微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金
- 作品数：30 被引量：47H指数：4
- 相关作者：叶玉堂焦世龙陈堂胜韩平王荣华更多>>
- 相关机构：南京电子器件研究所电子科技大学微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 光电集成光接收机前端及限幅放大器的研制被引量：3
- 2010年
- 基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并实现了限幅放大器。光接收机前端组成形式为金属-半导体-金属(MSM)光探测器和电流模跨阻放大器,借助模拟软件SILVACO建立并优化了器件模型,探测器光敏面50μm×50μm,带宽超过10 GHz,电容约3 fF/μm。研究并改进了腐蚀自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作,芯片面积为151Iμm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积为1950μm×1910μm,在3.125 Gb/s传输速率下,分别输入信号幅度为10和500 mV,可以得到500 mV恒定输出摆幅。
- 范超陈堂胜杨立杰冯欧焦世龙吴云峰叶玉堂
- 关键词：集成光学限幅放大器
- Ka波段硅基MEMS滤波器被引量：6
- 2008年
- 滤波器是微波毫米波电路中的一个重要部件,本文介绍了采用基片集成波导技术和ICP深刻蚀微机械通孔阵列的硅基MEMS滤波器。设计制作了MEMS滤波器的核心部件谐振器,测试结果显示该谐振器无载Q值大于180,频率误差控制在2%以内。以此为基础采用理论计算与实验设计相结合的方法设计了一个Ka波段硅基MEMS滤波器。滤波器中心频率为30.3GHz,插入损耗1.5dB,相对带宽5%。芯片尺寸为10.0mm×2.8mm×0.4mm。
- 张勇郁元卫贾世星朱健陈辰
- 关键词：基片集成波导KA波段
- MEMS层叠式毫米波天线设计被引量：1
- 2008年
- 为了提高天线带宽,改善天线性能,提出并设计了一种基于微机械工艺的层叠式口径耦合毫米波天线,该天线中心频点为35GHz,利用有限宽地共面波导—微带(FGCPW-MS)进行馈电。分析天线结构中的几个关键参数对天线带宽性能的影响,利用HFSS三维电磁场仿真软件进行天线模型仿真。结果表明,该天线带宽为11.8%,增益为7.8dB,天线辐射效率为71%。与传统微带天线相比,该天线在带宽、增益等方面均到改善,且易与其他有源元件进一步集成。
- 侯芳朱健郁元卫吴璟陈辰
- 关键词：微机械微带天线带宽
- 4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
- 研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的（0001）Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的S...
- 陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平
- 关键词：4H-SIC肖特基二极管势垒高度
- 可调增益均衡性宽带MMIC低噪声放大器设计被引量：1
- 2006年
- 文章提出了一种新颖的具有可调增益均衡特性的宽带全单片低噪声放大器电路设计方法,它将用于微波功率模块(MPM)的固态功率放大器(SSPA)链前端中的两项功能独立的电路(多级单片宽带低噪声放大器LNA和单片宽带频率均衡放大器FEA)组合设计在一块单片电路芯片中。其中LNA部分采用高效率高增益宽带级联型分布放大器取代常规的行波式分布放大器,使得放大器级数显著减少;频率均衡放大器提出用一种利用FET作可调元件的嵌入式低损无源网络来取代,使得放大器的增益特性在频带中部下凹可调,补偿了行波管“山丘状”功率增益特性。在此基础上完成设计的 MMIC LNA,仅使用3个0．25μm×120μm pHEMT,在6GHz～18GHz频带内,小信号增益14．3 ±0．8 dB,输入、输出反射损耗<-10 dB,NF<5 dB;嵌入可调增益均衡网络后,在其他性能参数基本保持不变的前提下,频带中部引入的电调衰减范围超过6．5 dB,完全满足MPM要求。
- 汪珍胜陈效建郑惟彬李辉
- 关键词：微波单片集成电路频率均衡器微波功率模块
- GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长
- 由于 GaN 和 Ge 之间带隙宽度相差很大(～2.7eV),Ge/GaN 异质结可用于宽波段太阳能电池、背照式双色探测器和异质结双极性晶体管(HBT)等器件的研制。在 HBT 器件中,异质结材料较大的带宽差异可以获得较...
- 王荣华韩平曹亮王琦梅琴夏冬梅谢自力陆海陈鹏顾书林张荣郑有炓
- 关键词：GANINNCVD
- 宽带直接接触式RF MEMS开关被引量：4
- 2008年
- 本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关,包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区,兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关,使用低温表面微机械工艺,制作在400μm厚的高阻硅衬底上,芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明,在6GHz频点,开关本征损耗0.1dB,隔离度24.8dB,等效开关接触电阻0.6Ω,关态电容6.4fF,开关时间47μs,开关驱动电压为20-60V。
- 郁元卫贾世星朱健陈辰
- 关键词：直接接触式宽带
- 短波长OEIC光接收机前端设计及制作被引量：2
- 2008年
- 基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03～6.5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4～6.5dB之间。集成芯片最高工作速率达到5Gb/s。
- 范超陈堂胜陈辰焦世龙陈镇龙刘霖王昱琳叶玉堂
- 关键词：光电集成电路光接收机前端跨阻放大器
- 20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器被引量：7
- 2007年
- 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.6pA/Hz;在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有12ps的定时抖动和166mV峰峰电压.
- 焦世龙陈堂胜蒋幼泉钱峰李拂晓邵凯叶玉堂
- 关键词：分布放大器噪声系数眼图
- 4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响被引量：2
- 2008年
- 研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度=0.87eV,击穿电压在650V。
- 陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平
- 关键词：4H-SIC肖特基二极管势垒高度
