梯度薄膜材料
- 2024年
- 研究了液相外延生长条件对碲镉汞薄膜材料组分梯度的影响,建立了指导液相外延生长的理论模型。通过改变水平推舟液相外延工艺的汞损失速率,生长出具有正组分梯度的碲镉汞薄膜材料。针对这种特定条件下生长的碲镉汞外延薄膜,通过腐蚀减薄光谱测试与二次离子质谱测试证实了材料具有正组分梯度结构。与传统方法生长的具有负组分梯度的碲镉汞薄膜相比,这种薄膜材料具有相近的表面形貌与红外透射光谱曲线,且具有较高的晶体质量,其X射线衍射双晶摇摆曲线半峰宽达到28.8 arcsec。
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- 关键词：碲镉汞液相外延二次离子质谱
- 用于碲镉汞气相外延生长的多功能石墨舟
- 本专利公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的多功能石磨舟，该石墨舟由石墨底座、石墨盖板、石墨掩片、石墨垫片四本部分组成，石墨掩片和石墨垫片可分别放入石墨底座内，石墨盖板置于石墨掩片和石墨垫片上部，对石墨底座进行密封。该石墨舟...
- 王仍焦翠灵徐国庆陆液张可锋张莉萍林杏潮杜云辰邵秀华
- 文献传递
- 碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法
- 本发明公开了一种碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法，该方法采用开管式热处理工艺方法，可以在气相外延腔体内完成。该方法可以用于将利用气相外延技术生长的N型薄膜材料调整到77K空穴浓度为0.5～10×10<Sup>16<...
- 焦翠灵王仍徐国庆林杏潮张莉萍邵秀华张可锋杜云辰陆液
- 文献传递
