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高电阻率绝缘体上硅衬底及其形成方法: 在一些实施例中，本公开涉及一种高电阻率绝缘体上硅(SOI)衬底及其形成方法。高电阻率绝缘体上硅衬底包括配置在半导体衬底之上的第一多晶硅层、第二多晶硅层、第三多晶硅层、绝缘体层以及有源半导体层。第二多晶硅层配置在第一多晶硅...; 郑有宏吴政达江振豪亚历山大卡尔尼斯基杜友伦陈逸群

一种有效去除12英寸硅衬底体内铜沾污的方法: 本发明公开了一种有效去除12英寸硅衬底体内铜沾污的方法。该方法包括以下步骤：（1）将烤箱预加热至100‑180℃；（2）将待处理硅片放置烤箱中，烤箱精确地缓慢升温至180‑350℃，在该温度下进行长时间保温，保温时间为6...; 王海涛钟耕杭李俊峰张清洋李磊王明霞

一种使用埋层式硅衬底的氮化镓外延片及其制备方法: 本发明公开了一种使用埋层式硅衬底的氮化镓外延片及其制备方法，属于半导体材料技术领域，所述埋层式硅衬底自上而下依次为表层、埋层和基层，表层材料为硅，厚度为1nm至2000nm；埋层材料为氧化硅绝缘材料，厚度为1μm至50μ...; 李慎初陈彦良林立腾

一种蓝宝石衬底与硅衬底热压键合涨缩问题的改善方法: 本发明涉及半导体材料加工技术领域，公开了一种蓝宝石衬底与硅衬底热压键合涨缩问题的改善方法，包括以下步骤：S1、清洗除尘：利用有机清洗台先将蓝宝石基板用溶液进行浸泡，S2、掺杂：通过利用高能离子注入机进行深度掺杂，S3、退...; 张庆李庆张宇

一种应用于改善背面长多晶硅的硅衬底颗粒污染不良的方法: 本发明提供一种应用于改善背面长多晶硅的硅衬底颗粒污染不良的方法，此方法的主要流程如下：对已经完成的硅晶片，使用RCA清洗机进行清洗工序；对已清洗的硅晶片依照以下工艺流程进行：合片，上炉，多晶硅沉积，冷却，分片。完成上述流...; 还胜钦王尚森杨昊蔡雪良李汉生

一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法: 本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法，包括组成阵列的若干异质结单元。异质结单元为二维材料/硅的垂直异质结，阵列是异质结单元的面阵阵列。制备方法为在绝缘层上硅衬底上通过刻蚀顶硅的方式形成图...; 徐杨宁浩吴少雄吕建杭刘粒祥陈丽汪晓晨俞滨

在[111]取向硅衬底上外延附生硒化镓(GaSe)的方法: 本发明涉及在[111]取向硅衬底上外延附生GaSe的方法，其包括：‑选择[111]取向硅衬底的步骤，所述衬底由在斜切方向上切割硅棒(1)而产生，所述斜切方向是三个[11‑2]晶向之一，斜切角(α)小于或等于0.1°，所获...; M·马丁T·巴龙

一种包含大失配应力调控结构的硅衬底氮化镓晶片及其制备方法和应用: 本发明公开了一种包含大失配应力调控结构的硅衬底氮化镓晶片及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该包含大失配应力调控结构的硅衬底氮化镓晶片由硅衬底、氮化铝非晶薄膜阻挡层、超薄多孔氧化铝弱键合解耦合层、氮化铝单晶薄膜成...; 杨少延任顺标刘祥林杨瑞

一种应用于去除硅衬底边缘SiO2膜（EOS工艺）的改进气罩方法: 本发明是一种应用于去除硅衬底边缘SiO2膜(EOS工艺)的改进气罩方法，主要用于硅片长氧化膜后的去除边缘氧化膜的腐蚀工艺，通过改变工具的腔体形态优化腐蚀状态，来达到优化边缘腐蚀均匀性的目的，提升EOS质量。穹顶式设计更有...; 王尚森李汉生蔡雪良

哌嗪对硅衬底CMP速率影响的机理: 2025年; 为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间静电排斥力减小,吸附程度增加,增大了机械作用。接触角测试结果发现哌嗪的加入使抛光液在硅片表面的接触角更小,具有良好的润湿性能。抛光液可以更好地与晶圆表面接触,使去除速率加快。同时通过摩擦系数测试进一步证明了哌嗪提高了抛光过程中的摩擦力,从而提升了抛光速率。X射线光电子能谱(XPS)分析显示,哌嗪与硅片表面发生了化学反应,生成了新的Si—N键,对临近的Si—Si键产生极化,使其在磨料作用下更容易被去除。采用DFT的量子化学计算和分子动力学模拟更深入地表明了哌嗪和硅在分子水平上产生了化学吸附。结果显示,当磨料质量分数为0.5%、哌嗪质量分数为0.5%时,去除速率可达580 nm/min。此外,哌嗪作为一种相对绿色环保的添加剂,更适合实际生产应用。; 刘文博罗翀王辰伟岳泽昊栾晓东邵祥清李瑾; 关键词：硅衬底哌嗪去除速率

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