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隔离复合PNP、高压静电防护结构及电子设备
本发明涉及静电防护技术领域,具体公开了一种隔离复合PNP、高压静电防护结构及电子设备,包括:P型衬底、设置在P型衬底上的P型外延层以及设置在P型衬底与P型外延层之间的N型埋层;在P型外延层的表面设置多个间隔的有源区;位...
邓晓军
一种可调整触发电压和维持电压的PNP静电防护器件
本发明属于静电防护领域,具体涉及一种可调整触发电压和维持电压的PNP静电防护器件;包括:PNP静电防护器件共有3种器件结构,通过选用不同的器件结构,实现多种电压下的静电防护;本发明在保持较高失效电流的同时,通过选择不...
钱玲莉史凡萍徐青黄炜
POCl_3掺杂对PNP特性的影响研究
2018年
PNP的结构是由P型发射区、N型基区、P型集电区组成的三层两结。PNP的基区宽度和基区掺杂对PNP电特性的影响很大。在常规IC工艺中,通常采用先做试片的方式来确定基区的磷掺杂扩散时间,工艺加工效率低。为了解决这个问题,从磷源POCl3的温度、扩散时间两方面入手,对PNP的电流增益β进行了实验研究。结果表明,在POCl3温度为(20±1)℃、预扩散时间为(46±2)min、β不小于80的条件下,PNP的β变化量小于50%。该研究用于实际PNP的制造工艺中,工艺加工效率提高了100%。
冯霞梁涛
关键词:PNP管
PNP串联型声光监控保护电源
PNP串联型声光监控保护电源,属于电子技术领域,由防雷器,三端集成稳压电路,前端保护启动单元,PNP速断保护单元,故障系统警示控制单元,微分反馈单元,故障系统警示效果单元,输出保护门坎电路,输出保护启动单元,输出保护显...
宁永敭
PNP串联型声光监控保护电源
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宁永敭
利用PNPBE结电压实现LED驱动装置
本实用新型公开了一种利用PNPBE结电压实现LED驱动装置。利用PNPBE结电压实现LED驱动装置包括第一电阻、第二电阻、第一PNP、第一NPN、第二NPN、第二PNP、第三NPN和LED灯。
周宇坤
互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP的方法
本发明互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP的方法解决了现有技术中互补金属氧化物半导体工艺器件通常包含CMOS、异质结NPN和寄生的PNP导致的基区宽度较宽,电流放大系数和频率特征较低的问题,由此方法制作的垂直...
徐炯魏峥颖郭明升
采用磷埋工艺的双极型悬浮PNP双外延制作方法
采用磷埋技术的双极型悬浮PNP双外延制作工艺是一种在双极型悬浮PNP双外延制作工艺中采用磷埋技术的工艺方法,该方法为投料、氧化、磷埋光刻、腐蚀、磷埋注入、磷埋退火、硼埋一光刻、注入、硼埋一退火、第一次外延、锑埋光刻、...
聂卫东 邓晓军 卜惠琴 张炜
一种用于功率IC中高性能PNP的版图设计
2008年
在对传统横向PNP版图和晶体寄生效应分析的基础上,提出了一种基于双极工艺的横向PNP设计方案,并给出了一个适用于功率集成电路中高性能横向PNP输出的版图设计.
董艳燕
关键词:功率集成电路版图设计
采用磷埋技术的双极型悬浮PNP双外延制作工艺
采用磷埋技术的双极型悬浮PNP双外延制作工艺是一种在双极型悬浮PNP双外延制作工艺中采用磷埋技术的工艺方法,该方法为投料、氧化、磷埋光刻、腐蚀、磷埋注入、磷埋退火、硼埋一光刻、注入、硼埋一退火、第一次外延、锑埋光刻、...
聂卫东 邓晓军 卜惠琴 张炜

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董业民
作品数:146被引量:43H指数:3
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研究主题:SOI工艺 注氧隔离 抗辐射 绝缘体 静电保护电路
乔明
作品数:627被引量:131H指数:7
供职机构:电子科技大学
研究主题:导电类型 功率半导体器件 半导体功率器件 比导通电阻 击穿电压
单毅
作品数:48被引量:5H指数:1
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:静电保护电路 SOI工艺 电路 比较器 单粒子效应
齐钊
作品数:95被引量:3H指数:1
供职机构:电子科技大学
研究主题:接触区 闩锁 ESD防护 维持电流 ESD保护
张波
作品数:4,983被引量:7,060H指数:42
供职机构:电子科技大学
研究主题:功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型