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一种渐变式超晶格结构: 本发明提供了一种渐变式超晶格结构，包括多组高铝组成氮化铝镓，多组低铝组成氮化铝镓，所述高铝组成氮化铝镓与低铝组成氮化铝镓交替排列，高铝组成氮化铝镓的铝组成X，低铝组成氮化铝镓的铝组成Y,高铝组成氮化铝镓的厚度A,低铝组成...; 李慎初陈彦良林立腾

具有超晶格结构的紫外激光器: 本发明的实施例提供一种具有超晶格结构的紫外激光器，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层、空穴注入层和P型接触层，P型电极设于所述P型接触层上；N型电极设于所述...; 闫建昌任睿郭亚楠刘志彬李晋闽王军喜

用于全环绕栅极装置的渐变超晶格结构: 提供了含硅锗(SiGe)/硅的超晶格结构及其形成方法。各种实施方式在SiGe/Si超晶格结构中利用SiGe层，这些SiGe层在整个层中包含不同浓度的锗以实现减少的位错或无位错的超晶格。例如，在一些实施方式中，对于每个Si...; 黃奕樵皮埃尔·托马西尼阿布舍克·杜贝

一种基于一维Su-Schrieffer-Heeger晶格结构的电路模型: 本发明提供一种基于一维Su‑Schrieffer‑Heeger晶格结构的电路模型，包括：通过典型SSH模型进行晶格结构搭建的电路模型；所述晶格包括：两个不等效的格点；所述两个不等效的格点通过特定的方式连接并模拟不同的跃迁...; 史鹏飞谷钰钰李子润赵宏革

实现电子结构转变的超晶格结构及其拼接构建方法: 本发明公开了实现电子结构转变的超晶格结构及其拼接构建方法，涉及自旋电子学领域，通过三种不同构型的超晶格结构，实现半金属性质、半导体性质和金属性质的电子结构性质转变。本发明基于横纵向拼接的结构方式设计了一类新型纳米带超晶格...; 秦真真许新婷岳牧言邢子钰

一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法: 本发明公开了一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。该选通管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二...; 童浩王伦王位国缪向水

一种基于超晶格结构的氧化铪基铁电晶相调制方法: 一种基于超晶格结构的氧化铪基铁电晶相调制方法，将氧化铪基铁电薄膜中的每个氧化铪层设计为由m个氧化铪子层堆叠而成，每个掺杂元素层设计为由n个掺杂元素子层堆叠而成；氧化铪层与掺杂元素层堆叠形成超晶格结构，通过确定m和n的取值...; 周久人李开轩郑思颖刘宁刘艳韩根全郝跃

一种过渡金属硫族化合物的多重横向超晶格结构的制备方法: 本发明属于二维材料制备技术领域，公开了一种过渡金属硫族化合物的多重横向超晶格结构的制备方法。该制备方法如下：以多晶金箔为基底，将基底与过渡金属氧化物、硒单质置于常压化学气相沉积体系中；将基底和过渡金属氧化物加热至780‑...; 张文静邓宇

用于GaN HEMT的超晶格结构、缓冲层、GaN HEMT外延片及生长方法: 本发明公开了一种用于GaN HEMT的超晶格结构、缓冲层、GaN HEMT外延片及生长方法。所述超晶格结构包含：N个AlN/GaN/AlGaN叠层结构，所述AlN/GaN/AlGaN叠层结构包含由下至上依次堆叠生长的Al...; 陈耀陈嘉俊康双双郭世平

可用于数据存储的Nb-Sb_(2)Te_(3)/C超晶格结构相变材料的研究: 2025年; Nb掺杂的Sb_(2)Te_(3)(STNb)相变材料因其优异的热稳定性和快速的相变速率,被认为在数据存储领域具有潜在的应用价值。然而,随着Nb掺杂量的增加,体系易发生相分离现象,且Nb掺杂无法有效抑制材料的氧化,这对存储器件的长期稳定性提出了严峻挑战。鉴于碳(C)元素具有较高的化学稳定性,文章设计了一种由0.5 nm厚的C纳米层与STNb相变材料交替排列的超晶格结构。通过周期性插入C纳米层,引入了规则的界面结构,并系统研究了C纳米层数对STNb/C超晶格相变材料性能的影响。研究结果表明,由于界面效应的作用,超晶格结构的相变薄膜相较于单层结构表现出更高的相变温度,且体系的晶态电阻随C纳米层插入逐渐增加。此外,超晶格结构能够显著降低存储器件的操作电流,从而有效降低器件功耗。微观结构分析表明,相变后C元素主要以团簇形式存在于材料中,这不仅抑制了原子迁移和晶粒生长,还有助于进一步降低器件功耗。综上所述,STNb/C超晶格相变材料在数据存储领域展现出广阔的应用前景。; 郑龙薛建忠裴明旭朱小芹; 关键词：相变存储器超晶格结构相变材料

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