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高分辨X射线衍射仪的热-电场协同作用原位测试装置: 本实用新型提供了一种高分辨X射线衍射仪的热‑电场协同作用原位测试装置，属于材料测试技术领域，真空腔体包括壳体以及密封盖板，密封盖板具有凸起的圆帽状密封窗口，密封盖板盖住壳体并且壳体与密封盖板之间构成真空腔；导热绝缘托安装...; 孙洁柯培玲卢焕明李明沈圣成

高分辨X射线衍射仪在材料物理专业实验教学中的应用: 2022年; 在高等院校培养理工科人才的过程中,实验教学能够促使大学生对本专业所学知识有一个直观的认识,在提高学生创新能力和社会竞争力等方面起着至关重要的作用。X射线衍射是一种广泛应用于材料分析的无损检测技术,按照本校材料物理专业培养方案和教学特点,将该技术融入到本专业实验教学中可以使学生深入了解X射线衍射仪的仪器构造、工作原理,熟悉PANalytical公司生产的Empyrean型高分辨衍射仪的操作方法。实验教学中以SrSnO_(3)粉末和薄膜试样为实例,有效帮助学生掌握高分辨X射线衍射仪的测试功能及实际应用。实践证明该教学内容有利于激发学生的科研热情,提高学生的科学素养。; 刘亲壮李浩哲李兵张永兴; 关键词：X射线衍射仪材料物理实验教学

InAs/GaSb超晶格结构的高分辨X射线衍射分析被引量：2: 2021年; 在GaSb(100)衬底上利用分子束外延技术生长了InAs/GaSb超晶格结构,利用高分辨X射线衍射方法对其进行分析,得到了摇摆曲线上的卫星峰个数、半峰全宽、衍射峰的强度和位置等信息,计算得到了超晶格材料的界面应变、失配和周期等参量。结合原子力显微镜对两组超晶格样品进行了表面起伏及表面粗糙度的测试和表征,结果发现:50周期InAs(10 ML)/GaSb(10 ML)超晶格样品比短周期和非对称超晶格样品的表面起伏更小,表面粗糙度更低;随着超晶格样品生长周期的递增,摇摆曲线上1级衍射峰的半峰全宽显著减小,样品表面的起伏和连续性得到改善,50周期对称超晶格样品的均方根表面粗糙度可以减小到0.31 nm,摇摆曲线上的卫星峰可以清晰看到±4级衍射峰,1级衍射峰的半峰全宽仅为0.027°,周期厚度为5.59 nm,平均应变为0.43%。; 张强房丹齐晓宇李含; 关键词：INAS/GASB超晶格高分辨X射线衍射摇摆曲线

外延膜的高分辨X射线衍射分析被引量：1: 2020年; 广泛应用于半导体、铁电和光电材料中的外延结构特征以及应变和缺陷会影响外延膜的物理/化学性能。高分辨X射线衍射是对外延结构进行无损准确表征的关键技术。本文从高分辨X射线衍射与外延结构倒易空间的关系出发,重点阐述高分辨X射线衍射与普通X射线衍射的联系与区别,以强调高分辨X射线衍射特征。以铁电外延膜与衬底结构高分辨X射线衍射为例,系统分析它们的高分辨X射线衍射斑特征,包括共格生长、非共格生长、倾斜生长下衍射斑特征,以及外延膜的尺寸、外延膜的倾斜扭转和外延膜的应变对衍射斑的影响等。结合Si1-xGex(x=0.1)等外延膜结构的具体分析阐述如何通过高分辨X射线衍射谱来获取外延膜结构参数,包括外延膜晶格常数、晶格错配度以及厚度和超晶格等信息。本文还系统介绍了高分辨X射线衍射中的倒易平面图的作法,以及相关的理论和实验方法,并据此获得了PbTiO3外延膜的应力状态、畴结构、相变等结构信息。; 李长记邹敏杰张磊王元明王甦程; 关键词：薄膜生长外延膜高分辨X射线衍射

用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量被引量：3: 2019年; 介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用。对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWHM)峰值得到的极图,观察4H-SiC抛光片表面的FWHM分布范围、分布特点和多峰聚集区。结合表面缺陷测试仪和偏振光显微镜测试方法,对因螺旋生长产生的晶界分布聚集区以及边缘高应力晶界聚集区进行了表征。二者测试结果与HRXRD摇摆曲线面扫描的结果一致。对多片样品在不同区域使用不同测试方法得到的结果均验证了HRXRD摇摆曲线面扫描可以宏观识别晶畴界面聚集区,清楚辨别出位于晶片中心附近由于螺旋生长面交界形成的晶畴界面,以及位于晶片边缘、受生长热场影响晶粒畸变产生的高应力晶畴界面。; 杨丹丹王健孙科伟张胜男金雷程红娟郝建民; 关键词：面扫描

高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度被引量：4: 2015年; 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在4H-Si C(0001)面上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的Ga N薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、晶粒尺寸和晶面弯曲半径等参数,通过排除仪器、晶粒尺寸及晶面弯曲对摇摆曲线半高宽的影响,从而获得Ga N薄膜的螺位错密度和刃位错密度分别为4.62×107 cm-2和5.20×109 cm-2,总位错密度为5.25×109 cm-2。; 崔潆心徐明升徐现刚胡小波; 关键词：氮化镓薄膜高分辨X射线衍射位错密度

高分辨X射线衍射元件的研制被引量：1: 2014年; X射线波带片是纳米X射线成像系统的核心元件之一,为了研制高分辨率X射线波带片,对纳米结构的电子束光刻和高精度电镀进行了实验研究。首先,通过对电子束曝光工艺版图进行优化设计,平衡了邻近效应对纳米结构的影响,有效地控制了光刻胶的扭曲和坍塌。实验结果表明,采用校正的工艺版图,用线曝光方式在800 pC/cm2剂量下可以研制出厚度为270 nm、最外环宽度为50 nm的高分辨率X射线波带片光刻胶结构。然后,在配制的柠檬酸金钾电镀液中,优化了电镀工艺参数。采用金含量为10%的柠檬酸金钾电镀液,各电镀参数pH值为4.2,电镀温度为50℃,电流密度为0.2 A/dm2电镀出高分辨率X射线波带片。; 熊瑛刘刚田扬超; 关键词：波带片

SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析被引量：3: 2014年; 通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析。分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90%,GaN外延层的晶格常数与体块材料相近,在GaN中存在压应力,SiC衬底和GaN外延层中的位错密度分别为107和108量级。; 于国建徐明升胡小波徐现刚; 关键词：高分辨X射线衍射 SIC衬底 GAN外延层

高分辨X射线衍射技术在GaN LED生产中的应用: 继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后，GaN基材料被誉为第三代半导体材料。它具有禁带宽度宽的特点，电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好、化学和热稳定性好，非常适合于制作高温、高频...; 吴亭; 关键词：GAN外延层高分辨X射线衍射位错密度晶格常数

利用高分辨X射线衍射研究磷酸二氢钾晶体晶格应变应力被引量：3: 2012年; 采用高分辨X射线衍射技术对大尺寸磷酸二氢钾(KDP)晶体的晶格应变进行了测量,并定量分析了其晶格应力.探讨出KDP晶体容易沿着[001]方向发生开裂,与实际工作中的开裂现象相符合;进一步归纳总结了晶体生长过程中引入内应力而导致晶体开裂的主要因素.研究结果为提出相应的晶体防裂措施提供了重要的理论基础.; 孙云王圣来顾庆天许心光丁建旭刘文洁刘光霞朱胜军; 关键词：高分辨X射线衍射应力开裂

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