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一种电容器陶瓷粉体、其制备方法及MLCC: 本发明公开了一种电容器陶瓷粉体、其制备方法及MLCC，属于电容器介质材料技术领域。由主成分、辅助成分、烧结助剂组成；所述主成分为BaTiO3；所述辅助成分由R1、R2、R3、R4、R5组成；所述R1...; 杨爱民张莹刘永富郑禹孙致远曹春晓杨博张巧云

一种可耐受高冷高热的低铅电容器陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种可耐受高冷高热的低铅电容器陶瓷及其制备方法，该电容器陶通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x)Pb(Zr0.8</S...; 乔双健徐海明黄军王金刚石凯祥

一种可耐受高冷高热的低铅电容器陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种可耐受高冷高热的低铅电容器陶瓷及其制备方法，该电容器陶通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x)Pb(Zr0.8</S...; 乔双健徐海明黄军王金刚石凯祥

MgNb_(2)O_(6)掺杂(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷介电性能的研究: 2024年; 采用固相法制备MgNb_(2)O_(6)(MNO)掺杂(Ba_(0.79)Sr_(0.21))TiO_(3)((Ba,Sr)TiO_(3))基电容器陶瓷。采用XRD、SEM等研究了MgNb_(2)O_(6)掺杂对(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷的物相、显微结构及介电性能影响。结果表明,随着MNO掺杂量的增加,(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷的介电常数逐渐减小,陶瓷的介电损耗先增大后减小再增大,陶瓷的电阻率先减小后增大再减小,陶瓷的耐压强度先减小后增大再减小。当MNO掺杂量(质量分数)为2.0%时,陶瓷的介电常数达到最大值(为1670),陶瓷的介电损耗有最小值(为0.0056)。当MNO掺杂量(质量分数)为8%时,陶瓷的电阻率有最大值(为65.23×10^(10)Ω·cm),耐压强度的最大值为7.7 kV/mm(DC)。当掺杂MNO量(质量分数)为10%时,陶瓷的电容温度变化率为+0.18%,-28.29%。MNO掺杂(Ba,Sr)TiO_(3)基电容器陶瓷是钙钛矿结构。掺杂MNO能够降低陶瓷的电容温度变化率。; 陈映义陈磊彭道华陈甲天陈应和黄新友牛继恩; 关键词：钛酸锶钡介电性能掺杂陶瓷

一种提高穿心电容器陶瓷芯片印刷质量的工装: 本实用新型涉及陶瓷芯片印刷技术领域，具体涉及一种提高穿心电容器陶瓷芯片印刷质量的工装，包括载板和涂装组件，涂装组件与载板固定连接，并位于所述载板的下方，涂装组件为芯片的固定提供了支持，同时也能便于载板的翻转，防止载板在翻...; 常乐唐晓勇肖富强杨航

一种多层陶瓷电容器陶瓷晶粒的分析方法: 本申请提出了一种多层陶瓷电容器陶瓷晶粒的分析方法，结合了酸腐蚀和热腐蚀的优点，包括：对多层陶瓷电容器进行切片抛光处理以暴露其内电极；通过预设化学溶液溶解多层陶瓷电容器的内电极；将溶解内电极后的多层陶瓷电容器放入马弗炉中进...; 李冬梅黄木生吴炜坚林显竣江孟达

一种多层陶瓷电容器陶瓷晶粒的分析方法: 本申请提出了一种多层陶瓷电容器陶瓷晶粒的分析方法，结合了酸腐蚀和热腐蚀的优点，包括：对多层陶瓷电容器进行切片抛光处理以暴露其内电极；通过预设化学溶液溶解多层陶瓷电容器的内电极；将溶解内电极后的多层陶瓷电容器放入马弗炉中进...; 李冬梅黄木生吴炜坚林显竣江孟达

一种电容器陶瓷粉体、其制备方法及MLCC: 本发明公开了一种电容器陶瓷粉体、其制备方法及MLCC，属于电容器介质材料技术领域。由主成分、辅助成分、烧结助剂组成；所述主成分为BaTiO3；所述辅助成分由R1、R2、R3、R4、R5组成；所述R1...; 杨爱民张莹刘永富郑禹孙致远曹春晓杨博张巧云

一种芯片电容器陶瓷片的烧结方法: 本发明公开了一种芯片电容器陶瓷片的烧结方法，采用的工具为两块氧化锆板和多块用于垫烧的陶瓷片，烧结方法包括以下步骤：步骤1：将需要烧结的芯片电容器陶瓷片放在两块氧化锆板之间；步骤2：在氧化锆板四个角分别垫放厚度较大的陶瓷片...; 杨凯张勇黄必相黄攀于丽平穆超

钛酸钡基多层电容器陶瓷的微结构与性能关系研究: BaTiO3（BTO）因其高介电常数、低介电损耗以及环境友好等优良特性而被广泛应用于多层陶瓷电容器（MLCC）领域。纯BTO陶瓷的温度相变特性不利于电子元器件应用,因此,许多研究人员通过掺杂元素以提升BTO陶瓷的宽温区介...; 黄佳燕; 关键词：钛酸钡固溶畴结构

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