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GaN器件的背势垒集成方案: 本公开涉及GaN器件的背势垒集成方案。本公开的多种实施例公开了改进的氮化镓(GaN)功率器件以及制造此类器件的方法。制造GaN器件的方法可以包括提供具有第一侧和第二侧的半导体基材。半导体基材包括GaN材料、前侧势垒层和背...; C·特林加利A·康塔里诺R·佩佐托F·尤科纳洛M·E·卡斯塔尼亚A·康斯坦特

一种耗尽型GaN器件及其制备方法: 本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型GaN器件及其制备方法，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、栅结构、场板单元、栅连接组件、场板连接组件、栅驱动电阻、场板驱动电阻、第一介电层和第二介电层，栅结构设置有...; 任永硕王荣华梁辉南

一种低动态电阻增强型GaN器件: 本发明公开了一种低动态电阻增强型GaN器件，在传统的增强型HEMT增强型器件制备工艺中，通过选择性刻蚀p‑GaN外延层被引入一个额外的P型掺杂的GaN薄层(即p‑GaN薄层)。这种器件结构中p‑GaN薄层形成的表面陷阱屏...; 魏进吴妍霖杨俊杰王茂俊沈波

GaN器件的防护结构及其制作方法: 本发明公开了一种GaN器件的防护结构及其制作方法，该防护结构包括设置在GaN器件外的离子注入区以及在离子注入区上依次层叠的欧姆接触金属层和互连结构，离子注入区为有源区，离子注入区、欧姆接触金属层与最上层的互连结构的金属层...; 蔡仙清林科闯刘胜厚卢益锋张辉孙希国

功率循环下GaN器件栅极可靠性研究: 2025年; 氮化镓(GaN)功率器件长期在高功率密度工况下运行,其栅极可靠性一直是关注的重点,栅极的退化会造成器件误导通以及导通损耗增加等问题。为此,设计一个直流功率循环装置,通过功率循环的方式加速器件老化。同时为了评估栅极可靠性,采用与栅极紧密相关的阈值电压(VTH)以及栅极电容(CGS)作为特征参量,设计VTH与CGS监测电路。通过实验研究了器件栅极的温度特性、恢复特性以及在100000次功率循环后的退化情况。结果表明,随着温度的增加,VTH正向漂移,漂移量超过10%,CGS则与温度解耦保持不变。器件在功率循环后VTH存在恢复现象,前10 min恢复超过70%,在3 h后保持稳定,CGS不存在恢复特性。所选两款GaN在100000次功率循环后特征参量发生不同程度的变化,表明器件栅极在功率循环后发生了一定程度的退化。因此,有必要在设计器件及应用时考虑温度及热应力冲击所造成的栅极性能退化,优化设计工艺以提高GaN器件的可靠性。; 郭世龙薛炳君严焱津汪文涛; 关键词：GAN器件阈值电压

一种金刚石基GaN器件通孔结构及其制备方法: 本发明公开了一种金刚石基GaN器件通孔结构及其制备方法，所述方法包括；在硅衬底上生长金刚石层；使用脉冲激光对金刚石层进行通孔刻蚀；转移GaN外延层到临时键合载片上，并在GaN外延层上溅镀键合介质层；利用低温晶圆键合技术键...; 廖梦雅董鹏

一种通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结构: 本实用新型提供了一种通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结构，属于GaN器件技术领域，该通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结构包括GaN基板以及置于所述GaN基板背面的sin层，其中，所述sin层设置有凹凸...; 王丕龙王新强谭文涛杨玉珍

一种GaN器件近结区热阻测试方法和计算机设备: 本发明公开了一种GaN器件近结区热阻测试方法和计算机设备，所述方法包括：采用与待测GaN器件相同的制作工艺制作第一测试结构和第二测试结构，第一测试结构包括衬底层、AlN缓冲层、GaN层，第二测试结构包括衬底层；利用3ω法...; 付志伟罗潇韦覃如刘陆川路国光

一种金刚石基GaN器件制备方法和金刚石基GaN器件: 本发明公开了一种金刚石基GaN器件制备方法和金刚石基GaN器件，所述方法包括：在单晶衬底的背面化学气相沉积生长多晶金刚石厚膜；将多晶金刚石厚膜与第一临时键合衬底进行第一次临时键合；对单晶衬底的正面进行减薄处理，完成金刚石...; 董鹏廖梦雅马磊杨云畅徐浩刘浩边旭明曹佳

漏极调制GaN器件的制备方法及漏极调制GaN器件: 本发明公开了一种漏极调制GaN器件的制备方法及漏极调制GaN器件，该方法在制备漏极调制GaN器件中两个厚度不同的P‑GaN层时，先沉积厚度较大的P‑GaN层，然后在不同的区域对P‑GaN层进行两次刻蚀，形成较厚的第一P‑...; 李祥东刘通张婕李秋爽翟丽荔程智博张远航游淑珍张进成郝跃

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