搜索到542篇“ INAS/GASB超晶格“的相关文章
- InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述
- 2024年
- 本文综述了InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究。从湿法和干法刻蚀的物理化学机理以及参数调控等方面进行分析,旨在阐明工艺条件对台面形貌的影响,以抑制带隙较窄的长波和甚长波超晶格表面漏电流。结果表明,湿法刻蚀中恰当的腐蚀液配比可以实现两种组分的均匀性刻蚀,而不会导致粗糙的表面和严重的下切;干法刻蚀中,采用Cl_(2)基和CH 4基混合气体,通过调整刻蚀气体类型及比例可实现物理和化学刻蚀两个过程的平衡,保证台面侧壁平滑性和倾角的垂直度。另外,对于不同组分的超晶格,需要选择不同的工艺参数才能满足InAs和GaSb的协同性刻蚀。最后对InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺作出了展望。
- 张翔宇蒋洞微贺雯王金忠
- 关键词：INAS/GASB超晶格湿法刻蚀干法刻蚀
- 一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格
- 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，...
- 祝连庆刘昭君张东亮柳渊鹿利单郑显通
- 一种InAs/GaSb超晶格生长方法
- 本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格生长方法，包括：在Sb源提供的Sb束流保护下，基于GaSb衬底生长缓冲层；打开As源针阀至第一开度，将生长氛围从Sb束流保护转变为As束流保护，其中，所述第一开度大于所需的目标开度...
- 胡雨农周朋邢伟荣刘铭
- nBn结构InAs/GaSb超晶格中/长双波段探测器优化设计
- 2023年
- 双波段红外探测可对复杂的红外背景进行抑制,在军用目标识别、医疗诊断和污染监测等方面有重要应用价值。基于二类超晶格的双波段红外探测器在成本和性能方面具有很大的优势,成为新型红外探测器领域的研究热点。然而其暗电流和串扰会极大地影响双波段红外探测器的性能。因此,设计了nBn结构的InAs/GaSb超晶格中/长波双波段红外探测器,通过仿真比较不同结构的器件在不同偏压下的中波/长波通道的响应率和暗电流大小,分析势垒层厚度、吸收层厚度、不同区域的掺杂对暗电流和串扰的影响,从而得到最佳的模型参数达到减小暗电流和降低串扰的效果。仿真结果显示:nBn结构的中/长波双波段红外探测器在77 K下,中波通道的暗电流密度为4.5×10^(-5)A·cm^(-2),在0.3 V偏压下,2μm处的峰值量子效率为64%,探测率可以达到3.9×10^(11)cm·Hz^(1/2)·W^(-1);长波通道的暗电流密度为1.3×10^(-4)A·cm^(-2),在-0.3 V的偏压下,5.6μm处的峰值量子效率为48%,探测率可以达到4.1×10^(11)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)。相关结论可为器件设计和加工提供参考。
- 刘文婧祝连庆张东亮郑显通杨懿琛王文杰柳渊鹿利单刘铭
- 关键词：红外探测器双波段NBNINAS/GASB超晶格暗电流
- 一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格
- 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，...
- 祝连庆刘昭君张东亮柳渊鹿利单郑显通
- 一种InAs/GaSb超晶格生长方法
- 本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格生长方法，包括：在Sb源提供的Sb束流保护下，基于GaSb衬底生长缓冲层；打开As源针阀至第一开度，将生长氛围从Sb束流保护转变为As束流保护，其中，所述第一开度大于所需的目标开度...
- 胡雨农周朋邢伟荣刘铭
- InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流特性分析被引量：2
- 2022年
- 利用二极管电流解析模型分析了InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的主导机制。首先,通过变面积二极管I-V测试证实77 K下采用阳极硫化加SiO_(2)复合钝化的InAs/GaSb超晶格长波红探测器的暗电流主要来自于体电流,而非侧壁漏电流;然后,利用扩散电流、产生复合电流、直接隧穿电流和陷阱辅助隧穿电流模型对InAs/GaSb超晶格长波红外探测器的暗电流进行拟合分析。结果表明:在小的反向偏压下(≤60 mV),器件暗电流主要由产生复合电流主导,而在高偏压下(>60 mV),器件暗电流则主要由缺陷陷阱辅助隧穿电流主导。并分析了吸收层掺杂浓度对这两种电流的影响,证实5×10^(15)~1×10^(16) cm^(−3)是优化的掺杂浓度。
- 李俊斌刘爱民蒋志杨晋杨雯孔金丞李东升李艳辉周旭昌
- 关键词：INAS/GASB超晶格长波红外探测器暗电流
- 面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备
- 2022年
- 采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧化物组分的变化。湿法化学清洗后的InAs表面检测到金属杂质Si,K和Ca,它们的浓度随溶液组合的变化而变化。金属杂质残留浓度较高的InAs衬底表面同时也测得较多粒径为80 nm的颗粒。提出了一种行之有效的InAs衬底湿化学清洗方法,可制备出金属杂质残留少、颗粒少、氧化层薄InAs衬底表面,此表面有利于MOCVD方法生长高质量InAs/GaSb超晶格红外探测器外延。
- 刘丽杰赵有文黄勇黄勇赵宇王俊王应利谢辉
- 关键词：砷化铟衬底X射线光电子能谱
- 基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜及其制备方法
- 一种基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜，包括：GaSb衬底；在该GaSb衬底的下表面镀有高透膜；InAs/GaSb超晶格，该InAs/GaSb超晶格具有特定的结构和厚度，制作在所述GaSb衬底上；反射...
- 谢国强 覃治鹏 周易 陈建新
- 面阵材料InAs/GaSb超晶格和InAsSb的红外调制光致发光谱研究
- 步进扫描傅里叶变换红外（Fourier transform infrared,FTIR）调制光致发光（Photoluminescence,PL）光谱方法有效消除环境背景辐射干扰,显著提高光谱信噪比（Signal-to-n...
- 王嫚
- 关键词：INAS/GASB超晶格INASSB均匀性
