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碳化硅半导体被引量:1
2007年
虽然对于电机控制和其他高要求的应用场合,碳化硅仍需进一步发展,但是它能提供良好的热导率、10倍的功率密度和明显比标准硅晶体管更高的开关频率。
Frank J.Bartos辛磊夫(翻译)
关键词:碳化硅半导体电机控制开关频率硅晶体管功率密度热导率
碳化硅半导体装置
本发明提供在高温下能提高基于栅极电压控制的电流控制性的碳化硅半导体装置。在p型基区(23)的比有源区靠外侧的p型基区延伸部(23’)设置p<SUP>+</SUP>型高浓度区(51)。在与半导体基板的正面平行的第一方向X上...
辻崇木下明将
碳化硅半导体装置以及电力变换装置
本发明的碳化硅半导体装置具有形成于活性区域(101)与活性感测区域(102)之间的虚设感测区域(103),具备第1导电类型的漂移层,在活性区域(101),形成包括与源极电极连接的第2导电类型的第1阱区域(30)的SBD内...
川原洸太朗日野史郎
碳化硅半导体装置及其制造方法
得到能够提高成品率的碳化硅半导体装置及其制造方法。第1导电型的碳化硅层(2)具有存在晶体缺陷的缺陷区域。第2导电型的多个阱区域(4)形成于碳化硅层(2)。第1导电型的源极区域(6)形成于阱区域(4)。栅极氧化膜(7)形成...
野口智明
一种集成温度传感器的碳化硅半导体器件
本实用新型涉及碳化硅器件技术领域,公开了一种集成温度传感器的碳化硅半导体器件,其包括N型碳化硅衬底层(102)和N型碳化硅外延层(103),N型碳化硅外延层(103)上设有至少两个P+注入区(105),P+注入区(105...
刘进黄兴汪剑华
一种具有N-top区的碳化硅半导体器件及其制备方法
本发明涉及MOS半导体技术领域,且公开了一种具有N‑top区的碳化硅半导体器件,包括漏极、半导体外延层、源极、栅极,以及覆盖在栅极表面处的栅氧化层,所述半导体外延层包括有N衬底层和N漂移层,所述N漂移层的内部通过离子注入...
许一力李鑫刘倩倩
基于电子辐照的碳化硅半导体探测器性能提升方法
本发明公开了一种基于电子辐照的碳化硅半导体探测器性能提升方法,属于半导体器件领域,包括以下步骤:选取碳化硅半导体探测器;碳化硅半导体探测器分组;电子辐照样品;电子辐照后样品性能测试;确定使碳化硅半导体探测器性能提升的最优...
刘林月高润龙马武英欧阳晓平吴璇
碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法
本发明提供能够有效且尺寸精度良好地形成在与沟槽侧壁分离的部分具有高浓度区的基区的碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法。p型基区(2)由p<SUP>‑</SUP>型沟道区(2a)、在横向与p<SUP>‑</SUP>...
内海诚荒冈干
用于碳化硅半导体晶体沉积的石墨圆环打磨设备和方法
本发明涉及一种半导体晶片加工设备,尤其是一种用于碳化硅半导体晶体沉积的石墨圆环打磨装置和方法。该装置和方法包括打磨装置和圆环抱夹装置,打磨头装置位于所述圆环抱夹装置上方;打磨装置包括打磨摆臂和安装于打磨摆臂端部的打磨头;...
史文涛肖文辉戴毅毅杜海权唐冬冬
碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法
碳化硅半导体装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(53)。碳化硅半导体装置(60)具备第二导电型的半导体基板(1)、第二导电型的第一半导体层(2)、第一导电型的第二半导体层(4)、第...
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相关作者

欧阳晓平
作品数:570被引量:354H指数:11
供职机构:西北核技术研究所
研究主题:闪烁体 探测器 脉冲 半导体探测器 光子晶体
刘林月
作品数:65被引量:29H指数:3
供职机构:西北核技术研究所
研究主题:探测器 闪烁体 快中子 光电转换器件 碳化硅半导体
杨银堂
作品数:1,647被引量:1,668H指数:16
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
杨鑫
作品数:37被引量:3H指数:1
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:纵向电场 异质结 宽带隙半导体材料 硅材料 击穿电压
段宝兴
作品数:224被引量:65H指数:4
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:击穿电压 晶体管 纵向电场 漂移区 比导通电阻