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一种线性度增强的CMOS混频器电路: 本发明公开一种线性度增强的CMOS混频器电路，应用于射频集成电路领域，具体的公开了一种线性度增强的CMOS混频器电路，包括射频跨导输入级、本振开关输入级、中频输出负载级、有源阻抗级。本发明使用CMOS互补的射频输入跨导级...; 郭本青杨超旭王海时陶健施媛媛张斌张志刚王天宝

一款具有高镜像抑制的微波CMOS混频器: 近年来,雷达传感器因其使用寿命长、传输距离远以及穿透能力强的优点已经得到人类的青睐,并被广泛应用于汽车、工业、医疗、智能家居等领域。随着射频（Radio Frequency,RF）雷达接收机的进步,其中的混频器模块已经不...; 林少蟠; 关键词：微波雷达镜像抑制混频器正交信号

基于变压器结构的谐波控制CMOS混频器: 本发明公开了一种基于变压器结构的谐波控制CMOS混频器，该混频器包含跨导级，谐波控制的变压器网络，开关级和输出级；跨导级将输入射频信号转化为射频电流，由于晶体管的非线性，转化后的射频电流中含有基波和各次谐波成分，经过变压...; 伍晶刘智卿罗文玲裘华英

高线性度CMOS混频器研究与设计: 混频器作为非线性电路，在现代收发机中是必不可少的部件。理想的混频器仅作为理想乘法器使用，两输入信号相乘从而实现上变频或下变频。但在实际应用上，不仅仅因为输入信号本身并非理想信号，还因为混频器电路自身就存在非线性性，使得输...; 徐进; 关键词：线性度

无片上电感的低功耗高线性度CMOS混频器: 2019年; 物联网设备的数量将在不久的将来得到快速增长。延长电池寿命、提高信号动态范围是物联网通信系统射频前端的主要关注点。为解决射频前端功耗和线性度的问题,提出了一种改进型的吉尔伯特混频器。相比于传统吉尔伯特混频器,该混频器在跨导级采用工作在亚阈值区的PMOS/NMOS互补结构,结合了电流复用技术和导数叠加技术,实现了功耗和线性度的折中;并采用交叉电容耦合形成负阻抗,抵消了寄生电容的影响,从而在低功耗情况下提高了线性度。基于HHNEC 0.18μm Bi CMOS工艺后仿真结果表明,该混频器在射频频率0.4～3 GHz时转换增益为6.2～7.6 d B,在2.4 GHz频率下输入三阶交调点(input third-order intercept point,IIP3)为14.96 d Bm,在电源电压为1 V的情况下功耗为1.8 m W。该混频器核心电路尺寸为460μm×190μm。与相关工作对比,该混频器具有低功耗、高线性度的特点。; 文枭鹏张为刘艳艳; 关键词：混频器低功耗高线性度

一种高线性低噪声CMOS混频器设计: 2017年; 混频器应用在多标准领域中,对混频器的线性度和噪声性能提出了严格的要求。文中提出了一种新型的高线性、低噪声CMOS混频器。该混频器同时采用了三阶失真抵消技术和噪声抵消技术。采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计并流片实现,测试结果表明,较之传统的吉尔伯特混频器而言,文中混频器的输入三阶交调点IIP3增加了6.18d Bm,噪声系数下降了3.5d B,而用于三阶失真抵消技术和噪声抵消技术的电路部分仅使混频器多消耗了0.85m A的电流。; 王琳冷令; 关键词：CMOS混频器噪声抵消

基于变压器结构的谐波控制CMOS混频器: 本发明公开了一种基于变压器结构的谐波控制CMOS混频器，该混频器包含跨导级，谐波控制的变压器网络，开关级和输出级；跨导级将输入射频信号转化为射频电流，由于晶体管的非线性，转化后的射频电流中含有基波和各次谐波成分，经过变压...; 伍晶刘智卿罗文玲裘华英

工作于亚阈值区的低功耗高线性CMOS混频器被引量：1: 2016年; 设计了一种采用TSMC 0.13μm CMOS工艺实现的2.4GHz低功耗亚阈值有源混频器,已应用于射频卫星电视接收机中。为了取得较高的线性度,该混频器引入交叉耦合技术以及级间匹配技术,并引入电流注入技术以提高混频器的增益。最终芯片测试结果表明,该混频器在仅消耗1.6mW功耗的状态下,输入三阶交调点IIP3高达5.41dBm,增益高达9.07dB,噪声系数为12.05dB。该混频器的版图尺寸为0.91mm×0.98mm。; 别梅肖巍; 关键词：混频器低功耗电流注入

一种改进的高线性CMOS混频器的分析与设计被引量：1: 2016年; 在多标准系统应用中,由于线性度和噪声的要求,使得混频器的设计难度很大。采用2次谐波注入结构的3阶失真抵消技术,设计了一种改善跨导级线性度的高线性CMOS混频器。在混频器开关级处引入LC滤波电路,抵消了开关级晶体管的2阶和3阶互调失真,进而优化了开关级的线性度。采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计与仿真,并完成了版图设计与流片。较之传统的吉尔伯特混频器,该电路的输入3阶交调点IIP3增加了11.2dBm,达到9.2dBm的高线性度,对噪声系数、增益以及功耗造成的影响较小。; 张雷鸣张金灿刘博; 关键词：CMOS混频器高线性

一种低噪声高增益CMOS混频器设计: 2014年; 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益的混频器.通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声,并且在开关管的源级增加电流注入电路以减小本振端的偏置电流,增大电路的增益.仿真结果表明,混频器工作电压为1.8 V,直流电流为9.9 mA,在本振(LO)频率为2.39 GHz,射频(RF)频率为2.4 GHz时,混频器的增益为12.65 dB,双边带噪声系数为4.23 dB,输入三阶交调点为-3.45 dBm.; 高丽娜庞建丽; 关键词：CMOS混频器电流注入噪声抵消高增益低噪声

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