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一种用于TSV钛阻挡层的碱性抛光液及其制备方法: 本发明为一种用于TSV钛阻挡层的碱性抛光液及其制备方法。该抛光液组成包括如下，硅溶胶：2‑20wt％、络合剂：0.2‑2wt％、氧化剂：0.2‑1.2wt％、抑制剂：0.01‑0.1wt％、表面活性剂：0.01‑0.1w...; 潘国峰翟乐杨学莉王辰伟周建伟曹子宜

一种高铝玻璃碱性抛光液及其制备方法和应用: 本发明公开了一种高铝玻璃碱性抛光液及其制备方法和应用，所述高铝玻璃碱性抛光液，按重量百分比计，包含：磨料50～60％；酸碱度调节剂0.2～0.65％；表面活化剂0.1～0.7％；沉淀疏松剂0.3～0.5％；分散剂0.2～...; 李青李赫然余朝栋陈寿银李家国

一种抑制铜钴电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法: 本发明涉及一种抑制铜钴电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法，该碱性抛光液包括以下质量分数的原料组分：包括以下质量分数的原料组分：氨基多羧酸型螯合剂0.3‑2％、BTA抑制剂0.03‑0.15％、过氧化氢氧化剂0.05‑0.2...; 段欣雨万传云吴兆键刘佳旗

一种用于制备亲水性表面硅片的碱性抛光液组合物: 本发明涉及一种用于制备亲水性表面硅片的碱性抛光液组合物，包括研磨颗粒、表面处理剂、PH调节剂、分散剂、表面活性剂及水。其组分按重量百分比计包括：20~40%研磨颗粒，6~12%的表面处理剂，PH调节剂，4~10%的分散剂...; 刘志彪王建荣潘阳

一种抑制铜钴电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法: 本发明涉及一种抑制铜钴电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法，该碱性抛光液包括以下质量分数的原料组分：包括以下质量分数的原料组分：氨基多羧酸型螯合剂0.3‑2％、BTA抑制剂0.03‑0.15％、过氧化氢氧化剂0.05‑0.2...; 段欣雨万传云吴兆键刘佳旗

一种用于钴互连集成电路钴CMP的碱性抛光液及其制备方法: 本发明为一种用于钴互连集成电路钴CMP的碱性抛光液及其制备方法。该抛光液由下述组分构成，按质量百分比计为：硅溶胶1‑8wt％、络合剂0.1‑0.5wt％、抑制剂0.002‑0.03wt％、氧化剂0.20‑1.00wt％、...; 潘国峰曹静伟夏荣阳方淇叶博

一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法: 本发明为一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法。该抛光液同时采用(OHA)与唑类作为抑制剂，通过OHA与唑类抑制剂的协同作用，在使用少量唑类抑制剂的情况下，达到更好的抛光后晶圆表面质量。本发明方法简单，...; 潘国峰王昊夏荣阳何平孙鸣杨学莉王辰伟

一种硅通孔阻挡层碱性抛光液: 本发明为一种硅通孔阻挡层碱性抛光液，包括甘氨酸、精氨酸和唑类化合物，所述精氨酸的加入质量至少为甘氨酸加入质量的1倍，精氨酸含有胍基，精氨酸里的胍基与唑类化合物联合使用时，调配钽和铜的去除速率比。精氨酸分子结构既包含氨基、...; 姜鉴哲王晗笑宋英英张琳

一种硅片碱性抛光液反应检测装置: 本实用新型公开了一种硅片碱性抛光液反应检测装置，包括反应容器，反应容器包括用于对抛光液进行预先反应的预反应台和用于对抛光液进行存储的储液罐，预反应台与储液罐可拆卸连接，预反应台内部设有用于对抛光液进行导流的导流单元和用于...; 侯立春段苏洪陈川

一种硅通孔阻挡层碱性抛光液: 本发明为一种硅通孔阻挡层碱性抛光液，包括甘氨酸、精氨酸和唑类化合物，所述精氨酸的加入质量至少为甘氨酸加入质量的1倍，精氨酸含有胍基，精氨酸里的胍基与唑类化合物联合使用时，调配钽和铜的去除速率比。精氨酸分子结构既包含氨基、...; 姜鉴哲王晗笑宋英英张琳

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