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经死区时间调整的脉宽调制
一种脉宽调制电路(100),其具有用于提供第一脉宽调制信号和第二脉宽调制信号(PWM_T_SD;PWM_B_SD)的电路系统(126),在所述第一脉宽调制信号与所述第二脉宽调制信号之间具有死区时间段;用于接收表示负载(...
N·K·纳拉亚纳萨米
一种数字化PDM中波发射机脉宽调制
本实用新型公开了一种数字化PDM中波发射机脉宽调制,该调制包括音频处理电路、功率控制信号处理电路、单片机和功率放大电路;所述单片机内部集成有模数转换脉宽调制波发生;所述音频处理电路、功率控制信号处理电路分别连接...
邹颖丰蒋雅琴杜事桂唐丽韦潜董春光
增强型脉宽调制的发波干预方法、装置、设备与介质
本发明提供了一种增强型脉宽调制的发波干预方法、装置、设备与介质,该方法包括:根据获取的增强型脉宽调制的状态参数和配置参数,确定增强型脉宽调制是否存在异常发波行为,在确定增强型脉宽调制存在异常发波行为时,根据异常发...
高天然
增强型脉宽调制的信号发送方法、装置、设备与介质
本发明提供了一种增强型脉宽调制的信号发送方法、装置、设备与介质,该方法包括:获取第一当前信号的第一相位调整信息、第二当前信号的第二相位调整信息、比较A的第一当前比较值、比较B的第二当前比较值和计数的计数值,利用比...
高天然
一种适配DRM的PDM中波发射机数字脉宽调制调制方法
本发明属于脉宽调制技术领域,公开了一种适配DRM的PDM中波发射机数字脉宽调制调制方法,包括DRM适配板,DRM适配板上安装有数字音频处理电路、功率放大电路、功率控制信号生成电路、FPGA,FPGA上写入DRM调制...
王明伟焦鹏原王永峰王文畅蔡瞻程白建军陶海峰郑洁白永军张智慧张延峰胡玉龙梁常胜胡永力胡开元
一种数字化PDM中波发射机脉宽调制
本发明公开了一种数字化PDM中波发射机脉宽调制,该调制包括音频处理电路、功率控制信号处理电路、单片机和功率放大电路;所述单片机内部集成有模数转换脉宽调制波发生;所述音频处理电路、功率控制信号处理电路分别连接到模...
邹颖丰蒋雅琴杜事桂唐丽韦潜董春光
一种脉宽调制和数字控制系统
本发明公开了一种脉宽调制和数字控制系统,包括:计算逻辑模块用于计算所需的目标脉宽调制信号的脉宽时间值,并将其高位值传输至信号产生模块,将其低位值传输至延时模块,延时模块用于生成多路延时时钟信号,将多路延时时钟信号转换为...
李健剑李岩王天宇田雅涛刘秉坤李海松
一种脉宽调制和数字控制系统
本发明公开了一种脉宽调制和数字控制系统,包括:计算逻辑模块用于计算所需的目标脉宽调制信号的脉宽时间值,并将其高位值传输至信号产生模块,将其低位值传输至延时模块,延时模块用于生成多路延时时钟信号,将多路延时时钟信号转换为...
李健剑李岩王天宇田雅涛刘秉坤李海松
一种脉宽调制及脉冲电源
本发明公开了一种脉宽调制及脉冲电源,包括SG3525芯片、第一可调电阻模块、包含多个档位的拨码开关以及第一定值电容,其中:SG3525芯片的振荡电容端与拨码开关的第一端连接,拨码开关的第二端与第一定值电容连接,SG35...
郭钟宁温亮陈朝大陈晓磊吴明邓宇
基于加速退化试验的脉宽调制贮存寿命预测研究
2024年
脉宽调制作为开关电源的核心件,已广泛应用于航天中,但其贮存寿命会影响电源系统的可靠性,进而影响航天任务执行的成败。在寿命评估中,加速退化试验是常用的试验方法,其中激活能值是预测件贮存寿命的关键,但目前相关标准只有件激活能值的参考范围,缺乏试验相关条件设置的详细描述,这会影响寿命评估的精度。为此,文中以JW1525脉宽调制为研究对象,分析JW1525的结构及工作原理,设计并完成72 h的加速退化预试验,得到件的退化敏感参数作为输出电压。根据预试验结果设计并完成440 h的加速退化正式试验,并结合Arrhenius模型对正式试验结果进行数据处理,得到JW1525的激活能为0.29 eV,常温下贮存寿命将近70年。通过详细的件结构分析和试验开展,得出脉宽调制的激活能和常温贮存寿命,可为后续研究提供数据和试验基础。
游文超孙高宇彭珂菲黄姣英
关键词:加速退化试验脉宽调制器激活能

相关作者

胡进
作品数:51被引量:0H指数:0
供职机构:中国电子科技集团公司第四十三研究所
研究主题:开关电源 脉宽调制器 反馈电路 输入端 DC/DC变换器
刘安
作品数:24被引量:1H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司第四十三研究所
研究主题:开关电源 脉宽调制器 反馈电路 磁复位 励磁电感
孙伟锋
作品数:1,125被引量:575H指数:11
供职机构:东南大学
研究主题:多晶硅栅 栅氧化层 氧化层 金属 电路
徐申
作品数:269被引量:120H指数:6
供职机构:东南大学
研究主题:开关电源 反激变换器 电路 输出电压 氧化层
时龙兴
作品数:1,196被引量:346H指数:9
供职机构:东南大学
研究主题:多晶硅栅 栅氧化层 氧化层 金属 绝缘体上硅