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透明导电氧化物薄膜的制备方法
本申请提供了一种透明导电氧化物薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：无氧条件下，在衬底上形成金属层；在金属层远离衬底的一侧形成第一金属氧化物层，并将金属层氧化形成第二金属氧化物层，以形成包括第一金属氧化物层和第二金属氧...
刘铭全
具有内嵌膜的透明导电氧化物
本发明涉及具有内嵌膜的透明导电氧化物。用底层涂覆基底，该底层具有由第一高折射率材料制成的第一底层膜。在底层的至少一部分上方的透明导电氧化物层。内嵌膜嵌入在透明导电氧化物层内，其中该内嵌膜包含第二高折射率材料。
A·甘卓S·纳拉亚南D·J·欧肖内西
一种透明导电氧化物及其制备方法
本发明电池技术领域，具体涉及一种透明导电氧化物包括种子层、导电层和保护层，所述种子层包括氧化铟锡膜或镓/铝共掺杂氧化锌膜，所述导电层为镓/铝共掺杂氧化锌膜，所述保护层为氧化铟锡膜，所述透明导电氧化物薄膜中的所述氧化铟锡膜...
许生李炘包山虎梁锐生杨春林
一种氧化锌铝透明导电氧化物薄膜的制备方法
本发明公开了一种氧化锌铝透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括；制备缺陷纳米氧化铝溶胶；制备氧化锌前驱体溶液；制备缺陷氧化铝调制掺杂氧化锌溶胶，得到均质的氧化锌铝前驱体溶胶；溶胶凝胶法旋涂；将标记为五个不同的掺杂比例2％‑1...
白忠臣袁屹恒彭熙舜陈启新
透明导电氧化物薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种透明导电氧化物薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该透明导电氧化物薄膜包括碲掺杂的透明导电氧化物。本申请实施例中，以碲作为掺杂元素，在透明导电氧化物中进行掺杂时，碲元素能够进入晶...
李佳辉吴佳汶
一种使用低铟含量靶材制备透明导电氧化物薄膜的方法
本发明公开了一种使用低铟含量靶材制备透明导电氧化物薄膜的方法，先按质量百分比含量将2％‑25％的纳米级氧化铟粉末和余量氧化锌粉末搅拌混合均匀并得到混合粉末，混合粉末加入分散剂搅拌均匀后进行球磨处理，通过冷等静压制成生坯后...
李天柱文宏福卢宽宽李鹏吴旭明
一种直流磁控溅射高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法
本发明公开了一种直流磁控溅射高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法，本发明在制备靶材步骤中采用球体形状、棱锥体形状和足球状的氧化铟粉制备靶材，且棱锥体形状和足球形状的氧化铟粉的质量占比在20％以上，足球形状的粉体与其它粉体...
李天柱文宏福卢宽宽李鹏吴旭明
一种氧化铟钛铈铌陶瓷靶材及其制备方法和应用、透明导电氧化物薄膜
本发明属于光伏靶材技术领域，具体涉及一种氧化铟钛铈铌陶瓷靶材及其制备方法和应用、透明导电氧化物薄膜。该氧化铟钛铈铌陶瓷靶材，包括如下组分：氧化铟、氧化钛、氧化铈和氧化铌；所述氧化铟、氧化钛、氧化铈和氧化铌的质量比为97～...
林智成侯庆龙李强官凌宇纪生晓罗云侠
透明导电氧化物镀膜玻璃
本实用新型涉及镀膜玻璃技术领域，且公开了透明导电氧化物镀膜玻璃,包括膜体组件，所述膜体组件的底侧固定连接有玻璃层，所述膜体组件的底侧呈膜状贴附于所述玻璃层的顶侧部位，所述玻璃层的底侧固定连接有导电层，所述导电层的内侧固定...
曹燕语
一种透明导电氧化物及其制备方法
本申请提供一种透明导电氧化物及其制备方法，涉及半导体技术领域，在衬底上形成透明导电材料和掺杂材料的混合物膜层；刻蚀掺杂材料,留下多孔的透明导电膜层，形成透明导电氧化物，透明导电膜层内的孔隙尺寸在10nm～100nm之间，...
王建晖尧俊王文琦张睿智李龚剑卢仁鮑加拴金利剑
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陈新亮
作品数：167被引量：206H指数：8
供职机构：南开大学
研究主题：太阳电池 薄膜太阳电池 ZNO薄膜 MOCVD 迁移率
赵颖
作品数：816被引量：1,073H指数：14
供职机构：南开大学
研究主题：太阳电池 薄膜太阳电池 钙钛矿 微晶硅 VHF-PECVD
周明杰
作品数：8,642被引量：0H指数：0
供职机构：海洋王照明科技股份有限公司
研究主题：灯具 有机电致发光器件 空穴注入层 发光材料 有机半导体材料
李喜峰
作品数：19被引量：30H指数：3
供职机构：复旦大学
研究主题：透明导电氧化物薄膜 透明导电氧化物 氧分压 氧化铟 普通玻璃
黄海宾
作品数：159被引量：69H指数：6
供职机构：南昌大学
研究主题：晶体硅太阳电池 发射极 钝化 金属栅 晶体硅