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利用侧壁清洁的离子束蚀刻
图案化的磁阻随机存取存储器(MRAM)堆叠件通过进行主蚀刻蚀穿设置在衬底上的多个MRAM层而形成，其中该主蚀刻包含使用离子束蚀刻(IBE)。在主蚀刻之后，将间隙填充介电材料沉积至图案化的MRAM堆叠件之间的空间中，并且选...
索斯藤·利尔伊凡·L·贝瑞三世
扫描离子束蚀刻
本公开提供一种在晶片蚀刻或沉积工艺期间校正不对称的方法，包括：‑从等离子体源105产生等离子体，所述等离子体源包括等离子体腔室110和离子提取栅格系统150，所述离子提取栅格系统被配置成从所述等离子体产生离子束，所述离子...
萨尔帕加拉·H·海格德文森特·李
一种采用离子束蚀刻分割硅基衬底芯片的工艺制程
本发明公开了半导体加工技术领域的一种采用离子束蚀刻分割硅基衬底芯片的工艺制程，包括如下步骤：(1)晶圆接收；(2)贴BG膜；(3)磨片；(4)UV解胶；(5)清洗甩干；(6)贴PESi膜；(7)等离子切割。为了解决晶圆切...
郑刚
一种基于纳秒激光及复合离子束蚀刻的CVD金刚石抛光方法
本发明公开了一种基于纳秒激光及复合离子束蚀刻的CVD金刚石抛光方法，属于材料表面抛光技术领域，包括：步骤一、金刚石样品的清理；步骤二、采用纳秒激光对样品进行抛光；步骤三、离子束蚀刻抛光样品：对激光抛光后的样品进行超声清洗...
陈岐岱冯昱森刘学青
反应性斜角离子束蚀刻系统以及处理衬底的方法
提供一种反应性斜角离子束蚀刻系统以及处理衬底的方法。所述系统可包括被配置成支撑衬底的衬底台，其中所述衬底的主表面界定衬底平面。所述系统可包括离子源，所述离子源包括提取组件，所述提取组件取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界...
彼得·F·库鲁尼西摩根·艾文斯约瑟·C·欧尔森克里斯多福·A·罗兰德詹姆士·布诺德诺
反应性斜角离子束蚀刻系统以及处理衬底的方法
提供一种反应性斜角离子束蚀刻系统以及处理衬底的方法。所述系统可包括被配置成支撑衬底的衬底台，其中所述衬底的主表面界定衬底平面。所述系统可包括离子源，所述离子源包括提取组件，所述提取组件取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界...
彼得·F·库鲁尼西摩根·艾文斯约瑟·C·欧尔森克里斯多福·A·罗兰德詹姆士·布诺德诺
离子束蚀刻系统
本公开关于一种离子束蚀刻系统，包括配置以提供等离子体的等离子体腔室、屏栅、萃取格栅、加速器格栅和减速器格栅。屏栅接收屏栅电压以从等离子体腔室内的等离子体中萃取离子以形成穿过孔洞的离子束。萃取格栅接收萃取格栅电压，其中屏栅...
杨建勋张克正杨建伦喻鹏飞
STT-RAM结构的离子束蚀刻
本公开提供了用于改善自旋转移矩随机存取存储器(STT‑RAM)结构的蚀刻的各种方法。在一个示例中，该方法包括(1)以接近法向入射正好通过MTJ的堆叠的离子束蚀刻，(2)在窗口化模式中以较大角度的短清理蚀刻以去除沿着从MT...
阿吉特·帕兰杰佩鲍里斯·德鲁兹卡特里娜·罗克纳拉辛汗·斯里尼瓦山
利用低温晶片温度的离子束蚀刻
本发明涉及利用低温晶片温度的离子束蚀刻。本文的实施方式涉及用于在半导体衬底中蚀刻特征的方法和装置。在许多情况下，可在形成自旋扭矩转移随机存取存储器(STT‑RAM)装置的同时蚀刻特征。在各种实施方式中，在特定的处理步骤期...
索斯藤·利尔伊凡·L·贝瑞三世安东尼·里奇
文献传递
原子层蚀刻和离子束蚀刻图案化
提供了一种相对于掩模而选择性蚀刻堆叠件的方法。提供原子层蚀刻以至少对所述堆叠件进行部分蚀刻，其中所述原子层蚀刻形成至少一些残留物。提供离子束以蚀刻所述堆叠件，其中所述离子束蚀刻将来自所述原子层蚀刻的所述残留物中的至少一些...
萨曼莎·西亚姆华·坦塔玛尔·穆克吉杨文兵吉里什·迪克西特潘阳
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汤庆乐
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