公共文化服务平台

搜索到666篇“ 超深亚微米“的相关文章

基于超深亚微米级的高性能低功耗SRAM的研究及设计: 伴随着物理、材料学、工程设计技术等方面的高速发展以及相互交融，人们通过跨学科的合作，使得集成电路中的最小尺寸不断打破原有工艺上种种因素造成的限制，让集成电路的规模变的越来越大。特别地，在现代集成电路中，存储器电路所占有的...; 周雨辰; 关键词：静态随机存储器电路设计功耗优化

超深亚微米SOI总剂量效应泄漏电流模型被引量：3: 2019年; 总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成漏极到源极的寄生晶体管。针对130nm部分耗尽(PD)SOINMOSFET器件的总剂量辐射退化特性,建立了一个包含总剂量辐射效应的通用模拟电路仿真器(SPICE)模型。在BSIMSOI标准工艺集约模型的基础上,增加了STI寄生晶体管泄漏电流模型,并考虑了辐射陷阱电荷引起寄生晶体管的等效栅宽和栅氧厚度的变化。通过与不同漏压下、不同宽长比的器件退化特性的实验结果对比,该模型能够准确反映器件辐射前后的漏电流特性变化,为器件的抗辐射设计提供参考依据。; 席善学郑齐文崔江维魏莹姚帅何承发郭旗陆妩; 关键词：绝缘体上硅

体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响被引量：2: 2019年; 研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon-on-insulator)器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,辐照130nm PD(部分耗尽,partially depleted) SOI NMOSFET(N型金属-氧化物半导体场效应晶体管,n-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件,监测辐照前后在不同体偏压下器件的电学参数.短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且宽长比越大,辐射导致的器件损伤亦更大.在辐射一定剂量后,部分耗尽器件将转变为全耗尽器件,并且可以观察到辐射诱导的耦合效应.对于10μm/0.35μm的器件,辐照后出现了明显的阈值电压漂移和大的泄漏电流.辐照前体偏压为负时的转移特性曲线相比于体电压为零时发生了正向漂移.当体电压Vb=-1.1V时部分耗尽器件变为全耗尽器件,|Vb|的继续增加无法导致耗尽区宽度的继续增加,说明体区负偏压已经无法实现耗尽区宽度的调制,因此器件的转移特性曲线也没有出现类似辐照前的正向漂移.; 席善学陆妩郑齐文崔江维魏莹姚帅赵京昊郭旗; 关键词：总剂量效应绝缘体上硅体效应

基于超深亚微米工艺的嵌入式SoC低功耗设计与优化: 采用片上系统(System-on-a-Chip,SoC)技术设计专用硬件平台,成为嵌入式电子芯片发展的必然趋势;受成本、可靠性、能效、市场、电池容量等多方面的影响,低功耗设计成为嵌入式SoC的发展趋势。本文从CPU(Ce...; 王亚军; 关键词：片上系统低功耗优化中央处理器功耗管理; 文献传递

超深亚微米导航SoC芯片的低功耗策略: 2018年; 作为导航技术发展的主要方向之一,导航SoC芯片的功耗对系统各方面有巨大的影响。本文对SoC芯片的动态功耗、静态功耗和存储器功耗从原理上进行了分析,并从系统级、行为级、RTL级、门级和物理级分别研究了低功耗设计实现技术。; 张文华; 关键词：低功耗设计

随机掺杂对超深亚微米SOI MOSFETs阈值电压影响研究: 2018年; 本文研究随机掺杂引起的超深亚微米SOI MOSFETs器件阈值电压波动,提出一种由沟道粒子数目波动引起的阈值电压波动标准差的解析模型,计入了沟道粒子数目和位置变化所带来的阈值电压波动影响。通过研究不同参数下器件阈值电压变化情况,所建立模型计算的预测结果与Sentaurus TCAD数值模拟结果吻合良好。; 苏亚丽杨江江; 关键词：SOI MOSFETS 阈值电压

衬偏效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响: 研究衬底偏置效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,以不同剂量的60Co辐照130nm SOINMOSFET器件,监测辐照前后不同尺寸器件在不同衬底偏压下的电学参数.对于PD SOI NMOS器件而言,...; 席善学郑齐文崔江维魏莹姚帅赵京昊何承发郭旗陆妩; 关键词：总剂量效应

超深亚微米数字集成电路版图验证技术: 2017年; 在超深亚微米工艺中,数字集成电路版图设计由以前简单的物理验证进入到复杂的版图验证阶段。版图验证包含时序验证、形式验证和物理验证。时序验证进行电压降分析和时序分析,确保时序收敛;形式验证进行两个网表的逻辑等效检查;物理验证进行可制造性、可靠性和设计规则检查,确保版图符合可制造性工艺规则和电路规则。三种验证技术共同指导并约束着数字集成电路的物理实现,灵活配置相关版图验证技术可进一步加快版图验证的进度。; 吕江萍陈超胡巧云; 关键词：超深亚微米版图验证

超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应被引量：4: 2016年; 对0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明:在相同累积剂量,SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤,并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤.虽然NMOSFET低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤,但室温退火后,高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤.研究结果表明0.18μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应.利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型.; 郑齐文崔江维王汉宁周航余徳昭魏莹苏丹丹; 关键词：总剂量辐射效应超深亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管静态随机存储器

超深亚微米耗尽型氮化镓异质结场效应晶体管特性分析: 主要利用silvaco仿真软件ATLAS进行仿真,研究了GaN基HEMT器件的直流特性和交流特性,并主要探究了短沟道效应对器件直流特性和频率特性的影响.研究结果表明:当GaN基HEM器件的栅长逐渐缩短时,导致栅下电势二维...; 王成; 关键词：场效应晶体管短沟道效应电子迁移率

相关作者