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- 结型场效应晶体管
- 本实用新型提供了一种结型场效应晶体管，包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的深阱，位于半导体衬底中；场氧化层和多晶硅栅，场氧化层位于第二导电类型的深阱以及第一导电类型的浅阱中，多晶硅栅位于场氧化层上；第一导电类型...
- 李扬杰王维安杨宗凯陈信全尚正阳
- 结型场效应晶体管
- 本发明涉及结型场效应晶体管技术领域，提供结型场效应晶体管，包括晶体管主体、防尘套和固定座，所述晶体管主体的两端均设置有金属条，所述晶体管主体的顶部设置有绝缘结构，所述绝缘结构包括第一包裹层、泡沫层以及第二包裹层，所述第一...
- 焦庆
- 结型场效应晶体管
- 本申请公开了一种结型场效应晶体管。所述结型场效应晶体管包括：漏极区；漏极端，耦接至漏极区；绝缘电极；绝缘端，耦接至绝缘电极；其中：所述结型场效应晶体管具有有源区；所述绝缘电极向漏极端呈现一个电容，该电容的电容值介于有源区...
- 维平达斯·帕拉
- 结型场效应晶体管
- 本实用新型提供一种结型场效应晶体管，结型场效应晶体管包括：衬底；第一导电类型漂移区；第一导电类型源区；第二导电类型栅区，呈包围式结构围绕于第一导电类型源区，结型场效应晶体管的沟道区包含由第二导电类型栅区所包围的限定区域；...
- 雷天飞毛焜
- 结型场效应晶体管
- 本发明公开了一种结型场效应晶体管，其栅极下方有一个以上与沟道导电类型相反的阱埋层。本发明通过在结型场效应晶体管的结构中加入阱埋层，将JFET栅下的沟道分为上下几个部分，由于最上端的沟道宽度远小于最下端的沟道宽度，沟道电流...
- 钱文生
- 结型场效应晶体管
- 本发明公开了一种结型场效应晶体管，包括：N型深阱，在N型深阱表面区域中形成有漂移区场氧，在漂移区场氧底部的N型深阱表面形成有P型顶层；P型顶层具有第一顶层和第二顶层，第一顶层作为JFET的栅极区，被JFET的栅极区覆盖的...
- 王惠惠
- 结型场效应晶体管
- 本发明公开了一种结型场效应晶体管，其栅极下方有一个以上与沟道导电类型相反的阱埋层。本发明通过在结型场效应晶体管的结构中加入阱埋层，将JFET栅下的沟道分为上下几个部分，由于最上端的沟道宽度远小于最下端的沟道宽度，沟道电流...
- 钱文生
- 结型场效应晶体管
- 本发明公开了一种结型场效应薄膜晶体管(JFETFT)，包括：在基底上形成的第一栅极；在所述第一栅极上形成的第一栅极半导体图案；在所述基底和第一导电类型第一栅极半导体图案上形成的第二导电类型半导体沟道层；和在位于所述第一导...
- 斯蒂法诺维克·詹瑞克赵重来李殷洪
- 结型场效应晶体管
- 本发明公开了一种结型场效应薄膜晶体管(JFETFT)，包括：在基底上形成的第一栅极；在所述第一栅极上形成的第一栅极半导体图案；在所述基底和第一导电类型第一栅极半导体图案上形成的第二导电类型半导体沟道层；和在位于所述第一导...
- 斯蒂法诺维克·詹瑞克赵重来李殷洪
- 结型场效应晶体管
- 一种结型场效应晶体管(20)，包括具有沟道区的n型半导体层(1)、在沟道区上形成的缓冲层(3)，以及在缓冲层(3)上形成的p<Sup>+</Sup>区(4a，4b)。缓冲层(3)中的电子浓度低于半导体层(1)中的电子浓度...
- 藤川一洋原田真
