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双向瞬态电压抑制器
一种双向瞬态电压抑制器装置、结构及其相关方法。该装置包括衬底硅层、第一硅基层和第二硅基层。衬底硅层耦合到第一硅基层。预基硅层形成在衬底硅层和第二硅基层之间。第二硅基层耦合到预基硅层。预基层的极性不同于第二硅基层的极性。
顾兴冲周继峰高超
瞬态电压抑制器件
本申请公开了用于瞬态电压抑制器削波器的钝化设计，公开了一种瞬态电压抑制器器件、装置、结构及其相关方法。该器件包括基板硅层、第一硅基区层和第二硅基区层，基板硅层被耦合到第一硅基区层并耦合到第二硅基区层。该器件还包括创建在第...
龚生安高骏华徐海朋
一种瞬态电压抑制器件
本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器件。该器件包括衬底、第一基底层和第二基底层，衬底被耦接到第一基底层并耦接到第二基底层，以及在第一基底层中形成的一个或多个发射极层。
张环周继峰
一种瞬态电压抑制器件
本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器件。该器件包括衬底、基底层和内层。内层被形成在衬底和基底层之间。第一结被形成在基底层与内层之间，并且第二层被形成在内层与衬底之间。
张环周继峰
一种瞬态电压下降减小的电压调制器
本发明涉及电压调制器技术领域，特别是涉及一种瞬态电压下降减小的电压调制器；本发明的电压调制器，其晶体管M5、M13，以及电阻R3、R4，电容C2、C3实现瞬态电压下降减小功能。当输出电压VOUT快速下降时，变化情况通过电...
姜秀彬赵为
一种可降低低钳位瞬态电压的半导体芯片
本发明公开了一种可降低低钳位瞬态电压的半导体芯片，涉及半导体芯片技术领域，包括背面金属，背面金属的上端设置有衬底层，衬底层的上端两侧分别设置有一号P+隔离区和二号P+隔离区，衬底层的上端中部设置有外延层，外延层的两端分别...
袁磊王凯锋何松霖
IGBT二类短路过程瞬态电压和电流评估方法及装置
本申请实施例提供一种IGBT二类短路过程瞬态电压和电流评估方法及装置，方法包括：响应于IGBT芯片发生二类短路至短路电流达到峰值，根据电路参数建立集电极电流与换流回路电压的关系模型；利用芯片器件的物理特性建立集电极电流与...
季一润袁文迁槐青郝震黄诗洋袁茜李雨黄彬杨敏祥黄晓乐李朋飞宋鹏谢丽芳刘蓁
一种基于瞬态电压法的微秒级器件损伤定位系统
本发明公开了一种基于瞬态电压法的微秒级器件损伤定位系统，首先搭建陷阱表征测试平台，其中包括PPC端、FPGA主控、漏极与栅极的驱动电路、截取放大电路和采集卡；然后将待测器件三端接入漏极与栅极的驱动电路中；通过FPGA主控...
张亚民杜颖晨温茜潘世杰郭春生
一种脉冲负载下的瞬态电压精确测试装置及方法
本发明公开了电源测试领域的一种脉冲负载下的瞬态电压精确测试装置及方法，包括程控直流电源，所述程控直流电源与带负载的被测电源连接并提供电能；电子负载，连接触发信号功能电路并用于输出脉冲电流；触发信号功能电路，与被测电源的负...
郝克鹏胡祥雷周健张志阳张石磊
一种低电容低钳位电压瞬态电压抑制器及其制造方法
本发明涉及一种低电容低钳位电压瞬态电压抑制器及其制造方法。低电容低钳位电压瞬态电压抑制器，在TVS管结构基础上，包含N‑型的硅衬底N‑sub硅片、P型阱PW、P+区、N+区、介质、接地金属层Gnd、接电源金属层VCC、信...
蒋骞苑赵德益赵志方吕海凤张啸王允张彩霞
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李理
作品数：134被引量：0H指数：0
供职机构：北大方正集团有限公司
研究主题：功率器件 外延层 氧化层 导电类型 硅晶片
陈伟元
作品数：88被引量：148H指数：8
供职机构：苏州市职业大学
研究主题：反向漏电流 频率特性 掺杂 台体 刻蚀深度
张常军
作品数：39被引量：1H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：电容 TVS器件 外延层 二极管 半导体集成
蔡懿慈
作品数：175被引量：157H指数：6
供职机构：清华大学信息科学技术学院计算机科学与技术系
研究主题：集成电路 布线 VLSI 供电网络 物理设计
周强
作品数：283被引量：825H指数：15
供职机构：清华大学
研究主题：布线 汉语 集成电路 布线方法 中文信息处理