2025年7月18日
星期五
|
欢迎来到广东省立中山图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
搜索到
7306
篇“
电子迁移率
“的相关文章
资源类型:
全部数字资源类型
期刊文章
政策法规
学位论文
专利
会议论文
标准
专著
科技成果
产品样本
科技报告
全部数字资源类型
全部数字资源类型
期刊文章
政策法规
学位论文
专利
会议论文
标准
专著
科技成果
产品样本
科技报告
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
高
电子
迁移率
晶体管
本发明公开一种高
电子
迁移率
晶体管,该制作高
电子
迁移率
晶体管的方法为,首先形成一缓冲层于一基底上,然后形成第一阻障层于该缓冲层上,形成一图案化掩模于第一阻障层上,形成一第二阻障层于图案化掩模两侧,去除该图案化掩模以形成一凹...
杨柏宇
高
电子
迁移率
晶体管
本公开涉及半导体结构,更具体地说,涉及高
电子
迁移率
晶体管和制造方法。该结构包括:半导体衬底;至少一个绝缘体膜,其位于半导体衬底上方,该至少一个绝缘体膜包括凹陷;以及场板,其延伸到至少一个凹陷内并且位于至少一个绝缘体膜上方...
M·D·莱维
J·A·康塔洛夫斯基
M·J·齐拉克
S·沙马
S·J·本特利
高
电子
迁移率
晶体管及其制备方法
本申请实施例涉及一种高
电子
迁移率
晶体管及其制备方法,其中,高
电子
迁移率
晶体管包括:衬底;位于衬底上的异质结结构,异质结结构包括沿远离衬底的方向依次层叠的沟道层和势垒层,在沟道层的至少部分靠近势垒层的区域中形成有二维
电子
气...
李翔
高
电子
迁移率
晶体管及其制备方法
本公开实施例提供了一种高
电子
迁移率
晶体管及其制备方法,属于半导体技术领域。该高
电子
迁移率
晶体管包括衬底、沟道层、势垒层、钝化层和帽层,衬底、沟道层、势垒层和钝化层依次层叠,钝化层具有露出势垒层的通孔;帽层位于钝化层的远离...
杨清汝
田文
王珺楠
高
电子
迁移率
晶体管及其制备方法
本申请实施例涉及一种高
电子
迁移率
晶体管及其制备方法,属于半导体技术领域;其中,晶体管包括:衬底;位于衬底上的异质结结构,异质结结构包括沿远离衬底的方向依次层叠的沟道层和势垒层,在沟道层的至少部分靠近势垒层的区域中形成有二...
李翔
P-GAN高
电子
迁移率
晶体管场板
一种高
电子
迁移率
晶体管(HEMT),包括设置在表面上的源极、设置在表面上的漏极、在源极和漏极之间设置在表面上的栅极以及在栅极和漏极之间设置在表面上的第一场板。在某些实施方案中,第一场板包括p型掺杂氮化镓(P‑GAN)。在...
A·谢比卜
S·拉加比
一种高
电子
迁移率
晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高
电子
迁移率
晶体管及其制备方法,涉及晶体管设计技术领域。包括依次堆叠的衬底、成核层、缓冲层和电极层,缓冲层和电极层之间设置有至少一组多沟道结构,多沟道结构包括多个异质结结构层和盖帽层,所有异质结结构层堆叠...
李国强
吴昌桐
一种高
电子
迁移率
晶体管及其制备方法
本发明提供一种高
电子
迁移率
晶体管及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括在第二N+型掺杂层上沉积金属以分别形成源极和漏极。在第二N+型掺杂层上形成第一凹槽。在砷化铟镓刻蚀阻挡层和第一N型掺杂层上形成第二凹槽。在砷化铝刻蚀阻...
何先良
林志东
魏鸿基
高
电子
迁移率
晶体管芯片及其制备方法
本公开公开了一种高
电子
迁移率
晶体管芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。高
电子
迁移率
晶体管芯片包括源极、漏极、栅极和外延层;外延层包括依次层叠的沟道层、势垒层和盖帽层,盖帽层为P型GaN层;源极、漏极和栅极位于外延层的同...
郭利利
王珺楠
田文
胥鹏程
杨清汝
一种高耐压的高
电子
迁移率
晶体管
本申请涉及半导体功
率
器件,具体而言,涉及一种高耐压高
电子
迁移率
晶体管。高耐压高
电子
迁移率
晶体管,其包含栅电极、源电极、漏电极、势垒层、沟道层、形核层、基底;沟道层位于势垒层和基底之间,沟道层包括P‑型Ⅲ‑Ⅴ族半导体层,其...
黎子兰
加载更多 ∨
相关作者
郝跃
作品数:2,605
被引量:1,235
H指数:13
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
张进成
作品数:1,037
被引量:119
H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:SUB 成核 势垒层 氮化镓 电极
马晓华
作品数:863
被引量:143
H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:电极 势垒层 高电子迁移率晶体管 氧化镓 栅电极
陈堂胜
作品数:434
被引量:344
H指数:9
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
王冲
作品数:178
被引量:89
H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:高电子迁移率晶体管 电极 ALGAN/GAN HEMT器件 势垒层
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张