搜索到101篇“ 注氧隔离“的相关文章
- 注氧隔离SOI材料的电离辐射效应研究
- SOI(Silicon-on-Insulator)即绝缘体上的硅材料,其结构通常为顶层硅-绝缘埋层-衬底硅。相对于传统的体硅材料,绝缘埋层的存在将SOI材料的顶层硅与衬底完全隔离,使得基于SOI技术的器件与电路具有功耗低...
- 张百强
- 关键词:改性处理离子注入工艺电离辐射效应
- 文献传递
- 氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响被引量:2
- 2013年
- 为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升,本文采用氮氟复合注入方式,向先行注氮的埋层进行了注氮之后的氟离子注入,并经适当的退火,对埋层进行改性.利用高频电容-电压(C-V)表征技术,对复合注入后的埋层进行了正电荷密度的表征.结果表明,在大多数情况下,氮氟复合注入能够有效地降低注氮埋层内的正电荷密度,且其降低的程度与注氮后的退火时间密切相关.分析认为,注氟导致注氮埋层内的正电荷密度降低的原因是在埋层中引入了与氟相关的电子陷阱.另外,实验还观察到,在个别情况下,氮氟复合注入引起了埋层内正电荷密度的进一步上升.结合测量结果,讨论分析了该现象产生的原因.
- 张百强郑中山于芳宁瑾唐海马杨志安
- 关键词:注氮
- 一种基于注氧隔离技术的黏度传感器芯片的制备方法
- 本发明提供了一种基于注氧隔离技术的黏度传感器芯片的制备方法,本发明所述芯片的硅微悬臂梁厚度具有易控制以及均匀一致性的特点,并且解决了拾振电阻压阻效应较低的问题,同时,由该芯片封装而成的传感器可以应用在高温场合下;该MEM...
- 赵立波张桂铭黄恩泽蒋庄德王晓坡刘志刚
- 文献传递
- 高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响被引量:1
- 2011年
- 为研究注氮改性对注氧隔离硅材料中埋氧层性质的影响,向其埋氧层内注入了1016cm-2的高剂量氮.实验结果表明,与未注氮的埋氧层相比,所有注氮的埋氧层中的正电荷密度显著增加.实验还发现,注氮后的退火可使埋氧层内的正电荷密度进一步上升.但与注氮导致的埋氧层内正电荷密度的显著上升相比,退火时间对注氮的埋氧层内正电荷密度的影响不大.电容-电压测量结果显示,在埋氧层内部,注氮后未退火的样品与在1100℃的氮气气氛下退火2.5h的样品相比,二者具有近似相同的等效正电荷面密度.然而,经0.5h退火的样品却对应最高的等效电荷面密度.为探讨注氮埋氧层内正电荷产生的机理,对注氮在埋氧层中导致的注入损伤进行了模拟.模拟结果表明,氮离子注入在埋氧层内引入了大量的空位缺陷.对比注氮与退火前后的傅里叶变换红外光谱发现,注入损伤在经0.5h的高温退火后即可基本消除.实验还对退火前后的注氮样品进行了二次离子质谱分析.分析认为,注入的氮在埋氧层与硅界面附近积累,导致近界面富硅区的硅-硅弱键断裂是注氮埋氧层内正电荷密度增加的主要原因.
- 唐海马郑中山张恩霞于芳李宁王宁娟李国花马红芝
- 关键词:注氧隔离注氮
- 注氧隔离技术SOI晶圆材料高温压阻效应被引量:1
- 2011年
- 针对注氧隔离技术制备的SOI晶圆顶层硅材料的高温压阻效应,设计并制作研究压阻效应的实验装置与测试样品,在高温条件下,利用悬臂梁结构研究SOI晶圆顶层硅的压阻效应。研究结果表明:在一定的掺杂浓度条件下,硅[110]晶向上的纵向压阻系数随温度的升高而减小,横向压阻系数随温度的升高变化不大。在300℃条件下,硅[110]晶向具有较大的纵向压阻系数和横向阻系数,且性能稳定,适于高温压阻式压力传感器的制作。
- 李新刘沁
- 关键词:压阻效应注氧隔离高温
- 注氧隔离SOI材料的抗总剂量辐照加固
- SOI(Silicon On Insulator)即绝缘体上的硅,是一种新型的硅基材料。用SOI材料制作的器件与电路相对于传统的体硅器件及电路而言,具有功耗低、速度快、集成度高、抗瞬时辐照能力强、无闩锁效应等优点,并可有...
- 唐海马
- 关键词:SOI材料硅基材料
- 文献传递
- 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法
- 本发明涉及基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及制备方法。特征在于以单晶锗硅薄膜取代传统的材料中的顶层单晶硅薄膜,形成以单晶锗硅薄膜为顶层半导体膜的更广义的新型衬底材料。制备方法是首先向单晶硅片中注入氧离子,然后在注氧硅片...
- 狄增峰安正华张苗林成鲁
- 文献传递
- 改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺
- 本发明公开了一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺,在半导体衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗,工艺依次包括离子注入、二氧化硅保护层生长、高温退火和二氧化硅去除。本发明利用锗在二氧化硅中扩散系数小的...
- 陈志君张峰张正选
- 文献传递
- 基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法
- 本发明公开了一种基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法,依次包括二氧化硅保护层生长、离子注入、高温退火和去除二氧化硅层。其特征在于(1)注入前,在硅锗上生长二氧化硅层,层厚20~120nm;(2)离子注入的能...
- 陈志君张峰
- 文献传递
- 氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
- 2006年
- 提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全。透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛。研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键。
- 陈志君张峰王永进金波陈静张正选王曦
- 关键词:注氧隔离
相关作者
- 王曦

- 作品数:532被引量:250H指数:9
- 供职机构:清华大学
- 研究主题:衬底 离子注入 SOI 硅 绝缘体
- 陈猛

- 作品数:57被引量:20H指数:3
- 供职机构:清华大学
- 研究主题:注氧隔离 SOI 高温退火 SIMOX 低剂量
- 陈静

- 作品数:251被引量:24H指数:3
- 供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题:晶体管 浮体效应 阈值电压 SOI 存储器单元
- 董业民

- 作品数:146被引量:43H指数:3
- 供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题:SOI工艺 注氧隔离 抗辐射 绝缘体 静电保护电路
- 王湘

- 作品数:33被引量:2H指数:1
- 供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题:衬底 注氧隔离 键合 高温退火 离子注入