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碳化硅器件
本实用新型提供一种碳化硅器件，包括衬底、接触区、层间介质层和金属硅化物层，衬底上形成有外延层，外延层中形成有间隔设置的源区和漏区；接触区位于源区与漏区之间的外延层中并与源区和漏区相接触，且接触区的顶表面低于源区和漏区的顶...
吴健刘立安
碳化硅器件及其制造方法
本发明提供了碳化硅器件及其制造方法。示例性方法包括对第一硬模进行图案化以形成图案化的第一硬模，利用图案化的第一硬模形成具有与第一导电类型相反的第二导电类型的体区。对第二硬模进行图案化以形成图案化的第二硬模，利用图案化的第...
陈伟钿周永昌张永杰
具有SCHOTTKY接触的碳化硅器件
具有SCHOTTKY接触的碳化硅器件。一种碳化硅器件（500）包括碳化硅本体（100），该碳化硅本体（100）包括第一导电类型的源极区（110）、第一导电类型的阴极区（160）和第二导电类型的分离区（140）。条形栅极结...
C.伦德茨R.埃尔佩尔特R.埃斯特韦T.加纳J.P.孔拉特L.韦尔哈恩-基利安
一种碳化硅器件及其制备方法
本发明公开了一种碳化硅器件及其制备方法。本发明通过将金刚石作为衬底在其表面键合碳化硅衬底，并在此基础上生长外延层，再在外延层上制作碳化硅功率器件；在完成晶圆正面工艺步骤后，利用硅通孔工艺技术在金刚石衬底部分开设延伸到金刚...
吴贤勇刘胜北花芯吴冠涛
碳化硅器件及其制作方法
本公开涉及一种碳化硅器件及其制作方法。制作方法包括：提供碳化硅衬底，在碳化硅衬底上形成光刻胶层，并图案化光刻胶层，图案化后的光刻胶层具有第一粗糙度；对图案化后的光刻胶层进行修正处理，修正后的光刻胶层具有第二粗糙度，第二粗...
王士京王兆祥张名瑜王铃沣王昕李俭
一种碳化硅器件测试方法、系统及存储介质
本发明提供一种碳化硅器件测试方法、系统及存储介质，方法包括：获取测试信号，基于测试信号生成加热信号以向碳化硅器件通恒流来加热碳化硅器件；获取碳化硅器件的加热温度，判断加热温度是否达到预设温度，若达到，生成关断信号，基于关...
胡久恒孙浩
一种局部介质调制的横向超结碳化硅器件
本发明公开了一种局部介质调制的横向超结碳化硅器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明包括从下至上依次叠设的半导体衬底、埋氧层、碳化硅有源层和金属层，碳化硅有源层包括局部介质区和超结结构，介质区局部覆盖超结结构两侧及小宽度...
姚佳飞朱烨沁孙启胡子伟郭宇锋李曼陈静杨可萌张珺张茂林
碳化硅外延片、制备方法、碳化硅器件及电子设备
本申请实施例提供了一种碳化硅外延片、制备方法、碳化硅器件及电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高碳化硅外延片的性能。该碳化硅外延片包括衬底、缓冲层和漂移层；缓冲层设置在衬底的一侧，并掺杂有氮杂质和等电子杂质；缓冲层中氮杂...
王朋段焕涛胡彬李文
一种同步测试碳化硅器件的系统、方法及存储介质
本发明提供一种同步测试碳化硅器件的系统、方法及存储介质，系统包括：选择模块、测试切换模块、加热电流切换模块和测量电流切换模块；选择模块，用来安装需要测试的器件，并在安装完成后获取检测信号；测试切换模块接收检测信号，根据检...
胡久恒孙浩
碳化硅器件的光刻对位识别方法及碳化硅器件
本申请公开了一种碳化硅器件的光刻对位识别方法，包括如下步骤：步骤1：在晶圆背面生长氮化硅层并通过光刻刻蚀出对准标记；步骤2：以背面的对准标记进行对位，在晶圆正面进行碳化硅器件制作。本方法开创性的将对位标记设置于晶圆的下方...
张幸陈建华
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张玉明
作品数：1,030被引量：454H指数：11
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张波
作品数：4,983被引量：7,060H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
刘新宇
作品数：893被引量：313H指数：7
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 HEMT
白云
作品数：160被引量：35H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 微波等离子体 肖特基二极管 外延层
张林
作品数：31被引量：0H指数：0
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：碳化硅 芯片 终端结构 碳化硅器件 耐压