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电子迁移率晶体管
本发明公开一种高电子迁移率晶体管,该制作高电子迁移率晶体管的方法为,首先形成一缓冲层于一基底上,然后形成第一阻障层于该缓冲层上,形成一图案化掩模于第一阻障层上,形成一第二阻障层于图案化掩模两侧,去除该图案化掩模以形成一凹...
杨柏宇
电子迁移率晶体管
本公开涉及半导体结构,更具体地说,涉及高电子迁移率晶体管和制造方法。该结构包括:半导体衬底;至少一个绝缘体膜,其位于半导体衬底上方,该至少一个绝缘体膜包括凹陷;以及场板,其延伸到至少一个凹陷内并且位于至少一个绝缘体膜上方...
M·D·莱维J·A·康塔洛夫斯基M·J·齐拉克S·沙马S·J·本特利
电子迁移率晶体管及其制备方法
本申请实施例涉及一种高电子迁移率晶体管及其制备方法,其中,高电子迁移率晶体管包括:衬底;位于衬底上的异质结结构,异质结结构包括沿远离衬底的方向依次层叠的沟道层和势垒层,在沟道层的至少部分靠近势垒层的区域中形成有二维电子气...
李翔
电子迁移率晶体管及其制备方法
本公开实施例提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法,属于半导体技术领域。该高电子迁移率晶体管包括衬底、沟道层、势垒层、钝化层和帽层,衬底、沟道层、势垒层和钝化层依次层叠,钝化层具有露出势垒层的通孔;帽层位于钝化层的远离...
杨清汝田文王珺楠
电子迁移率晶体管及其制备方法
本申请实施例涉及一种高电子迁移率晶体管及其制备方法,属于半导体技术领域;其中,晶体管包括:衬底;位于衬底上的异质结结构,异质结结构包括沿远离衬底的方向依次层叠的沟道层和势垒层,在沟道层的至少部分靠近势垒层的区域中形成有二...
李翔
P-GAN高电子迁移率晶体管场板
一种高电子迁移率晶体管(HEMT),包括设置在表面上的源极、设置在表面上的漏极、在源极和漏极之间设置在表面上的栅极以及在栅极和漏极之间设置在表面上的第一场板。在某些实施方案中,第一场板包括p型掺杂氮化镓(P‑GAN)。在...
A·谢比卜S·拉加比
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法,涉及晶体管设计技术领域。包括依次堆叠的衬底、成核层、缓冲层和电极层,缓冲层和电极层之间设置有至少一组多沟道结构,多沟道结构包括多个异质结结构层和盖帽层,所有异质结结构层堆叠...
李国强吴昌桐
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括在第二N+型掺杂层上沉积金属以分别形成源极和漏极。在第二N+型掺杂层上形成第一凹槽。在砷化铟镓刻蚀阻挡层和第一N型掺杂层上形成第二凹槽。在砷化铝刻蚀阻...
何先良林志东魏鸿基
电子迁移率晶体管芯片及其制备方法
本公开公开了一种高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。高电子迁移率晶体管芯片包括源极、漏极、栅极和外延层;外延层包括依次层叠的沟道层、势垒层和盖帽层,盖帽层为P型GaN层;源极、漏极和栅极位于外延层的同...
郭利利王珺楠田文胥鹏程杨清汝
一种高耐压的高电子迁移率晶体管
本申请涉及半导体功器件,具体而言,涉及一种高耐压高电子迁移率晶体管。高耐压高电子迁移率晶体管,其包含栅电极、源电极、漏电极、势垒层、沟道层、形核层、基底;沟道层位于势垒层和基底之间,沟道层包括P‑型Ⅲ‑Ⅴ族半导体层,其...
黎子兰

相关作者

郝跃
作品数:2,605被引量:1,235H指数:13
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
张进成
作品数:1,037被引量:119H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:SUB 成核 势垒层 氮化镓 电极
马晓华
作品数:863被引量:143H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:电极 势垒层 高电子迁移率晶体管 氧化镓 栅电极
陈堂胜
作品数:434被引量:344H指数:9
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
王冲
作品数:178被引量:89H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:高电子迁移率晶体管 电极 ALGAN/GAN HEMT器件 势垒层