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碳化硅半导体
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
碳化硅
半导体
被引量:1
2007年
虽然对于电机控制和其他高要求的应用场合,
碳化硅
仍需进一步发展,但是它能提供良好的热导率、10倍的功率密度和明显比标准硅晶体管更高的开关频率。
Frank J.Bartos
辛磊夫(翻译)
关键词:
碳化硅半导体
电机控制
开关频率
硅晶体管
功率密度
热导率
碳化硅
半导体
装置
本发明提供在高温下能提高基于栅极电压控制的电流控制性的
碳化硅
半导体
装置。在p型基区(23)的比有源区靠外侧的p型基区延伸部(23’)设置p<SUP>+</SUP>型高浓度区(51)。在与
半导体
基板的正面平行的第一方向X上...
辻崇
木下明将
碳化硅
半导体
装置以及电力变换装置
本发明的
碳化硅
半导体
装置具有形成于活性区域(101)与活性感测区域(102)之间的虚设感测区域(103),具备第1导电类型的漂移层,在活性区域(101),形成包括与源极电极连接的第2导电类型的第1阱区域(30)的SBD内...
川原洸太朗
日野史郎
碳化硅
半导体
装置及其制造方法
得到能够提高成品率的
碳化硅
半导体
装置及其制造方法。第1导电型的
碳化硅
层(2)具有存在晶体缺陷的缺陷区域。第2导电型的多个阱区域(4)形成于
碳化硅
层(2)。第1导电型的源极区域(6)形成于阱区域(4)。栅极氧化膜(7)形成...
野口智明
一种集成温度传感器的
碳化硅
半导体
器件
本实用新型涉及
碳化硅
器件技术领域,公开了一种集成温度传感器的
碳化硅
半导体
器件,其包括N型
碳化硅
衬底层(102)和N型
碳化硅
外延层(103),N型
碳化硅
外延层(103)上设有至少两个P+注入区(105),P+注入区(105...
刘进
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汪剑华
一种具有N-top区的
碳化硅
半导体
器件及其制备方法
本发明涉及MOS
半导体
技术领域,且公开了一种具有N‑top区的
碳化硅
半导体
器件,包括漏极、
半导体
外延层、源极、栅极,以及覆盖在栅极表面处的栅氧化层,所述
半导体
外延层包括有N衬底层和N漂移层,所述N漂移层的内部通过离子注入...
许一力
李鑫
刘倩倩
基于电子辐照的
碳化硅
半导体
探测器性能提升方法
本发明公开了一种基于电子辐照的
碳化硅
半导体
探测器性能提升方法,属于
半导体
器件领域,包括以下步骤:选取
碳化硅
半导体
探测器;
碳化硅
半导体
探测器分组;电子辐照样品;电子辐照后样品性能测试;确定使
碳化硅
半导体
探测器性能提升的最优...
刘林月
高润龙
马武英
欧阳晓平
吴璇
碳化硅
半导体
装置及
碳化硅
半导体
装置的制造方法
本发明提供能够有效且尺寸精度良好地形成在与沟槽侧壁分离的部分具有高浓度区的基区的
碳化硅
半导体
装置和
碳化硅
半导体
装置的制造方法。p型基区(2)由p<SUP>‑</SUP>型沟道区(2a)、在横向与p<SUP>‑</SUP>...
内海诚
荒冈干
用于
碳化硅
半导体
晶体沉积的石墨圆环打磨设备和方法
本发明涉及一种
半导体
晶片加工设备,尤其是一种用于
碳化硅
半导体
晶体沉积的石墨圆环打磨装置和方法。该装置和方法包括打磨装置和圆环抱夹装置,打磨头装置位于所述圆环抱夹装置上方;打磨装置包括打磨摆臂和安装于打磨摆臂端部的打磨头;...
史文涛
肖文辉
戴毅毅
杜海权
唐冬冬
碳化硅
半导体
装置及
碳化硅
半导体
装置的制造方法
碳化硅
半导体
装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(53)。
碳化硅
半导体
装置(60)具备第二导电型的
半导体
基板(1)、第二导电型的第一
半导体
层(2)、第一导电型的第二
半导体
层(4)、第...
俵武志
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