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用于宽带隙超结功率器件的结终端的系统和方法
公开的超结(SJ)器件包括形成SJ器件的第一SJ层的第一外延(epi)层，并且包括设置在第一SJ层上并形成SJ器件的器件层的第二epi层。第一epi层和第二epi层的有源区域包括：包括第一导电类型的特定掺杂浓度的第一组S...
斯蒂芬·戴利·阿瑟维克多·马里奥·托雷斯迈克尔·J·哈提格列扎·甘迪戴维·阿兰·利林菲尔德亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫
同质pn结终端氧化镓肖特基势垒二极管及制备方法
本发明公开了一种同质pn结终端氧化镓肖特基势垒二极管及制备方法，解决了氧化镓p型掺杂困难而异质结漏电高耐压低的问题。本发明自下而上包括：阴极、n‑Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>衬底、n‑Ga<SU...
董鹏飞唐博文周弘张进成张苇杭刘志宏叶安琪
一种结终端拓展结构及其制备方法
本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种结终端拓展结构，包括金属漏极、源区源极金属、栅极金属、终端源极金属以及半导体外延层；所述源区源极金属以及栅极金属与半导体外延层之间均设有多晶硅，其中多晶硅与栅极金属欧姆接触，所...
许一力李鑫刘倩倩
一种垂直型GaN二极管的多级结终端结构及制备方法
本发明属于半导体领域，公开了一种垂直型GaN二极管的多级结终端结构及制备方法；包括：蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上生长有GaN结核层；在所述GaN结核层上生长有硅掺杂的n+‑GaN层，在所述n+‑GaN层上生长有硅掺杂的...
刘召军张靖扬
用于半导体器件的结终端扩展的改进的凹陷区
本公开提出了一种包括半导体本体的半导体器件，其中该半导体本体包括P掺杂结终端扩展JTE区中的一个或多个凹陷区及凹陷区底部的N+植入物，其中凹陷区的深度小于JTE区的深度。还提出了一种制造这种半导体器件的方法。
蒂姆·伯切尔乔治·埃尔-扎马尔马西莫·卡塔尔多·马齐洛
功率晶体管的结终端
本发明公开了一种功率晶体管的结终端，包括介质层、多个场限环组以及多个与场限环组对应的场板；场板在介质层的投影面积大于场限环组在介质层的投影面积；其中，场限环组包括主场限环和多个辅助场限环；主场限环通过介质层的接触孔与对应...
胡巍刘鹏飞覃荣震王梦洁肖强罗海辉
一种半导体结终端结构及其制作方法
本发明公开了一种半导体结终端结构及其制作方法，属于半导体器件，一种半导体结终端结构，包括衬底及衬底上的外延层区域，外延层区域包括终端区域，终端区域包括P‑JTE工作区域、P+JTE工作区域，P+JTE工作区域在P‑JTE...
汪志刚黄孝兵张卓余建祖熊琴钟驰宇
一种半导体结终端结构及其制作方法
本发明公开了一种半导体结终端结构及其制作方法，属于半导体器件，一种半导体结终端结构，包括衬底及衬底上的外延层区域，外延层区域包括终端区域，终端区域包括P‑JTE工作区域、P+JTE工作区域，P+JTE工作区域在P‑JTE...
汪志刚黄孝兵张卓余建祖熊琴钟驰宇
一种三结终端扩展结构的碳化硅功率二极管及其制备方法
本发明公开了一种三结终端扩展结构的碳化硅功率二极管及其制备方法。此器件主要结构为圆柱结构，自下至上依次为N+型SiC衬底层、N‑型SiC漂移层、P+型SiC层；此器件的三个JTE结构，环绕P+型SiC层呈同心圆状自内向外...
余晨辉陈红富沈倪明罗曼
高电压结终端结构
本发明提供了一种高电压结终端结构，用以划分分别位于第一区域以及第二区域的半导体元件。高电压结终端结构包括第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区以及第五掺杂区。第二阱区与第一阱区相邻且接触于界面...
陈柏安
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乔明
作品数：627被引量：131H指数：7
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研究主题：导电类型 功率半导体器件 半导体功率器件 比导通电阻 击穿电压
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研究主题：击穿 击穿电压 结终端 曲率 衬底
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研究主题：击穿电压 结终端 漂移区 元胞 击穿
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研究主题：击穿电压 击穿 结终端 半导体技术 半导体功率器件