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提取半导体器件界面态密度的方法、电子设备和存储介质
本发明公开了一种提取半导体器件界面态密度的方法、电子设备和存储介质，其中，提取半导体器件界面态密度的方法包括：根据半导体器件的栅漏转移特性获得栅极电压对应的漏极电流；根据所述漏极电流获得所述半导体器件导电沟道处的表面势；...
杨燎吴海平卢汉汉成国栋
一种降低SiC-MOS器件界面态密度的方法及MOS电容
本发明提供一种降低SiC‑MOS器件界面态密度的方法及MOS电容，所述方法包括：提供碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成二氧化硅氧化层；采用快速退火工艺进行纯氧气退火；采用快速退火工艺进行纯氮气退火；在所述二氧化硅氧化层上...
李秀妍孟俊豪司梦维
降低SiO<Sub>2</Sub>/4H-SiC界面态密度的方法及应用
本发明公开了降低SiO<Sub>2</Sub>/4H‑SiC界面态密度的方法及应用。所述处理方法包括：提供界面结构；进行低温等离子体处理，所采用的等离子体气氛包含N<Sub>2</Sub>O；之后进行高温快速退火处理，获...
赵德胜 袁旭 宗肖航 李铭聪 张宝顺
一种改善MOSFET中SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面态密度的方法
本发明提供了一种改善MOSFET中SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面态密度的方法，上述方法包括：首先，提供SiC外延片，SiC外延片包括N型SiC衬底以及设置于N型SiC衬底上的P型SiC外延层；其次，采用热氧化...
李濬卓 余金 郑兵 何飞
GaN基半导体的界面态密度测试结构
本实用新型公开了一种GaN基半导体的界面态密度测试结构，该测试结构在GaN外延层上设有无源区和有源区，有源区上设有欧姆金属层，在无源区、欧姆金属层及无源区与欧姆金属层之间的有源区上覆盖有钝化层，钝化层上设有肖特基金属层，...
蔡文必王哲力靳义昌邹冠许亚红
低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法
本发明涉及一种低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法，提供碳化硅晶片、制备于所述碳化硅晶片正面上的氧化膜以及制备于所述氧化膜上的正面元胞结构；...
袁述黎力苗青陈蕾
一种半导体-绝缘体界面态密度和俘获截面的测试方法
本发明公开了一种半导体‑绝缘体界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长绝缘体薄膜，接着在绝缘体薄膜表面生长金属薄膜，进而制得金属‑绝缘体‑半导体结构的MIS器件；(2)对上述MIS器件在不...
余学功胡泽晨董鹏杨德仁
计算纳米CMOS器件中应力致界面态密度变化量的电荷泵方法
本发明公开一种计算纳米CMOS器件中应力致界面态密度变化量的电荷泵方法，在传统CP方法的基础上测量纳米小尺寸器件的初始状态和应力状态下的衬底电流，从中提取出真实的电荷泵电流I<Sub>CP</Sub>，计算出应力产生的界...
马丽娟鲁明亮王旭吴建宁朱增力马先良
一种氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法
本发明公开了一种氧化硅‑硅界面态密度和俘获界面的测试方法，包括以下步骤：(1)在硅片表面单面生长氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜表面生长金属薄膜，最后在硅片另一表面刮擦InGa溶液，进而制得适用于电学测试的MIS结构器件；(...
余学功秦亚洲胡泽晨董鹏崔灿杨德仁
表面处理降低GaAs界面态密度的研究
2019年
GaAs材料经机械研磨后,表层形成粗糙界面,用酸碱法表面处理GaAs,使Ga-O、As-O键断裂并修复粗糙界面,处理效果通过电导法测量界面态密度与XPS分析界面化合物价态来表征。结果表明酸碱处理均可降低界面态密度与表面Ga、As氧化物,且酸处理的效果优于碱处理,Ga-O化合物去除率高于As-O化合物去除率,界面态密度的降低可能主要与Ga化合物的减少相关。
肖和平王瑞瑞
关键词：表面处理GAAS界面态密度结合能
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刘洪刚
作品数：184被引量：12H指数：2
供职机构：桂林电子科技大学
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
常虎东
作品数：127被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 迁移率 半导体器件
张玉明
作品数：1,030被引量：454H指数：11
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
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作品数：1,323被引量：363H指数：11
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 晶体管 沟道 存储器 超大规模集成电路
安霞
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供职机构：北京大学
研究主题：锗 沟道 超大规模集成电路 场效应晶体管 淀积