搜索到460篇“ 负电容“的相关文章
HfO_(2)基铁电材料准静态电容机理
2025年
HfO_(2)基铁电薄膜的电容现象提供了解决微纳电子器件功耗问题的可行策略,但其物理图像却一直饱受争议。基于Landau-Devonshire和Landau-Khalatnikov方程,对铁电HfO_(2)/介质双层体系开展了理论模拟。结果表明:根植于零场吉布斯自由能及准静态极化-电场曲线的准静态电容理论,难以如实反映极化-电场动态演化轨迹。与准静态电容理论的预言不同,HfO_(2)/介质体系的电容强烈依赖于介质层分压效应,具有瞬态属性。回滞现象与Landau-Khalatnikov方程中的阻尼系数相关,本质上起源于热耗散过程,基于电容匹配原理很难完全消除回滞。与阻尼系数相关的热耗散随频率增大而急剧增加,因此电容场效应晶体管并不适用于高频应用领域。该研究有助于深入理解HfO_(2)基体系中的电容物理起源。
尹志岗董昊程勇吴金良吴金良张兴旺
关键词:负电容回滞吉布斯自由能热耗散
一种光控可调的电容场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种光控可调的电容场效应晶体管及其制备方法,属于晶体管技术领域,晶体管包括对应设置在半导体衬底上的栅极结构,栅极结构包括自下而上依次设置的栅极氧化物介质层、铁电材料层、单结太阳电池层和增强层,铁电材料层与单...
成田恬余晨辉张妍陆义扬罗曼
缓解电容效应的保护电路及其控制方法、电子设备
本申请涉及一种缓解电容效应的保护电路及其控制方法、电子设备,涉及集成电路技术领域,电路包括:第一场效应管被配置为:第一端用于连接直流电源,第二端用于输出第一电信号;抑制电路被配置为:输入端连接第一场效应管的第二端,第一...
蓝晨曦汪红丽何谊方泽锋范丽萍
一种变宽度电容层双栅鳍式场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种变宽度电容层双栅鳍式场效应晶体管及其制备方法,包括半导体衬底、埋氧层、鳍式有源区、栅氧化层、变宽度电容层、隔离氧化层、金属栅和侧墙;鳍式有源区包括沿长度方向依次布设的源区、沟道区和漏区;变宽度电容层...
姚佳飞刘谨诚蒋正飞朱烨沁郭宇锋蔡志匡张茂林李曼杨可萌陈静张珺
具有使用铁电材料的电容的半导体器件
一种半导体器件包括:衬底,该衬底包括第一区域和第二区域;第一界面层,该第一界面层设置在第一区域中的衬底上并具有第一厚度;第二界面层,该第二界面层设置在第二区域中的衬底上,其中第二界面层包括小于第一厚度的第二厚度;第一栅绝...
安国一赵槿汇金成玟朴允文
基于电容效应增强极化和储能特性的薄膜和制备方法
本发明公开了一种基于电容效应增强极化和储能特性的薄膜和制备方法,涉及半导体器件技术领域,薄膜包括:基片、底电极层和顶电极层,基片表面沉积底电极层,底电极层与顶电极层之间交替沉积多层第一反铁电层和第二反铁电层;其中,第一...
张天富李晨宇庞晓露
Mechanical manipulation of the transient negative capacitance effect in resistor-ferroelectric capacitor circuit
2025年
Transient negative capacitance(NC),as an available dynamic charge effect achieved in resistor-ferroelectric capacitor(R-FEC)circuits,has triggered a series of theoretical and experimental works focusing on its physical mechanism and device application.Here,we analytically derived the effects of different mechanical conditions on the transient NC behaviors in the R-FEC circuit based on the phenomenological model.It shows that the ferroelectric capacitor can exhibit either NC(i.e.,“single NC”and“double NC”)or positive capacitance,depending on the mechanical condition and temperature.Further numerical calculations show that the voltage drop caused by NC can be effectively controlled by temperature,applied stress,or strain.The relationship between NC voltage drop and system configurations including external resistance,dynamical coefficient of polarization,and input voltage are presented,showing diverse strategies to manipulate the NC effect.These results provide theoretical guidelines for rational design and efficient control of NC-related electronic devices.
Qian HeWeijin ChenXin LuoYue Zheng
关键词:FERROELECTRIC
基于电容辅助型CLS技术的高精度开关电容积分电路
本发明公开了一种基于电容辅助型CLS技术的高精度开关电容积分电路,该电路包括时钟控制电路、开关电容网络、可调电容阵列、差分运算放大器以及CLS网络,其中可调电容阵列的第一可调电容子阵列,其一端连接差分运算放大器的反相输...
梁宇华刘瑞文朱樟明
一种兼具高储能性能和电容温度系数的介电陶瓷材料及制备
一种兼具高储能性能和电容温度系数的介电陶瓷材料及制备,属于多功能多层陶瓷电容器领域。化学式BaTiO<Sub>3</Sub>‑BaZrO<Sub>3</Sub>‑CaTiO<Sub>3</Sub>,优选20BaTiO<...
侯育冬刘嘉成于肖乐朱满康席凯彪郑木鹏
一种铁电电容晶体管及其制备方法
本发明涉及一种铁电电容晶体管及其制备方法,属于半导体器件技术领域。本发明铁电电容晶体管包括铁电介电材料、无机分子晶体层和沟道材料;所述无机分子晶体层位于铁电介电材料和沟道材料之间;所述铁电介电材料用于在极化翻转时会产...
翟天佑徐永善刘开朗李会巧

相关作者

朱慧珑
作品数:1,194被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
朱传云
作品数:26被引量:65H指数:6
供职机构:佛山科学技术学院
研究主题:负电容 发光二极管 NC GAN 电容-电压特性
王存达
作品数:42被引量:51H指数:6
供职机构:天津大学理学院物理系
研究主题:负电容 多层膜 软X射线多层膜 发光二极管 GAN
殷华湘
作品数:759被引量:17H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
吕伟锋
作品数:54被引量:54H指数:5
供职机构:杭州电子科技大学
研究主题:负电容 多值逻辑 统计分布 数字逻辑 金属栅