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一种测定块状氮化铝中痕量杂质元素含量的方法: 本发明涉及分析检测技术领域，公开了一种测定块状氮化铝中痕量杂质元素含量的方法。该方法包括：（1）将钽片与第一酸性溶剂进行第一接触，得到腐蚀钽片；以及将待测块状氮化铝样品与第二酸性溶剂进行第二接触，得到腐蚀待测块状氮化铝样...; 谭秀珍李江霖李瑶邓育宁朱刘

辉光放电质谱法(GDMS)测定高纯氯化镧中71种痕量杂质元素: 2025年; 氯化镧纯度对于产品性能至关重要,对其杂质元素的检测需求日益增长。对此,采用辉光放电质谱法(GDMS)测定高纯氯化镧中的痕量杂质元素。鉴于氯化镧粉末极易吸水潮解,将氯化镧粉末充分烘干后放进手套箱中,将高纯氯化镧粉末压在高纯金属铟上,密封取出再移入仪器进行测定。通过调整仪器参数、制样方法等实验条件以达到最优测试条件,测定了高纯氯化镧中71种杂质元素,同时用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)对部分元素进行定量分析。结果表明,最优测试条件为取样量4 mg、样品覆盖直径4 mm、放电电流45 mA、气体流量325 mL/min、预溅射时间12 min。方法的检出限为0.015~0.078μg/g,定量限为0.05~0.26μg/g。元素含量小于0.10μg/g,其相对标准偏差(RSD,n=6)小于20%,元素含量在0.10~1.0μg/g的RSD小于10%,元素含量大于1.0μg/g的RSD小于5%,精密度较好。部分含量较高元素(含量大于0.5μg/g)测定值与ICP-MS测定值的相对偏差小于30%,表现出较好的一致性。方法的精密度和准确性良好,同时操作简便,对于稀土氯化物和稀土盐样品痕量杂质测定具有借鉴意义。; 汤云腾张其凯袁晓红宋立军; 关键词：高纯铟

用于测量氢气中痕量杂质浓度的系统和方法: 本发明涉及一种用于测量氢气中痕量杂质浓度的系统和方法，痕量杂质包括含硫化合物、甲醛和甲酸中的一种或几种，系统包括：气体浓缩单元，包括捕集装置和气体收集计量装置，用于通过捕集装置对预设体积的待测氢气中的痕量杂质进行低温捕集...; 王亚敏张祎玮徐聪徐广通李长秀

电感耦合等离子体质谱测定钼酸铵中12种痕量杂质元素时的基体干扰消除研究: 2025年; 钼酸铵中痕量杂质的准确测定是产品质量控制的关键,为了向钼酸铵质量检测和产品控制提供可靠的数据支撑,采用在线加入内标–电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)分析钼酸铵中镁、铝、钙、铬、铁、锰、镍、铜、砷、镉、锑、铅12种痕量元素的含量.利用盐酸–硝酸–氢氟酸溶解样品,对比探究了气溶胶稀释法、基体匹配和在线内标法消除基体干扰的效果,最终使用在线加入多种内标法以消除高纯钼基体带来的干扰.试验结果表明,各元素标准曲线的线性相关系数均大于0.9990,检出限为0.008~0.2 ng/mL,相对标准偏差在0.10%~0.38%范围内,各元素的加标回收率为90%~108%,并且有效消除了基体干扰.同时将样品送至权威的外检机构,测试结果均在允差范围内,表明方法准确度高、精密度好,满足市场上对钼酸铵产品中痕量杂质元素含量的准确检测需求.; 肖子廉李玲君; 关键词：电感耦合等离子体质谱内标法钼酸铵

镁及镁合金化学分析方法　第24部分：痕量杂质元素的测定　辉光放电质谱法: 本文件描述了镁含量大于99.9%的原生镁锭中痕量杂质元素含量的测定方法。本文件适用于镁含量大于99.9%的原生镁锭中痕量杂质元素含量的测定。测定范围见表1。本文件不适用于镁及镁合金化学成分分析的仲裁。; 王长华胡芳菲周阿蒙刘英波杨海岸李继东刘鹏宇袁侨励谭秀珍李琦刘若彤张璇

GD-MS法在测定太阳能级多晶硅中痕量杂质中的应用研究: 2025年; 采用辉光放电质谱法(GD-MS)对太阳能级多晶硅中的Na、B、Ni、Co、Fe、Mn、Cu、Ti、Mg等痕量杂质元素进行了测定,通过优化并选择GD-MS的工作参数,考察了在半定量条件下GD-MS法测定痕量杂质的精密度。结果表明,采用GD-MS法测定太阳能级多晶硅中Na、B、Ni、Co、Fe、Mn、Cu、Ti、Mg等元素时相对标准偏差都小于30%。并将GD-MS法的测定结果与电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)的测定结果进行了对比,结果表明两者的测试结果基本一致,从而证明了GD-MS法在测定太阳能级多晶硅中痕量杂质方面的有效性。; 王鑫陈潇何友琴张鑫王东雪; 关键词：辉光放电质谱法

一种乙硅烷中痕量杂质元素的检测方法: 本发明提供一种乙硅烷中痕量杂质元素的检测方法，采用本发明的方法能够有效去除硅基质对关键杂质元素的检测干扰，利于准确灵敏的同步检测乙硅烷中多种痕量杂质元素。所述检测方法包括如下步骤：1)对乙硅烷待测样品进行前处理：将所述乙...; 陈刚军韩雪周明星付乾坤葛玉英

一种清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法: 本发明涉及一种清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，属于化学检测分析技术领域。本发明的方法包括以下步骤：S1、向微波消解管内加入混合酸；S2、将微波消解管放入微波消解仪，进行微波清洗；S3、取出微波消解管，向微波消解管内加...; 吴华

芯片铜互联高纯硫酸铜中痕量杂质元素的测定: 2024年; 利用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)同时测定了芯片铜互联高纯硫酸铜溶液中的19种杂质元素。考察了射频发生器功率、雾化器压力、雾化气流量和积分时间对分析元素信背比的影响,确定仪器最佳的条件为:射频发生器(RF)功率为1150W,雾化器压力为0.2MPa,雾化气的流量为0.5L/min,水平积分时间为:短波15s,长波5s。实验采用标准加入法和内标法降低或消除基体干扰,并选择合适的分析谱线,同时测定了高纯硫酸铜中19种杂质元素的含量。分析方法准确,简单,快速,方法检出限为0.0001-0.024mg/L,加标回收率为86.1%-119.3%,相对标准偏差(RSD)小于5%,能满足实际需求。; 方云英; 关键词：痕量杂质元素痕量杂质元素

一种高纯金属样品中痕量杂质的质谱定量检测方法: 本发明公开了一种高纯金属样品中痕量杂质的质谱定量检测方法，所述检测方法包括如下步骤：S1：准备至少两个标准样品；S2：使用飞秒激光剥蚀系统对高纯金属样品进行剥蚀后质谱检测；S3：使用相同的剥蚀参数对标准样品进行剥蚀后质谱...; 胡勇刚陈国荣王忠强

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