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2025年6月19日星期四

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用于高电压应用的CMOS器件: 本公开涉及用于高电压应用的CMOS器件。一种集成器件包括：导电衬底，具有包括凹槽的上表面和用于接触该器件的下表面；多层堆叠，设置在衬底的上表面并且衬垫凹槽；以及导电层，用于接触设置在多层堆叠上的器件。该多层堆叠包括第一介...; 拉尔夫·勒纳罗宾·韦劳赫皮特·德鲍

一种锑化物量子阱CMOS器件的结构及其制备方法: 本发明公开了一种锑化物量子阱CMOS器件的结构及其制备方法，属于微电子技术领域。所述器件结构包括：衬底；所述衬底上设有缓冲层；所述缓冲层上相对独立的设置有p沟道锑化物量子阱层和n沟道锑化物量子阱层；所述p沟道锑化物量子阱...; 张静

半导体结构、半导体结构的制造方法以及CMOS器件: 本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法以及CMOS器件，该半导体结构包括：基底；形成于基底上的金属栅极；其中，金属栅极的表面具有凹槽；凹槽沿金属栅极远离基底的表面向靠近基底的方向延伸；凹槽具有底面侧面；形...; 王文智刘哲儒

一种CMOS器件及其制备方法: 本发明提供一种CMOS器件及其制备方法，其中，CMOS器件包括：半导体衬底，半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，半导体衬底的表面形成有介质层，在NMOS区域上的介质层中形成第一栅极沟槽，在PMOS区域上的介质层中形...; 卢越野张帅君耿金鹏

CMOS器件外延层台阶高度的监测方法: 本发明公开了一种CMOS器件外延层SH的监测方法，根据需要监测的CMOS器件制作测量参考器件，测量参考器件的AA&STI结构与需要监测的CMOS器件相同；测量参考器件的AA&STI结构上均形成有多晶硅条，...; 于泽笑李韧

一种CMOS器件的制备方法及CMOS器件: 本申请公开一种CMOS器件的制备方法及CMOS器件，属于半导体工艺技术领域，该方法在第一栅极和第二栅极和高掺杂N型扩散区、低掺杂N型扩散区、高掺杂P型扩散区、低掺杂P型扩散区的上表面依次沉积第一厚度的第一过渡金属层、第二...; 刘云洁庄立强王永功任杰张翔马美玲赵海红陈鑫何成功

一种具有BPR结构的CMOS器件及其制备方法: 本发明公开了一种具有BPR结构的CMOS器件及其制备方法，将预埋电源轨（Buried Power Rail,BPR）技术应用于平面CMOS器件中，所述具有BPR结构的CMOS器件包括衬底，位于衬底上表面的阱区，位于阱区上...; 李云龙吴晓楠

一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法: 一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法，属于半导体电子器件技术领域。该器件在同一衬底上集成了PMOS器件与NMOS器件，每种器件结构都由衬底、AlN缓冲层、高阻GaN层、AlGaN势垒层、GaN沟道层...; 张源涛张立东邓高强左长财

一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构: 本发明公开一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构，方法包括依次形成双多晶自对准双极结型晶体管的N型一次埋层(103)、NMOS的P型一次埋层(104)、PMOS的N型二次埋层(105)；在SO...; 刘建赵明琪税国华刘青杨法明肖添路婉婷张金龙陆泽灼陈俊吉曹荐谭星宇刘广川

一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成厚薄栅氧CMOS器件的方法及结构: 本发明公开一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成厚薄栅氧CMOS器件的方法及结构，方法包括提供SOI硅衬底；依次形成双多晶自对准双极结型晶体管的N型一次埋层(103)、薄栅氧NMOS的P型一次埋层(104)、厚栅氧N...; 刘建赵明琪税国华刘青杨法明肖添路婉婷张金龙陆泽灼陈俊吉曹荐谭星宇刘广川

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