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衰减相移掩模版及其制程方法
本申请提供一种衰减相移掩模版及其制程方法，涉及半导体制程技术领域。本申请通过提供包括相对设置的第一表面及第二表面的透明基板，接着在透明基板的第一表面上形成遮光膜层，并遮光膜层上蚀刻出用于表示目标掩模图案的图案沟槽，得到待...
陈庆煌柯思羽刘志成王见明
用于极紫外光刻的相移掩模
用于极紫外光刻工艺的相移掩模包括衬底、位于所述衬底上的反射层、位于所述反射层上的覆盖层和位于所述覆盖层上的相移图案。每个所述相移图案可以包括位于所述覆盖层上的下吸收图案和位于所述下吸收图案上的上吸收图案。所述上吸收图案的...
金成洙金东完徐焕锡
掩模坯料及其制造方法、相移掩模及其制造方法
本发明提供了一种掩模坯料及其制造方法、相移掩模及其制造方法；该掩模坯料包括依次层叠设置的透光性基板、刻蚀截止膜、相移膜、遮光膜和硬掩膜，其中，刻蚀截止膜的材料包括金属元素和非金属元素，金属元素选自Cr、Ta、Hf、Zr、...
余晴刘树围潘刘洋马浩
相移掩模的制作方法
本申请公开了一种相移掩模的制作方法，涉及半导体制造领域。该相移掩模的制作方法包括提供掩模基板；根据第一层图形设计数据，对掩模基板进行第一次图形化处理；在掩模基板表面涂布光刻胶；根据第二层图形设计数据，对光刻胶进行曝光和显...
居碧玉栾会倩张丽娜王影王奇
一种相移掩模的制作方法
本发明涉及一种相移掩模的制作方法，其将光罩图形分解为高精度的芯片设计图形和次级精度的辅助图形，高精度的芯片设计图形在一次描画的时候采用高精度的光刻机进行描画，次精度的辅助图形在二次描画的采用低精度的光刻机同时进行描画，可...
李大海 卢青 黄宇光 黄志贤
相移掩模的相位信息获取方法
本发明提供一种相移掩模的相位信息获取方法，所述方法包括如下步骤：在相移掩膜的透射率为第一透射率的状态下，获取以使通过相移掩膜的光的强度达到最大值的方式移动焦点的第一焦点变化量，其中根据相移掩膜的第一相位获取第一焦点变化量...
张在爀具周会金泰俊崔男一
相移掩模以及相移掩模的制造方法
提供雾度缺陷少、即能够充分地抑制雾度的产生的相移掩模以及该相移掩模的制造方法。本实施方式涉及的相移掩模(100)是适用于波长为200nm以下的曝光光、具备电路图案的相移掩模，具备：基板(11)、在基板(11)上形成且具备...
米丸直人 黑木恭子 小岛洋介
相移掩模板遮光带的检测方法
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种相移掩模板遮光带的检测方法。该方法包括：对所述待测相移掩模板进行第一次曝光操作形成第一曝光区；所述检测透光部中的检测结构经过所述第一次曝光操作形成B初始检测图形；对所述待...
董俊金佩张其学王雷宋振伟张守龙
相移掩模以及相移掩模的制造方法
提供雾度缺陷少、即能够充分地抑制雾度的产生的相移掩模以及该相移掩模的制造方法。本实施方式涉及的相移掩模(100)具备：基板(11)、在基板(11)上形成且具备电路图案的相移膜(12)、以及在相移膜(12)的上面(12t)...
黑木恭子 松井一晃 小岛洋介 米丸直人
一种衰减相移掩模分析方法及装置
本申请提供了一种衰减相移掩模分析方法及装置。在执行方法时，先将待仿真的衰减相移掩模结构在垂直于表面的方向上划分成若干个层，后将若干个层的每一层视为沿垂直于表面的方向上的波导，基于若干个层建立波导模型，然后对波导模型求解得...
李晨董立松韦亚一
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相关作者

冯伯儒
作品数：109被引量：225H指数：9
供职机构：中国科学院光电技术研究所
研究主题：光刻 相移掩模 光刻系统 干涉光刻 掩模
张锦
作品数：139被引量：234H指数：8
供职机构：西安工业大学光电工程学院
研究主题：光刻系统 干涉光刻 光刻 光刻技术 激光干涉
侯德胜
作品数：63被引量：141H指数：6
供职机构：中国科学院光电技术研究所
研究主题：相移掩模 光刻 激光直写 光刻掩模 衰减相移掩模
孙方
作品数：9被引量：4H指数：2
供职机构：中国科学院光电技术研究所
研究主题：衰减相移掩模 相移掩模 光致抗蚀剂 光刻分辨率 KRF准分子激光
周崇喜
作品数：115被引量：248H指数：8
供职机构：中国科学院光电技术研究所
研究主题：光束整形 半导体激光器 微透镜阵列 透镜 光纤耦合