国家自然科学基金(69671008)
- 作品数：12 被引量：15H指数：2
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- 相关机构：南京大学东南大学加拿大多伦多大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- PST陶瓷电容器对的红外辐射介电响应特性被引量：1
- 2006年
- 通过性状较为一致的(Pb_1-x_Sr_x)TiO_3(简称PST)红外敏感元电容器对的制备,将其设置在电脉冲读出电路中,通过脉冲电压的调制,可读出其温差下的介电响应特性,从而得到红外辐射的信息。测试表明,随着辐射强度的增强,电路中净充放电电荷值平缓地增加。表明用这种方法进行红外辐射的探测是可行的,其探测电路结构简单紧凑,且易作成阵列器件。通过进一步改进性能,可望发展出新一代IR探测器件。
- 王茂祥孙平
- 关键词：电脉冲铁电材料介电特性红外探测
- (Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系红外敏感铁电陶瓷的研究被引量：3
- 2000年
- 通过改变材料组分并掺杂一定浓度的ＭｎＯ２，制备了系列（Ｐｂ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（ＰＳＴ）红外敏感铁电陶瓷材料．对其电热性能如介电系数的温谱特性、频谱特性和热释电性能等进行了研究．结果表明，材料的居里温度随组分化学计量比的变化大致成线性关系，每增加 ｍｏｌ比１％的 Ｐｂ，将使居里温度提高约 ５℃．而随着测试频率的增加，居里温度与温度系数基本不变，但介电常数却略有下降．通过对ＰＳＴ系样品热释电性能的测量，可知材料的热释电系数约在 １０－３Ｃ／（ｍ２· Ｋ）量级．
- 王茂祥孙彤孙平
- 关键词：频谱特性
- 磁控溅射制备PST薄膜的介电与铁电性能被引量：2
- 2006年
- （Pb1-xSrx）TiO3系铁电材料是一种互溶性较好的钙钛矿材料，本文采用磁控溅射法，在Si基底上成功地制备了结构致密、性能优良的PST铁电薄膜，其制备工艺可与Si微电子技术兼容。性能测试表明，其介电常数可达900，接近10^3量级，介电损耗较低，约在0．12-0．21之间（-10℃至60℃）。铁电性能也较好，其饱和极化强度可接近10μC／cm^2，矫顽场强约21kV／cm。
- 王茂祥孙平
- 关键词：磁控溅射介电性能铁电性能
- 磁控溅射制备(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电薄膜的实验研究被引量：5
- 2001年
- 钛酸锶铅 ((Pb1 -xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料 ,其形成铁电相的温度较低 ,且易于和半导体工艺结合 ,应用潜力较大。本文采用磁控溅射法制备了PST薄膜 ,并初步研究了其介电和铁电特性。结果表明 ,磁控溅射得到的PST薄膜必须进行一定的热处理 ,才能使之转变为具有铁电性的钙钛矿结构的铁电薄膜。其介电特性与测试频率有关 ,试样的饱和极化强度可达 19μC cm2 ,剩余极化强度可达 6 6 μC cm2 ,矫顽场强达 16kV cm ,热释电系数达10 - 4 C m2 ·K量级 ,表明所制备的PST薄膜具有良好的铁电性。
- 孙平王茂祥孙彤舒庆
- 关键词：磁控溅射介电特性铁电薄膜
- 铁电材料的开关电流测试系统被引量：2
- 1999年
- 铁电材料极化后，如果把前沿很陡的矩形电压脉冲加到铁电材料上，在铁电畴反转过程中将产生不同于充电电流的开关电流。利用微机、控制卡、数字示波器及自制测试仪器研制成了一套铁电材料开关电流测试系统。用自行编制的软件，可按不同测试要求产生各种波形的测试信号。利用此测试系统对ＰＬＺＴ（７／６０／４０）铁电薄膜的开关电流进行了测试，取得了较好的测试数据。
- 舒庆孙彤孙平
- 关键词：铁电材料开关电流测试系统
- 掺杂(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电陶瓷材料介电性能的研究被引量：1
- 2001年
- 通过掺杂 ( Pb1-x Srx) Ti O3( PST)系铁电陶瓷的制备 ,初步研究了掺杂、烧结温度、测试频率等对 PST系陶瓷材料介电性能的影响。在相同的 Pb/ Sr配比下 ,La2 O3掺杂较同样份量的 Mn O2掺杂所制得的样片的温度系数要高 ,介电损耗要小 ,而适当高的烧结温度有利于其介电性能的改善。随着测试频率的增加 ,测得的材料介电常数略有下降 ,而居里温度与温度系数基本维持不变。
- 王茂祥孙平孙彤
- 关键词：介电性能铁电陶瓷材料
- (Pb_(1-x)Srx)TiO_3铁电薄膜电滞回线的测试分析被引量：2
- 2006年
- 采用磁控溅射法制备了PST薄膜,讨论了其制备工艺并着重对其电滞回线进行了测试分析。从测试结果来看,其饱和极化强度PS典型值为19.0μC+cm2,剩余极化强度为6.6μC+cm2,矫顽场强为16kV+cm,热释电系数为10-4量级。表明所制备的PST薄膜具有较好的铁电性能。
- 王茂祥孙平
- 关键词：电滞回线铁电性
- 电脉冲读出模式下PST铁电陶瓷的红外探测特性
- 2007年
- 采用性状较为一致的(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷单元电容器对结构,结合相关电路的设计,对铁电材料的红外辐射探测特性进行了研究,测试结果表明,通过电脉冲模式读取不同温度下铁电材料的畴反转产生的开关电荷数来进行红外辐射强度的探测是可行的.通过进一步改进电容器对材料的铁电特性,改进探测电路,可望发展出结构更简单、功能更完善的新一代IR探测器件.
- 王茂祥孙平
- 关键词：电脉冲极化反转
- (Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电陶瓷介电特性的测试分析
- 2007年
- 采用常规陶瓷工艺掺杂不同含量的分析纯SiO2和La2O3,在不同烧结温度下,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷。对所制备的PST铁电陶瓷的介电特性进行了测试分析。1250℃烧结温度较1200℃烧结温度下样品在居里点处的温度系数α有所提高,介电常数ε略高(均在103量级),介电损耗D略有降低。随着工作频率的增加,样品介电常数有较明显的下降,介电损耗D略有增加。
- 王茂祥孙平
- 关键词：介电特性测试分析
- 溅射气氛对所制备PST/Si薄膜性能的影响
- 2006年
- 采用高频磁控溅射法制备了Si基（Pb1-xSrx）TiO3系铁电薄膜（以下简称PST／Si）。实验表明，合适的Ar、O2分压比，能保证溅射时挥发出的Pb及时与补充的O离子得以充分化合，确保制备所需成份的PST薄膜。O2分压过高，Au电极中将有大量的O离子严重渗透，从而使PST薄膜介电损耗增加并降低其极化能力。实验中Ar、O2比为5：1的PST／Si样品性能较好，其介电损耗约在0．12～0．21之间，热释电系数约为2．35×10^-2μC／cm^2K。
- 王茂祥孙平
- 关键词：磁控溅射
