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一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器
本发明提供一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器，涉及超宽禁带半导体场效应晶体管器件技术领域。包括：通过气态源或者固态源，向微波等离子体化学气相沉积腔室中引入硼元素和氮元素，以在金刚石衬底层上生长n型金刚石外延；利用...
李俊鹏陈军飞王晗雪陈兴任泽阳
CMOS反相器性能评估方法、电子设备和可读存储介质
本发明提供了一种CMOS反相器性能评估方法、电子设备和可读存储介质，该方法包括：获取CMOS反相器的目标PMOS宽度尺寸信息，其中，当CMOS反相器中的PMOS管的宽度尺寸为目标PMOS宽度尺寸时，CMOS反相器的阈值电...
陈益裕
基于可重构晶体管构建的类CMOS反相器及其调制方法
本发明涉及可重构晶体管技术领域，具体涉及基于可重构晶体管构建的类CMOS反相器及其调制方法。本发明公开了一种基于可重构晶体管构建的类CMOS反相器，包括：晶体管组件、TENG组件。本发明在晶体管组件中通过多层设计形成了异...
孙其君隗义琛
一种单片集成GaN CMOS反相器及其制备方法
本发明公开了一种单片集成GaN CMOS反相器及其制备方法，该反相器包括T型FIN结构p‑FET和HEMT。T型FIN结构p‑FET和HEMT共享缓冲层；缓冲层叠加于衬底之上；T型FIN结构p‑FET和HEMT之间设有的...
张苇杭 袁梦强 胡雨清 樊昱彤 冯欣 吴银河 刘志宏 张进成 郝跃
一种具有同质栅极金属的新型CMOS反相器及其制备方法
本发明公开了一种具有同质栅极金属的新型CMOS反相器及其制备方法，该反相器包括设置于衬底上的p型JLFET以及n型MOSFET，p型JLFET与n型MOSFET之间通过浅槽沟道隔离结构隔离开，p型JLFET与n型MOSF...
王斌宋宇祥罗昭姚清龙王立新周圣均韩本光
超高速PAM-N CMOS反相器串行链路
本文描述的方法、系统和装置使用基于CMOS的部件在发射器处产生多电平PAM信号(PAM‑N信号)。通过在发射器处形成PAM‑N信号，接收器不必重新组合和/或重新对准多个信号，并且仅采用单个传输线信道(或者在差分实施方式中...
R·S·凯西L·拉詹德兰D·凯里K·郑C·赫恩张洪涛
一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法。所述金刚石基CMOS反相器包括金刚石衬底、单晶金刚石薄膜、氢终端区域、台面隔离区域、n型氧化物半导体层、第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二...
王玮梁月松陈根强牛田林王艳丰林芳张明辉问峰王宏兴
一种基于硫化钼的CMOS反相器及其制备方法
本发明公开了一种基于硫化钼的CMOS反相器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，包括：硅衬底，其上的介质层上表面制备有横向连接的P型掺杂硫化钼薄膜和N型掺杂硫化钼薄膜；P型薄膜由N型经等离子体掺杂而成；沉积在两薄膜上表面...
曾祥斌周宇飞胡一说王文照陆晶晶王士博王君豪王曦雅肖永红陈铎张茂发
一种负电容围栅纳米片结构CMOS反相器及其制造方法
本发明公开一种负电容围栅纳米片晶体管结构CMOS反相器及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。负电容围栅纳米片结构CMOS反相器包括一个P型负电容围栅纳米片晶体管和一个N型负电容围栅纳米片晶体管。每个负电容围栅纳米片晶...
姚佳飞张鑫鹏刘宇遨韩雪郭宇锋蔡志匡王子轩张珺张茂林
基于神经网络的CMOS反相器电磁可靠性预测方法
基于神经网络的CMOS反相器电磁可靠性预测方法，其特征在于，包括以下步骤；步骤1：通过TCAD器件建模，完成CMOS反相器的物理模型搭建与基本特性的验证；步骤2：筛选影响CMOS反相器电磁可靠特性的参数；步骤3：通过控制...
王树龙陈荟锴潘锦斌周浩黎浏滔冯旺龙严杏圆
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崔铮
作品数：194被引量：88H指数：7
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：墨水 薄膜晶体管 碳纳米管 喷墨打印 印刷
赵建文
作品数：56被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：碳纳米管 薄膜晶体管 半导体碳纳米管 碳纳米管薄膜 CMOS反相器
李静月
作品数：10被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：CMOS反相器 阈值电压 MOS 负载电阻 辐照效应
刘锦辉
作品数：83被引量：41H指数：4
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：辐照效应 总剂量效应 空时自适应处理 CMOS反相器 补偿方法
刘刚
作品数：193被引量：122H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：译码 策略库 CMOS反相器 比例公平 基站