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轨道交通用大功率IGBT结电容 退化规律 2024年 结电容 作为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片重要寄生参数之一,与器件开关动态性能密切相关。通过建立IGBT开关动态数学模型,搭建基于IGBT器件级行为模型的双脉冲测试仿真电路,研究了器件内部结电容 对IGBT动态性能的影响规律和机理。进一步地,对机车不同服役时间的IGBT样本的结电容 进行测试分析,验证了仿真模型的有效性。结 果表明,IGBT结电容 随服役时间增长均出现一定程度退化,其中栅极-发射极电容 退化最为显著,进而导致IGBT开关损耗增大。这可能与长时间复杂应力耦合作用造成的栅氧退化、湿气侵入甚至材料特性变化有关。在工程应用中,结电容 退化性能检测可为器件品质评估、状态监测及可靠性分析工作提供参考。关键词：结电容 动态性能 测试结电容 的版图结 构及其设计方法 结电容 的版图结 构及其设计方法，所述测试结电容 的版图结 构包括：阱区，所述阱区用于形成MOS管的测试结 构，所述测试结 构用于测试所述MOS管的结电容 ；位于所述阱区中、且与所述阱区的表面平齐的离子注入区，...结电容 参数测试电路、测试方法以及测试设备结电容 参数测试电路、测试方法以及测试设备，其中，该测试电路中，第一隔直电容 分别与阻抗测量单元的一端以及被测器件的栅极连接，被测器件测量开关分别与被测器件的源极与漏极连接，第二隔直电容 分别与被测器件的源极以及...功率二极管模块结电容 测量方法及装置 结电容 测量方法及装置，所述方法包括：将测试电容 并联在二极管模块两端，向测试电容 施加脉冲高压的同时在二极管模块两端提供初始电压，获取测试电容 电压由零上升至最大值所需的第一充电时长；...一种基于结电容 自身特性的自选频混频电路 结电容 自身特性的自选频混频电路，包括输入匹配模块、扼流滤波电路、选频网络、场效应管、高通滤波电路以及输出匹配模块，输入信号经过输入匹配模块进行阻抗匹配以及调相后，进入扼流滤波电路进行滤波，然后进入场效...一种SOI工艺中结电容 和结 电流的表征方法 结电容 和结 电流的表征方法，包括以下步骤：1）根据BSIM‑BULK模型需要的模型参数，建立SOI器件的BSIM‑BULK模型；2）基于二极管IV和CV测试数据，提取相应模型参数，建立二极管模型...考虑结电容 和跨导非线性的辐射频段EMI分析模型 被引量：1 2024年 结电容 和跨导体的非线性特性,评估了非线性参数对辐射频段噪声的影响,并进一步提出该模型在辐射频段噪声源抑制中的应用。仿真结 果验证了所提计算方法的准确性,基于SiC器件的硬件测试结 果与理论分析相吻合。关键词：结电容 跨导 电磁干扰 开关模型 一种光电二极管的结电容 测量方法及结电容 测量电路 结电容 测量方法及结电容 测量电路，方法包括：在将光电二极管接入结电容 测量电路之前采集LCR并联谐振电路的第一谐振频率，基于第一谐振频率计算将光电二极管接入结电容 测量电路之前的第一电路输入总电容 ；...基于开关瞬态振荡过程的半导体器件输出结电容 测量方法研究 2024年 结电容 随电压的升高非线性变化。为准确提取高压工况下输出结电容 ,提出一种基于开关瞬态振荡过程的半导体器件输出结电容 测量方法。首先,探讨器件关断瞬态激发的高频振荡特征与结电容 的数学关系,并形成对应的测量步骤。其次,从寄生电感、寄生电阻2个方面对影响精度的因素进行讨论。最后,搭建测试平台,对不同型号及封装的半导体器件进行测量结 果的验证。实验表明,所提方法能够测量器件额定工作点处的输出结电容 值,具有测试一致性高、可扩展性强等优势。关键词：非线性 考虑不同温度且结电容 随温度和电压变化的SiC MOSFET建模方法 结电容 随温度和电压变化的SiC MOSFET建模方法，包括：提取SiC MOSFET建模所需要的参数；根据提取的所需要的参数，构建SiC MOSFET的考虑温度变化的电流源模型；构建同时考虑...
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