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在形成有源器件之前通过晶片键合来结合背面电力分配网络的顺序互补型FET
一种半导体器件，包括在块体半导体材料上面的背面电源轨、在背面电源轨上面的第一键合介质层、在第一键合介质层上面的第一晶体管层级、在第一晶体管层级上面的第二键合介质层、以及在第二键合介质层上面的第二晶体管层级。第一晶体管层级...
杰弗里·史密斯
一种电路板的有源器件立体封装
本发明提供一种电路板的有源器件立体封装，包括：基础层，基础层具有上侧面和下侧面；有源器件，至少一个有源器件设置于基础层的上侧，且至少一个有源器件设置于基础层的下侧；胶黏剂层，胶黏剂层设置于有源器件与基础层之间，以将复数个...
周明杰毛露伟林杰
构网型变流器多谐波吸收复用及其有源器件尽限使用方法
本发明公开了一种构网型变流器多谐波吸收复用及其有源器件尽限使用方法。包括：根据预先建立的构网型变流器多谐波吸收复用控制架构下的有源器件损耗模型，确定对应的目标函数；目标函数至少包括：有源器件尽限使用目标函数和谐波权重目标...
杨帆曾智李堃李斌朱正韬贾恒杰胡玉婷崔宫洪焕森田小东吴兰吴炯郑晨炜钟远峰陈平芳
具有嵌入式有源器件的半导体器件
半导体器件包括设置在处理器管芯和封装衬底之间的一个或多个有源器件。该半导体器件包括具有处理器管芯的第一层、具有一个或多个有源器件的第二层、以及具有封装衬底的第三层，其中第二层设置在第一层与第三层之间。该一个或多个有源器件...
加布里埃尔·H·洛 拉胡尔·阿加瓦尔 拉贾·斯瓦米纳坦 布雷特·P·威尔克森
光电有源器件和产生光电有源器件的方法
一种光电有源器件，包括：绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括硅基底层、在所述硅基底层的顶部上的掩埋氧化物(BOX)层、在所述BOX层的顶部上的绝缘体上硅(SOI)层和衬底空腔，所述衬底空腔延伸穿过所述SOI层、所...
余国民A·J·齐尔基
一种射频多指有源器件温度分布分析方法
本发明涉及一种射频多指有源器件温度分布分析方法，包括：采用遗传算法，利用神经网络对射频单指器件沿热源中心点向外围方向上的温度分布数据训练得到单指器件温度分布模型；给定多指器件指数、指间距、环境温度及功耗等器件信息，确定坐...
吕红亮严思璐乔建涛戚军军张玉明
一种片上波导集成有源器件、制备方法及其应用
本发明的一种片上波导集成有源器件、制备方法及其应用，选择氮化硅作为波导芯层材料，器件自下而上依次为高掺杂硅衬底、二氧化硅埋氧层、氮化硅微环谐振器、源漏金属电极和范德华异质结硒化钯‑碲化钼层。范德华异质结硒化钯‑碲化钼层覆...
俞一鸣唐伟伟何家乐徐雷君洪洁朱曙光郑泽兴李冠海陈效双
一种有源器件散热组件工装
本实用新型涉及有源器件散热技术领域，具体公开了一种有源器件散热组件工装，包括工装板、散热板以及安装散热板和器件的锁紧组件，所述工装板上开设有第一定位孔，所述散热板上开设有与所述第一定位孔相对应的第二定位孔，所述器件上开设...
徐国琴
硅基光电子芯片集成的胶体量子点有源器件(特邀)被引量：1
2024年
胶体量子点(CQD)半导体材料具有吸收/发射谱段连续可调、荧光光谱窄(<30 nm)、量子产率高(约100%)、载流子输运灵活可控等优异的光电特性,以及大面积、低成本、无衬底限制等液相加工集成工艺优势,有望为硅基光电子芯片上有源器件的集成提供新的解决方案。从CQD的合成、光电特性、硅基片上集成工艺等角度展开讨论,并总结评述片上集成CQD有源器件的研究进展。最后,从硅基片上探测器、片上光源等角度,对基于CQD发展硅基光电子芯片上有源器件给出分析和展望。
瞿俊伶刘鹏甘雪涛赵建林
关键词：有源器件探测器光源
用于片上光通信的光学有源器件、制备方法、及片上光通信系统
本公开提供一种用于片上光通信的光学有源器件、制备方法、及片上光通信系统，制备方法包括：操作S1：生长外延片结构，所述外延片结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、中间层、N型半导体材料层、多量子阱层、电子阻挡层、P型空穴注入层...
孙海定余华斌
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卞宇生
作品数：41被引量：0H指数：0
供职机构：北京航空航天大学
研究主题：波导结构 传输损耗 表面等离子激元 高折射率 光场
廖怀林
作品数：155被引量：37H指数：3
供职机构：北京大学
研究主题：压控振荡器 混频器 电路 射频前端 多孔硅
郑铮
作品数：187被引量：117H指数：7
供职机构：北京航空航天大学
研究主题：波导结构 传输损耗 表面等离子激元 高折射率 光场
刘新宇
作品数：893被引量：313H指数：7
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 HEMT
张国艳
作品数：36被引量：42H指数：3
供职机构：北京大学
研究主题：压控振荡器 有源器件 SOI 集成电感 品质因子