您的位置: 专家智库 > >

国家教育部博士点基金(20060357003)

作品数:48 被引量:204H指数:8
相关作者:孙兆奇宋学萍吕建国孟凡明曹春斌更多>>
相关机构:安徽大学合肥师范学院安徽农业大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金安徽省人才开发基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 48篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 44篇理学
  • 4篇机械工程
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电子电信

主题

  • 19篇溅射
  • 18篇磁控
  • 17篇磁控溅射
  • 13篇射频磁控
  • 13篇微结构
  • 12篇射频磁控溅射
  • 12篇光学
  • 9篇光学性
  • 7篇分形
  • 7篇TIO2薄膜
  • 6篇锐钛矿
  • 6篇退火
  • 6篇金红石
  • 6篇表面形貌
  • 5篇光谱
  • 5篇光学性能
  • 5篇多重分形谱
  • 5篇ITO薄膜
  • 4篇光学性质
  • 4篇TIO_2薄...

机构

  • 43篇安徽大学
  • 12篇合肥师范学院
  • 7篇安徽农业大学
  • 5篇大连理工大学
  • 3篇滁州学院
  • 3篇教育部
  • 2篇安徽建筑工业...
  • 2篇安徽教育学院
  • 1篇贵州大学

作者

  • 39篇孙兆奇
  • 34篇宋学萍
  • 17篇吕建国
  • 12篇孟凡明
  • 9篇曹春斌
  • 7篇周明飞
  • 6篇蔡琪
  • 4篇江锡顺
  • 3篇戴结林
  • 3篇曹铃
  • 3篇朱剑博
  • 2篇黄飞
  • 2篇鲁飞
  • 2篇郭守月
  • 2篇夏齐萍
  • 2篇汪小小
  • 2篇黄凯
  • 2篇陈学梅
  • 1篇侯奎
  • 1篇訾振发

传媒

  • 6篇安徽大学学报...
  • 6篇功能材料
  • 5篇真空科学与技...
  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇硅酸盐学报
  • 2篇电子显微学报
  • 2篇Chines...
  • 2篇Scienc...
  • 2篇合肥师范学院...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇安徽教育学院...
  • 1篇合肥工业大学...
  • 1篇光学学报
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇大学物理
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 10篇2010
  • 12篇2009
  • 14篇2008
  • 7篇2007
48 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ITO薄膜的透射谱解谱被引量:2
2009年
用直流磁控溅射法在普通载波片上制备了厚度130nm左右的ITO薄膜,分别在100、200、300和400℃下退火1h。测量了退火前后几个样品的XRD和透射率,利用椭偏解谱方法对几个样品的透射谱进行建模及解谱,结果表明,未退火样品为非晶结构,退火后为多晶结构;退火温度在300℃以下的样品,随着退火温度的升高其n和k值都有明显的降低,退火温度为400℃的样品n和k值却有所增大。利用吸收系数得到了几个样品的直接带隙,其变化范围在3.7eV^3.9eV之间。
郭守月曹春斌孙兆奇
关键词:透射谱ITO薄膜
退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响被引量:20
2011年
用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1 h。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等测试手段分别对薄膜的微结构、化学组分和光电特性进行了测试分析。分析结果表明:Sn元素已经溶入In2O3晶格中形成了固溶体。退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率。退火温度为200℃时ITO薄膜的性能指数最高,为4.56×10-3Ω-1。
江锡顺万东升宋学萍孙兆奇
关键词:ITO薄膜光电特性
TiO2薄膜的相变与光学性能被引量:3
2008年
采用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英玻璃片上沉积TiO_2薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜、X射线光电子能谱、紫外可见光谱和荧光发射光谱对薄膜的结构、相组成和表面形貌进行了表征。研究了退火温度对薄膜相结构、表面化学组成、形貌及光学性能的影响。结果表明:沉积的TiO_2薄膜为无定形结构,经400℃以上退火后的薄膜出现锐钛矿相,600℃以上退火后的薄膜开始出现金红石相,1 000℃以上退火的薄膜完全转变为金红石相。随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大,仅在950~1000℃时出现减小,1000℃退火的薄膜组成为TiO_x。随着退火温度的升高,薄膜的透射率下降,折射率和消光系数有所增加。
孟凡明周明飞宋学萍
关键词:二氧化钛薄膜射频磁控溅射锐钛矿金红石
TiO_2基压敏陶瓷的研究进展
2009年
TiO2基压敏陶瓷的非线性伏安特性和介电性能优良,具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。综述了此陶瓷的制备工艺、烧结制度、施主、受主掺杂和烧结助剂等对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响之研究现状,并阐述了TiO2基压敏陶瓷未来的研究方向。
孟凡明鲁飞
关键词:烧结助剂电性能
创新性近代物理实验教学——AZO薄膜的制备及其表征
2009年
介绍了创新性近代物理实验sol-gel法制备AZO薄膜的实验原理和不同Al掺杂量ZnO薄膜的制备过程,用X射线衍射仪和紫外-可见分光光度计测试了AZO薄膜的微结构和光学性质。测试结果表明:随着Al掺杂量的增加,AZO薄膜的结晶度提高,吸收边发生蓝移,光学带宽Eg从3.279减小3.216eV。实验教学结果显示:将科研项目开设为创新性学生实验,教学效果良好,激发了学生对实验的学习兴趣,培养了学生的创新意识和综合能力。
吕建国孙兆奇朱剑博宋学萍
关键词:创新性实验教学近代物理实验AZO薄膜
未知二粒子纠缠态的辅助克隆
2009年
提出一个以三粒子GHZ态为量子信道的未知二粒子纠缠态及其正交态的概率克隆方案.此方案中,发送方Alice和接收方Bob对未知态的信息一无所知.首先Alice对他的粒子实施贝尔测量,在得知Alice的测量结果后,通过引入辅助粒子并执行控制非门操作后,Bob可成功地接收未知态.随后在态的制备方Victor的帮助下,Alice以一定的概率获得未知二粒子纠缠态及其正交态的复制.该方案同样适合量子信道是非最大纠缠态的情况.此外,量子纠缠资源和经典信息损耗在该方案中均得到了节省.
侯奎史守华
关键词:GHZ态量子克隆
Al掺杂ZnO薄膜原子力显微图像的多重分形研究被引量:3
2008年
用原子力显微镜观察溶胶-凝胶法制备Al掺杂ZnO薄膜的表面形貌,运用多重分形理论研究Al掺杂ZnO薄膜的原子力显微图像,多重分形谱可以很好地定量表征薄膜的表面形貌。结果显示:Al掺杂量为0.5 at.%的ZnO薄膜经550℃退火处理后,rms粗糙度为1.817,Al掺杂量为1.0 at.%的ZnO薄膜经600℃退火处理后,rms粗糙度增大到4.625,相应的分形谱宽Δα从0.019增大到0.287,分形参数Δf由-0.075变为0.124。
吕建国宋学萍孙兆奇
关键词:表面形貌多重分形谱
射频磁控溅射ZnO薄膜的微结构与光学特性被引量:2
2008年
研究了膜厚对ZnO薄膜微结构和光学性能的影响。采用射频磁控溅射法在单晶硅(111)和玻璃基片上制备了不同厚度的ZnO薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜和紫外可见光谱对薄膜进行了表征。结果表明薄膜结晶性能良好,在(002)晶面具有明显的c轴取向。随着薄膜厚度的增加,透射率下降,吸收边红移,禁带宽度逐渐减小。
黄飞孙仲亮孟凡明孙兆奇
关键词:射频磁控溅射ZNO薄膜微结构光学性能
MoO3纳米纤维TEM图像的多重分形谱被引量:4
2008年
用多重分形方法研究了透射电镜(TEM)观察到的-αMoO3纳米纤维的形貌。TEM观察表明,样品中纳米纤维的分布和均匀程度都随着HNO3浓度的增加而增大,形貌由纤维状向带状过渡。多重分形谱的分析显示,随着HNO3浓度的增加,Δf从0.4345增大到2.4530,样品中纳米纤维的最大概率分布的数目多于最小概率分布的数目,说明纳米纤维数目和宽度均增加;分形谱宽Δα愈来愈小,表明纳米纤维的分布愈来愈均匀。因此,多重分形谱可以很久地表征α-MoO3纳米纤维的分布特性。
吕建国戴结林宋学萍孙兆奇
关键词:MOO3多重分形谱纳米纤维TEM
直流磁控溅射Au膜的微观应变研究被引量:1
2009年
采用直流磁控溅射技术在室温下制备了厚度为108.4和215.6 nm的Au膜,膜厚由椭偏仪测定。利用常规CBD扫描模式对Au膜微结构进行分析,并采用剖面分析直接法测定Au膜的微观应变。X射线衍射(XRD)分析表明,Au膜在平行于基片表面沿<111>方向择优生长;衍射线剖面的宽化主要由晶格畸变所致。厚度为215.6 nm Au膜的微观应变量为0.065,比108.4 nm Au膜(0.055)略大。
江锡顺宋学萍孙兆奇
关键词:X射线衍射晶格畸变
共5页<12345>
聚类工具0