搜索到465篇“ C-V测量“的相关文章
- 半导体C—V测量基础——C—V测量能够提供有关器件和材料特征的大量信息被引量：2
- 2009年
- Lee Stauffer
- 关键词：C-V测量材料特征MOSFETMEMS器件TFT显示器
- 半导体C-V测量基础被引量：2
- 2009年
- 通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括蚁傲结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-Ⅴ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。
- Lee Stauffer
- 关键词：半导体器件C-V测量MOSFETMEMS器件TFT显示器
- 半导体C-V测量基础
- 2009年
- 通用测试
电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。
- Lee Stauffer
- 关键词：半导体器件C-V测量MOSFETMEMS器件TFT显示器
- GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量
- 2005年
- 以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的温度之间的关系曲线。本文还介绍了如何采用控制生长的条件得到陡峭的界面,使不同掺杂浓度的层与层之间的界面变化非常明显。
- 孙永伟张秀兰杨国华叶晓军陈良惠
- 关键词：砷化镓
- 电化学C-V测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度的分布被引量：2
- 2003年
- 在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AIGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液——0.5 mol HCI溶液.综合利用平带电位值(F.B.P)、耗散因子和测量电流等3个测量判据,合理选取测量电压、腐蚀电流等测量参数,获得了速度快、重复性好和数据准确可靠的测试效果.
- 文尚胜王朝阳
- 关键词：载流子浓度ALGAINPLED外延片耗散因子发光二极管
- 电化学C-V测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度的分布
- 本文在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液,获得了速度快、重复性好、数据准确可靠的测试效果.
- 文尚胜华南师范大学MOCVD实验室(广州)
- 关键词：电解液外延片参数测试
- 应用C-V测量研究铁电薄膜材料的电特性
- 2001年
- 通过分析钛酸铋铁电薄膜材料MFS结构的C V特性曲线 ,发现经过快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜的剩余极化强度Pr 提高 ,界面上固定电荷的分布和性质发生了变化。
- 李岩苏学军刘新彦
- 关键词：铁电薄膜材料C-V测量电特性
- 立方相GaN基LED的电化学C-V测量
- 作者们用电化学C-V的方法测量了MOCVD生长的双异质结结构绿光LED。采用稀盐酸腐蚀液，加正向偏压，边腐蚀边测量。实验完毕，用SEM观察表面和截面情况，发现被腐蚀区域的P-GaN/InGaN/N-GaN层已经与GaAs...
- 李顺峰杨辉徐大鹏张书明
- 关键词：LED
- 准静态C-V测量中的工频噪声滤除新方法
- 1997年
- 准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特性及稳定性有着重要影响。精确地测量...
- 李同合陈光遂高捷
- 关键词：准静态C-V测量半导体ATF
- C－V测量中的实验曲线拟合
- 1994年
- 介绍一种将实验曲线拟合成经验公式的方法用此方法，计算出势垒电容与反向偏压之间关系的经验公式，结果表明公式能很好地反映实验测量数据。
- 胡永哲郭恩祥
- 关键词：C-V特性
相关作者
- 罗升旭
- 作品数：7被引量：2H指数：1
- 供职机构：山东大学
- 研究主题：清洗剂 C-V测量 超纯 苯乙酮 苯甲醇
- 刘可辛
- 作品数：7被引量：2H指数：1
- 供职机构：山东大学
- 研究主题：清洗剂 C-V测量 超纯 MOS场效应晶体管 工作温度
- 郑中山
- 作品数：33被引量：27H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：绝缘体上硅 SIMOX SOI 埋氧层 注氮
- 周洁
- 作品数：31被引量：15H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：深能级 砷化镓 硅 DX中心 GAAS
- 张勇
- 作品数：61被引量：109H指数：4
- 供职机构：上海大学
- 研究主题：上转换发光 层析 近红外光 硝酸纤维素膜 试纸条
