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一种基于3ω电学的金刚石晶体片热导率测试方
本发明公开了一种基于3ω电学的金刚石晶体片热导率测试方。测试方包括金刚石晶体片的热电信号电极设计与制备、测试频率设计与控制、3ω电学参数控制与测试、金刚石晶体片热导率高精度拟合分析。基于3ω电学,通过对热电信号...
郭怀新李义壮王瑞泽孔月婵陈堂胜
一种适用于3ω电学的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置
本发明涉及一种适用于3ω电学的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置,包括装置控制腔体、晶圆级衬底承载台、电路探针互联模块、测试温控模块、温度显示模块及真空控制模块;装置控制腔体用于实现其他模块的集成固定;晶圆级衬底承...
郭怀新 姜文海 陈堂胜
红外热像发射率校正及电学温度补偿方被引量:1
2023年
主要对提升半导体分立器件红外热像结温测量精度,及其与电学温度补偿技术进行研究,从而实现电学与红外热像两者在结温方面的互通性。根据器件材料在不同温度下有不同发射率的理论基础,结合试验研究器件高结温发射率校正技术提升红外热像结温测试精度,在此基础上理论与试验分析红外热像电学的温度补偿方,实现只进行红外热像电学中的一种方就可获得另一种方的结温。
吕贤亮王义才李旭孙淼
关键词:半导体分立器件红外热像法电学法发射率结温
一种基于3ω电学的金刚石晶体片热导率测试方及系统
本发明公开了一种基于3ω电学的金刚石晶体片热导率测试方及系统,测试方包括金刚石晶体片的热电信号电极设计与制备、测试频率设计与控制、3ω电学参数控制与测试、金刚石晶体片热导率高精度拟合分析。本发明基于3ω电学,通...
郭怀新王瑞泽李义壮姜文海孔月婵
基于3ω电学的微纳级半导体材料传热能力测试方及系统
本发明公开了一种基于3ω电学的微纳级半导体材料传热能力测试方及系统,测试方包括半导体薄膜测试隔离层设计与制备、热电信号电极设计与制备、3ω电学参数控制与测试、微纳级半导体材料传热能力高精度计算分析。基于3ω电学...
郭怀新王瑞泽李义壮戴家赟陈堂胜
电学热阻测试切换误差评估方研究被引量:1
2023年
半导体器件电学热阻测试过程中,电流切换带来的误差是影响测试准确性的重要原因,且该误差目前尚无有效方评估。在对误差原理分析基础上,设计了“双芯片”测试回路结构避免电流切换,得到不含切换误差的结温参考量值,实现了对仪器测试结果的有效评估。结果显示,该方能够对热阻测试仪切换过程误差进行定量评估,在热阻测试仪计量方面具有较好的实际意义。
李灏刘岩翟玉卫丁晨丁立强吴爱华
关键词:计量学
一种适用于3ω电学的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置
本发明涉及一种适用于3ω电学的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置,包括装置控制腔体、晶圆级衬底承载台、电路探针互联模块、测试温控模块、温度显示模块及真空控制模块;装置控制腔体用于实现其他模块的集成固定;晶圆级衬底承...
郭怀新 姜文海 陈堂胜
基于电学的GaN功率器件热阻测试研究
2022年
针对功率器件的热阻测试需求,开展了基于电学的GaN器件热阻测试方研究。分别采用Vgs和Vds温敏参数进行电学测试对比,分析了其温敏特性差异、测试电流、及加热电流对热阻测试结果的影响,通过集成电学与红外测试系统对热阻测试结果进行了对比,验证了两种测试结果的可信性。测试结果表明,Vgs和Vds呈现不同趋势的线性温度特性,电压Vds对于温度的响应显著低于Vgs,且热敏参数的选择是影响GaN功率器件热阻测试结果的主要原因。
刘羽炎朱建垣罗潇
关键词:热阻测试GAN功率器件
填埋场衬层渗漏的电学检测研究进展被引量:4
2021年
综述了几种常用的填埋场渗漏检测方,指出电学已成为填埋场不同运行阶段(施工期和运营期)渗漏检测的主流方。分析了各阶段电学检测方的适用条件和优缺点,在防渗膜铺设阶段,常利用双电极或电极-偶极子进行施工完整性检测;在填埋场运营期间,根据场地实际情况可以选择电极格栅、基于物联网的监测预警云平台、阵列式偶极子或高密度电进行膜渗漏检测及长期监测。
刘景财孙晓晨能昌信董路郑开达
关键词:垃圾填埋场渗漏检测电学法
一种基于电学的高准度水汽透过率测试模型
2021年
针对传统电学水汽透过率(water vapor transmission rate,WVTR)测试高精度、低准度的问题,提出了一种电流分布特性修正的高准度WVTR测试模型,并基于此测试模型设计了一套完整的、易于使用的WVTR测试系统.系统硬件采用了便于维护的高适应性夹具、全封闭测试环境等设计,软件采用了多线程、时间误差补偿、自适应修正等算.理论分析和实际测试结果表明,修正后的WVTR测试模型及测试系统实现了兼具使用成本低和高精度、高准度的设计目标.
李泽文张建华郭爱英
关键词:封装电学法误差补偿

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冯士维
作品数:252被引量:303H指数:9
供职机构:北京工业大学
研究主题:热阻 半导体器件 结温 温升 电学法
郭春生
作品数:168被引量:175H指数:8
供职机构:北京工业大学
研究主题:结温 热阻 半导体器件 激活能 可靠性
吕长志
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供职机构:北京工业大学
研究主题:可靠性 晶体管 加速寿命试验 ALGAN/GAN_HEMT IGBT
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研究主题:可靠性 IGBT 晶体管 加速寿命试验 热阻
张建华
作品数:1,537被引量:7,333H指数:42
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研究主题:薄膜晶体管 电极 电力系统 知识管理 基板